H01L 23/34 — приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации

Номер патента: 1614148

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Бансявичюс, Бисигирскис, Рагульскис

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: микроэлектронных, охлаждения, узлов

...би 35Морфного пьезокерамического вибро.возбудителя 1,Устройство для охлаждения микроэлектронных узлов работает следующимобразом.40Подача переменного напряжения наэлектроды 4 и 5 пьезокерамическихпластинок 2 вызывает колебательныедвижения частей электродов 4 и 5 в 45противоположных фазах. Фазы колебаний частей электродов 4 также, каки частей электродов 5 обоих пьезокерамических пластинок 2 совпадают,так как обо указанные пластинки 250поляризованы по толщине в одном на-правлении, Это приводит к изгибу пла-;стины 3 из металла основания биморфного пьезокерамического вибровозбудителя 1, Формы которого в противопо 55ложных фазах показаны на эпюрах(Фиг,2 а,б). Передняя часть пластины3 из металла на эпюрах показана прямой линией, так как...

Номер патента: 1619437

Опубликовано: 07.01.1991

Автор: Макунин

МПК: H01F 27/08, H01L 23/34, H05K 7/20 ...

Метки: охлаждения, электрорадиотехнических, элементов

...приводного механизма 4 прерывается, свободный конец пластины 3 силами ее упругости отклоняется в противоположную сторону, Колебание пластины 3 происходит с максимальной амплитудой электромагнитного приводного механизма 4, равной основной собственной частоте колебаний пластины 3, т.е. при соблюдении условий механического резонанса. Добротность упругой пласти-. ны 3 как колебательной системы определяется коэффициентом пропорциональности между амплитудой изгиба и максимальным отклонением свободного конца пластины 3, Если условия механического резонанса не соблюдаются, то отклонение свободного конца пластины незначительно и охлаждение неэффективно.Кроме того, рекомендуется выбирать частоту колебаний упругой пластины 3 ниже области...

Номер патента: 1621193

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Жаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, приборов, радиоэлектронных

...частиц сор" бента.1 4 ООхладитель работает следующим об разом.При включении прибора 4 выделяемое им тепло отводится в адсорбирую" щее вещество Э. При его нагревании идет процесс десорбции влаги, когорой сорбент насыщен естественным путем, причем процесс.десорбции усиливается с нагреванием сорбента.После отключения прибора 4 адсорбирующее вещество 3 охлаждается. Процесс охлаждения сопровождается поглощением влаги, адсорбирующейся на веществе из окружающего воздуха.Процесс охлаждения, а вместе с тем и вновь насыщение влагой адсорбирующего вещества ускоряется, если в бло-, ке, где установлено устройство, имеется перемешивание воздуха, например, вентилятором, однако это не является обязательным условием.Через некоторый промежуток времени...

Номер патента: 1621196

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Жаров

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...работает следующим об-,разом,В процессе работы радйоэлемента 4выделяемое им тепло идет сначала наразогрев плавящегося вещества 2, азатем на его плавление.В моментдостижения плавящимся веществом 2температуры плавления или несколькобольшей включается цепь 10 электромагнита 5 такой полярностью, что полюс электромагнита 5, примыкающий ккрышке 3, совпадает с соответствующимполюсом шайбы 9. Возникающая отталкивающая сила обеспечивает давлениепластины 8 на столб плавящегося вещества 2, обеспечивая непрерывно плотный контакт еще нерасплавившегося вещества 2 с крышкой 3, на которойразмещен радиоэлемент 4. Уже расплавившееся вещество 2 вдоль стенки переходит в освободившуюся за пластинойобласть. Это обеспечивает высокоэффективный отбор тепла...

Номер патента: 1629932

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Головко, Пименов

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...охлаждающим устройством тепла, выделенного полупроводниковым прибором, последний плоской поверхностью прижимается к токопро водной пластине 7 с усилием Р, необходимым для сжатия прибора. Тепловой поток от рабочей поверхности прибора к охлаждающей жидкости проходит через токопроводящую пластину 7 и токоизо лирующую подвижную стенку 5. Для улучшения теплопередачи граничный переход между поверхностями пластины 7 и стенки 5 выполнен из тонкого слоя теплопроводного припоя типа 30 ПОС. Давление на охлаждающее устройство от усилия Р воспринимается частично сжимающей пружиной 10 через подвижную стенку 5, а остальная часть давления - опорной кольцевой поверх 35 ностью корпуса 1. При этом давление на подвижную стенку 5 не зависит от внешней...

Номер патента: 1630001

Опубликовано: 23.02.1991

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: испарительным, охлаждением, статический

...патрубков 12, 13: свободные части 15, 17 - патрубком 2, а заполненные части 16, 18 - патрубком 13. Нагреватель 14 размещен на внешней поверхности емкости 10, на ее части 16, заполненной жидким теплоносителем 1, а датчик 7 давления соединен со свободной частью 17 внутреннего объема герметичного корпуса 1, при этом полость датчика 7 давления в виде силь- фона сообщена со свободной частью 17 внутреннего объема герметичного корпуса 1.Статический преобразователь с испарительным охлаждением работает следующим образом.При выключении преобразователя остаточные пары фреонаконденсируются за счет охлаждения герметичного корпуса 1 окружающим воздухом. Вследствие этого в свободной части 17 внутреннего объема герметичного корпусаначинает...

Номер патента: 1630003

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Водовозов, Грудень, Кряж, Разбегаев, Чивилев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...5, восстанавливая зазоры 13. Затем, отвернув винты 9, извлечь блок.Введение в корпус, в местах размещения теплообменников, окон, которые закрыты закрепленными на корпусе крышками, прн этом крышки выполнены в виде упругодеформируемых рамок с жестко закрепленными по внутреннему контуру теплообменниками, а прижимные элементы выполнены, например, в виде поджимных винтов, установленных в резьбовых отверстиях кронштейнов, закрепленных на корпусе с возможностью обеспечения взаимодействия поджимных винтов с теплообменниками и поджатия теплообменников . к теплостокам блока, позволило повысить эффективность охлаждения и упростить конструкцию шкафа.формула и з обретения1, Радиоэлектронный блок, содержащий корпус с внешними...

Номер патента: 1637046

Опубликовано: 23.03.1991

Автор: Буткевич

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...цилиндрической формы, секции 1 и 2 соединены одна с другой путем вдвижения их цилиндрических выступов 10 в пазы 13 цилиндрической формы на полную длину. В результате этого образовано установочное основание радиатора, у которого высота внешних продольных ребер равна А + В (фиг. 2), внешние продольные ребра 4 и 7 секций 1 и 2 совмещены, а канал 16 охлаждения между обращенными одна к другой поверхностями прямоугольных профилей 3 обеих секций 1 и 2 выполнен в виде открытого с противоположных сторон четырехугольного короба, а также образован внутренними боковыми поверхностями продольных ребер 10,Полупроводниковый прибор 17 может быть закреплен на установочной площадке 18 с помощью винта 19 (фиг, 2), для чего в секциях 1 и 2 выполнены...

Номер патента: 1637049

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Вексин, Желтухина, Шестоперов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...охлаждающего воз 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 духа и имеют углы раскрытия равные углам наклона а 1 и а 2 горизонтальных полок 7 П- образных скоб дефлекторов 3 и 4 соответственно.Охладитель работает следующим обра зом,Для обеспечения допустимой степени нагрева полупроводникового прибора 12 от нагнетателя подается поток теплоносителя, как показано стрелками на фиг. 2, Дефлекторы 3 и 4 отклоняют все возрастающую часть теплоносителя от прямолинейного движения и направляют поток к основанию 1 охладителя, что способствует интенсификации теплообмена.Дефлектор 3 отсекает и направляет поток охлаждающего теплоносителя - воздуха для охлаждения. ограниченной его П-образной скобой части охладителя, дефлектор 4 обеспечивает забор новой...

Номер патента: 1638818

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Белик, Коноваленко, Огонькова, Серов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, теплоотвод

...раздельноеобезжиривание порошка и основания 1в органическом растворителе, высушивают порошок и основание 1. Наносят порошок на основание 1- будущего теплоотвода и воздействуют на него магнитной системой, обеспечивающей перпендикулярность силовых линии основанию 1, В качестве магнитной системы используют набор постоянных магнитов 9, которые устанавливают со стороны основания 1, предусмотренной для подвода тепла. Пос" тоянные магниты 9 устанавливают так, что они образуют сплошную поверхность.В качестве постоянных магнитов 9 используют магниты, линия соединения полюсов которых перпендикулярна од" . ной из плоскостей магнита. Этой плоскостью магнитная плита 8 устанавливается на основание 1, в сечении эта плоскость представляет собой...

Номер патента: 1644258

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Исхаков, Мальцев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор

...3 происходит постепенное осаждение порошка 5, большая часть которого опять осядет на крышку 2 или на поверхность монослоя 7. В результате уменьшается внутреннее тепловое сопротивление, а следовательно, и перегрев кристалла 3.Экспериментальная проверка предлагаемого прибора проводилась с применением микросхемы типа 198 НТ 1 В в металло-керамическом корпусе. ИС 198 НТВ представ 5 10 15 20 25 30 35 ляет собой матрицу п-р-п-транзисторов, расположенных в одном кристалле. Один из транзисторов использовался в качестве датчика температуры и подключался к вольтметру В 7-27 А, в котором предусмотрен режим измерения температуры. Другие транзисторы ИС использовались как нагревательные элементы. В качестве заполняющей диэлектрической жидкости...

Номер патента: 1647936

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Лаужа, Лейманис, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: модуль, полупроводниковый, преимущественно, техники, электропреобразовательной

...цепь и осуществляют преобразование электроэнергии. При этом ток протекает по цепочке полупроводниковых приборов 1 и охладителей 2.Выделяющееся в полупроводниковых приборах 1 тепло передается охладителям 2, а именно, сначала дискам 9, от них - диску 10, Затем тепловой поток распространяется по радиусу. Сквозные прорези 12 не мешают распространению тепла, поскольку они не ослабляют теплопроводящего сечения,От поверхности дискон 10 тепло передается воздушному потоку, который поступает из канала 8. В пространстве между дисками 10 воздух поступает через прорези 12, при этом создается круговое движение воздуха в каждом междисконом пространстве, что обеспечивает хороший обдув дисков 1 Э тангенциальным потоком. При расположении прорезей 12 по...

Номер патента: 1647937

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Белова, Данилов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, радиоэлектронной, стойка

...и установленные на направляющих элементах несущего каркаса в ус" танфвфчных окнах корпуса и электрически соединенные между собой вдвижные блоки радиоэлектронной аппаратуры с задними панелями и с вентиляционными модулями, расположенными с одинаковых сторон блоков и сообщающиеся своими входами с окружающей средой посредством вентиляционных окон, .выполненных в стенках корпуса, обращенных к входам указанных вентиляционных модулей блоков, о т л и - ч а ю щ а я с я тем, чтф, с целью повышения надежности и быстродействия, направлякпцие элементы с блоками размещены на разных уровнях пф ширине и глубине несущего каркаса и корпуса сф смещением одни относительно других с образованием в общем вфэдухфвфде корпуса между блоками общей межблфчнфй...

Номер патента: 1325963

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Лепехин, Петрина, Яценко

МПК: F25B 19/04, H01L 23/34

Метки: блок, радиоэлектронный

...при нагревании теплоносителя пар удаляется иэ материала с крупнодисперсной структурой, имеющей контакт с поверхностью тепловыделяющих приборов. Смесь нагретой диэлектрической жидкости 2 поступает в конденсатор 3 через сегментные окна 9.15Слой 13 не дает пару воэможности пробиться во внешние крупнодисперсные слои, имеющие контакт с электро- проводными перегородками 6. Поэтому внешние крупнодисперсные слои, кон-, тактирующие с перегородками 6, всегда смочены жидким теплоносителем, и гидродинамика жидкого теплоносителя по капиллярам вставки и самой капиллярно-пористой структуре охладителей 5 не нарушается.Охлаждение тепловыделяющих полупроводниковых приборов 4 при повышенных и импульсных электрических нагрузках всегда сопровождается...

Номер патента: 1670722

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Лаужа, Никифоров, Скольцов, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00, H05K 7/00 ...

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой, установки, электропреобразовательной

...приборы, теплопроводы 2 и кожух 3, причем каждый теплоотвод выполнен в виде металлического диска 4 со спицами 5, торцы которых скреплены между собой кольцом 6, и снабжен кольцевыми элементами 7, имеющими радиальные прорези 8.Полупроводниковый модуль содержит соосно закрепленные чередующиеся полупроводниковые приборы цилиндрической формы и теплоотводы 2, размещенные в цилиндрическом кожухе 3, Каждый теплоотвод выполнен в виде металлического диска 4 с радиально расположенными спицами 5, торцы которых скреплены между собой кольцом 6, диаметр которого выбран равным внутреннему диаметру кожуха 3, и снабжен кольцевыми элементами 7, имеющими в радиальном сечении Ч-образную форму, которые крепятся к каждой спице 5 при помощи радиальной...

Номер патента: 1670817

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Шульга

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: охлаждения, радиатор, электрорадиоэлементов

...температуры ребер 3 по их высоте.Эффективному перераспределению потока с учетом изменения температуры ребер 3 по высоте и с учетом сохранения относительного расстояния между ребрами 3 соответствует также введение между однонаправленными лепестками 11 или 12 вершин 7 однонаправленных лепестков 12 или 11 соответственно соседних ребер 3. Они дополнительно сужают сечение между ними у менее нагретых участков ребер 3 на границах их разделения, в связи с чем поток прижимается к более нагретым поверхностям.При движении хладагента через охлади- тель торцовые установочные площадки 2, расположенные поперек потока, вызывают его турбулизацию за счет хаотичного резкого изменения направления потока в зоне вершин 7 ребер 3 в местах разделения...

Номер патента: 1691983

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Галушко, Колмаков, Френкель

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиатор, электрорадиоэлементов

...лепестка 3 равна не менее толщины плоского основания 1, Каналы б расположены в шахматном порядке, а угол отгиба лепестков 3 определяется из следующего соотношения:бсов а+3 Т сова 02где - длина отогнутых соседних противолежащих лепестков, мм;т - расстояние между основаниями отогнутых лепестков 3 противолежащих соседних каналов б, мм;з - угол отгиба отогнутых лепестков 3каналов б от плоскос 1 и размещения плоского основания 1, град.Радиатор для охлаждедующим образом.Тепло, выделяемое ЭРЭ 2, через основание 1 передается лепесткам 3 и их поверхностям 4 и 5 в окружающую среду, В результате наличия прерывистых каналов б происходит периодическое сужение и расширение потока, т,е. турбулизация, Благодаря перемешиванию частиц воздуха, более...

Номер патента: 1699015

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/34

Метки: испарительным, модуль, охлаждением, полупроводниковый, силовой

...жидкости, имеется коллектор 13 с системой сопел 14.Каждое из сопл направлено в межре берный промежуток оребренных тепло отводов. Количество сопл определяетсяследующим образом;р=(п) гп,где и. - количество ребер двустороннегооребренного теплоотвода;тп - количество СПП в модуле,Устройство работает следующим образом.При прохождении силового тока, соответствующего длительному режиму работыстатического преобразователя с номинальным рабочим током 1 дном через токоведущиешины 3 и силовые полупроводниковые приборы 1, последние выделяют тепло, котороепередается теплоотводящим элементом 2 идалее диэлектрической жидкости 5, которойзаполнена герметичная емкость 4. Диэлектрическая жидкость закипает и стекает обратно в герметичную емкость,При...

Номер патента: 1699025

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Большаков, Каликанов, Туник

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: аппаратуры, бортовой, жидкостным, испарительным, охлаждением, плавучих, преимущественно, средств, статический

...приборы 1, д 1 Оссели 2и траьсфрла)пр 3 Выделяю) тепле. кстоооепередаегся диэле;срической жидкости.ОМВВВЮШей ИХ ПОВерХНОСтЬ, ОтбИрая ЭГО тепло, диэлектрическая жидкость 7 охлаждает указанные выше тепловыводящие элементы и при этом превращается в пар. Парподнимается кверху и, достигнув теплооб 5 менника 4, конденсируется на его поверхности, имеющей температуру нижетемпературы конденсации паров, образовавшийся конденсат пара под действиемсил тяжести стекает вниз и попадает на под 10 дон 5, откуда по трубке 9 стекает в отсек ссиловыми полупроводниковыми приборами1, через отверстие 10 в вертикальнол перегородке 8 переливается в смежнысл отсек, вкотором расположены трансформатор 3 и15 дрпссели 2,Отверстие 10, предусмотренное в вертикальной...

Номер патента: 1704196

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Соколов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: закрепления, полупроводникового, прибора

...центрирующий упор 17.При сборке устройства закрепляют на болтах 4 с помощью гаек 6 нижнюю траверсу 3. на которой последовательно устанавливают нижнИй упор 9, охладитель 2, прибор 1, емкость 11, верхний упор 9 и вер% хнюю траверсу 3, После э ы о заводят профилированный конец ключа 7 под сферическую поверхность головки 5 одного иэ болтов 4, поворачивают ключ 7 в сторону траверсы 3 и закрепляют его с помощью шплинта 8, создавая при этом усилие сжатия всех элементом, размещенных между траверсами З,достаточное для транспортировки всего устройства к объекту его установки и закрепления на этом объекте.8 процессе эксплуатации прибора 1 он выделяет тепло, значительная часть которого отводится охладителем 2, а некоторая часть через шину 1 О и...

Номер патента: 1704303

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Жаров, Явношан

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...контакта витков пружины 4 со с)енкс)1 ко) уса 1 (ц,)иче)1 нижний вок вделав основание корпуса 1 40 высокой теплоприводност 11 глатеридла, облздиэщего цдглчтьо формы )этэ 1 летдлп) пруж 1 на 4 начин ет сжи):,дться. При этом верхи)й диск нддд"лиг.де-. На 1 ерэсилдвленцое Глдвящес-; вещество 3, прижимая 45 его к осговд)п)ю корпуса 1, Расплзви шееся вещесво 3 вдоль стенок корпуса 1 подни мается к крышке 8 и заполняет сФрдзовавв)ееся пространство эд плас) иной 5. 1 аботд радио: лементд 2 Г)рсдппхкзется до полного 50 проплзвле)11 я пл;,51 егОся ве)ест вд 3, Гоцссс охлаждения рддГОЭЛЕмЕн)З 2 идет очень интенсивно, поскольку у греющей повег)хОсти скззывдется Г)Остопно поджимаем)й слой еще нерасплавленного 55 ппд Л,егося вес),ествд 3. Рдлее...

Номер патента: 1709431

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Сорк, Тарс, Хыбемяги, Ярв

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...толщина ленты из-за этого не должна быть менее 0,04 - 0,05 мм. По результатам экспериментальных исследований устройства для охлаждения на базе керамики из окиси бериллия, изготовленного с применением молибденовых термокомпенсационных пластин толщиной 0,02-0,05- 0,10 мм и пленок на базе МОЯ 2 при циклическом испытании при смене температур -60, +120" С, -60,120"С и т.д имело место следующее, При толщине молибденовых пластин 0,02 мм растрескивались 85 из испытанных керамических пластин, соответственно электрическая прочность этих устройств составляла не более 1-2 кВ (требуется 12 кВ). При толщине молибденовых пластин 0,05 и 0,10 мм и с пленкой на базе МоЯр дефекты на керамике не обнаружены, электрическая прочность, устройства 20- 30. кВ,...

Номер патента: 1709432

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Вейцман, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00

Метки: модуль, силовой, установки, электропреобразовательной

...элементы помещены В цилиндрический кожух 7, внури которого междуохгадителями 2 установлены дистанционнье шайбц 8.Вентили 1 и охладители 2 стянуты с усилйем 15 - 20 кН при помощи прижимногоприспособления, которое условно показанострелками 9 и 10. На концах кожуха 7 предусмотрены фланцы 11 и 12 для подключения модуля к воздушному каналупринудительного обдува, обеспечивающему воздушный поток 13,Все охладители 2 (фиг,2) имеюг идентичную конструкцию, пр 111 тем Дис 1, 4 кг 1 кДОГООхладителя 2 вцГ 10 лнен ш 1 амг 1 овкОЙ и содержит череду 1 ощиеся прорези 14 и Выс 1 упь 1 15, ориентированные по радиальнымнаправлениям, как показа 11 о на фиг, 1 видсверху),Более детально конструктивное исполнение диска 4 показано на разрезах (фиГ.Зи 4), На...

Номер патента: 1709566

Опубликовано: 30.01.1992

Автор: Макунин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: естественного, конвективного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

...нагрев обьема воздуха в вертикальной трубе 3 над радиатором 5 10 15 20 25 30 35 1 электронагревательным элементом 4 позволяет увеличить скорость движения и расход конвектируемого воздуха, что, в свою очередь, обеспечивает большую интенсивность обтекания наружным, более холодным, воздухом поверхности радиатора 1,Таким образом, эффект охлаждения полупроводникового прибора 2 усиливается без увеличения высоты сквозной трубы 3. Улучшение теплоотдачи радиатора 1 дает возможность уменьшить размеры и вес радиатора 1, При этом конструкция радиатора 1 должна быть такой, чтобы не препятствовать прохождению вертикального потока воздуха. Величина зазора между электронагревательным элементом 4, стенками сквозной трубы 3 и горизонтальной...

Номер патента: 1711274

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Вишневский, Семенюк

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...сечении эти выступы имеют форму полусферы или, например, усеченного конуса с углом при вершине Р= 60 с размерами, аналогичными Ч-образными выступам 14, и размещены равномерно по периферии с таким же смещением в противофазе в направлении потока.Выступы 14 и 15 выполнены высотой 0,3-0,6 Н, а вершины и сопряжения со стенками выполнены закругленными с радиусом кривизны в сечении, равным Р= 0,2-0,3 Я, что обеспечивает развитие поверхностей теплостока без увеличения гидравлического сопротивления в устройстве.Охлаждающая среда (воздух или жидкость) поступает в две сообщающиеся полости 12 и 13, где в зоне высокой плотности теплового потока (вблизи приборов 3) поочередно дросселируются поперечными Ч- образными выступами 14 в межреберных...

Номер патента: 1714724

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Вексин, Шестоперов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора, радиатор, силового

...прибора образована торцевыми поверхностями соединенных между собой концов пластин, при этом ребра 1 образованы свободными концами пла-стин основания, которые расположены на одинаковом расстоянии один относительно другого. 2 ил,концами, а опорная площадка для полупроводникового прибора образована торцевыми поверхностями соединенных между собой концов пластин, причем ребра образованы свободными концами пластин основания, расположенными на одинаковом расстоянии один относительно другого,Авторы считают, что заявленное техническое решение соответствует критерию "существенные отличия", т.к. технические решения, имеющие признаки, сходные с признаками,. отличающими заявленное решение от прототипа, им неизвестны.На фиг,1 изображен общий,вид...

Номер патента: 1721865

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Детинов, Зусмановский

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, электрорадиоизделий

...более 180".На фиг,1 представлено устройство, общий вид, разрез; на фиг,2 - вид А на фиг.1; на фиг.3 - вид Б на фиг.1.Устройство для охлаждения электрорадиоизделий содержит радиатор 1 с двухсторонним оребрением, например, в виде штырей, и сквозными отверстиями 2 в его основании. Радиатор 1 размещен в камере 3 и делит ее на две одинаковые полости не показаны),На одном конце камеры 3 со стороны подачи охлаждающего газа установлена торцовая стенка 4 с двумя симметричными относительно основания радиатора 1 сквозными отверстиями 5, выполненными в виде симметричных частей кругового кольца, ограниченных радиусами, с центральным углом а 1 . На торцовой стенке 4 с внешней ее стороны установлен диск 6 с возможностью вращения в плоскости,...

Номер патента: 1723683

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Сконечный, Спокойный, Трофимов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: интегральной, охлаждения, схемы

...ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ(57) Изобретение относится к радиоэлектронной аппаратуре, в частности к устройствам охлаждения интегральных схем, Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения - достигается тем, что в устройстве, включающем радиатор с тупиковыми полостями между его ребрами, тупиковые полости выполняются глубиной, не превышающей расстояния между ребрами радиатора. 4 ил,этого из сопл воздуховода происходит истечение струй воздуха в тупиковые полости ребристого радиатора, что обеспечивает отвод тепла, которое поступает к радиатору от интегральной схемы.В устройстве радиатор изготавливается из алюминиевых сплавов литьем под давлением или из проката соответствующего профиля. Воздуховод с соплами может быть изготовлен из жести...

Номер патента: 1725294

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Проценко, Розе, Сергеев

МПК: H01L 23/34

Метки: интегральная, корпусе, матричном, микросхема

...в центреподложки, полупроводниковый кристалл,соединения его со схемой межсоединений и слой отвержденного герметика.Однако в указанных схемах не предусмотрена возможность получения корпуса интегральной микросхемы в од 40ном пакете совместно с теплоотводом,площадь внешней части которого выбрана равной площади монтажных слоев,На фиг.1 представлены составныечасти пакета; на фиг, 2 - интеграль 4ная микросхема в матричном корпусе всборе, разрез,Интегральная микросхема содержитплоский теплоотвод 1 (фиг.1) иэ ме 50 таллицеского, например медного илиалюминиевого, листа с матричной сеткой отверстий 2, диаметр которыхвыбран превышаюшимдиаметр металлизированных отверстий. 3 (фиг,2) под55штырьковые выводы 4, монтажные слои5 фиг.1) с рисунком...

Номер патента: 1725295

Опубликовано: 07.04.1992

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/34

Метки: испарительным, модуль, охлаждением, полупроводниковый, силовой

...модуль. Силовые полупроводниковые приборы 1 таблеточного типа расположенымежду автономными параллельно расположенными отсеками 2, которые спомощью верхних компенсаторов 3 продольного расширения соединены с основной герметичной емкостью 4, а спомощью дополнительных нижних компенсаторов 5 продольного расширенияс дополнительной емкостью 6, внутрикоторой расположен дополнительныйтеплообменник 7, Сверху над основной герметичной емкостью 4 расположеннаклонный конденсатор.8, входом соединенный с этой емкостью паропроводом 9, а выходом - с входом дополнительной емкости 6 конденсатопрово;дом 10 с образованием замкнутойсистемы циркуляции теплоносителя.Конденсатопровод 10 присоединен кдополнительной емкости 6 киже автономных отсеков 2....