Даннлнн

Номер патента: 333877

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Белановскин, Даннлнн, Клюев, Морозов, Синев, Филатов, Чернйвскин

МПК: H01L 29/06

Метки: германиевый, планарно-эпитаксиальныйтранзистор, р—п—р

...увеличиваться, что приведет к снижению граничной рабочей частоты. Это позволяет до минимума снизить сопротивление пассивной части базы чб и, следовательно, увеличить предельную рабочую частоту при уменьшенных требованиях фотогравировки, что удешевляет стоимость транзистора.Токоведущая площадка, выполненная в пределах площади коллекторного окна, уменьшает паразитную емкость эмиттер-коллектор, что также повышает предельную рабочую частоту, Токоведущая площадка является одновременно эмиттером, причем эмиттер расположен внутри токоведущей площадки, что упрощает и удешевляет конструкцию, так как исключается операция напыления токоведущей площадки. Кроме того, расположение эмиттера внутри токоведущей площадки позволяет получать надежно...