H01L 23/34 — приспособления для охлаждения, нагревания, вентиляции или температурной компенсации
Радиатор для полупроводниковых приборов цилиндрической формы
Номер патента: 1129674
Опубликовано: 15.12.1984
Авторы: Курманов, Тихонов, Яценко
МПК: H01L 23/34
Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической
...цель достигается тем, что в известном радиаторе для полупроводниковых приборов цилиндрической формы, содержащем обжимное кольт цо с радиальными лепестками, по периметру обжимного кольца выполнены цилиндрические посадочные гнезда в которых с возможностью фиксаций установлены радиальные лепестки.На фиг. 1 изображен предлагаемый радиатор в сборе с радиальными лепестками; на фиг. 2 - радиальный лепесток.Обжимное кольцо 1 выполнено иэ металлической ленты иэ медного29674 Ъ 5 10 15 202530354045 сплава с упругими свойствами в виде обжимного кольца с цилиндрическими гнездами 2, в которые вставляется необходимое количество радиальных цельнометаллических лепестков 3 с увеличенной площадью теплорассеивання, пределы упругости...
Устройство для крепления полупроводникового прибора
Номер патента: 1167675
Опубликовано: 15.07.1985
Автор: Домбровский
МПК: H01L 23/34, H01L 23/48, H05K 7/20 ...
Метки: крепления, полупроводникового, прибора
...этом привод узла захвата полупроводникового прибора выполнен в виде зигзагообразной пластины, жестко соединенной одним концом с концом винтовой цилиндрической пружины растяжения, а другим - с втулкой и изготовленной из материала, обладающего термомеханической памятью редукции формы, причем из такого же материала может быть выполнена и винтовая цилиндрическая пружина растяжения, спиральные пазы втулки в этом случае должны быть выполнены с углом подъема равным 90. На фиг. 1 изображено устройство для крепления полупроводникового прибора, общий вид; на фиг. 2 - то же, сечение А - А на фиг. 1; на фиг. 3 - узел захвата с приводом при рабочем положении последнего.Устройство содержит теплопроводное основание 1 с нагревательным элементом 2...
Охладитель для силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1226693
Опубликовано: 23.04.1986
Авторы: Тарс, Узарс, Феоктистов, Чаусов
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового
...снабжен металлическимитрубками, а в боковых поверхностяхребер, обращенных одна к другой, выполнены симметричные цилиндрическиевыемки, в которых установлены металлические трубки с обеспечением плотного контакта со смежными ребрами.На чертеже изображен охладительдля силового полупроводникового прибора.Корпус 1 охладителя имеет площадку 2 для крепления полупроводникового прибора 3 и ребра 4, в которых выполнены выемки 5 с плотно установленными в них трубками 6 из металла,причем длина трубок 6 соответствуетдлине охладителя.Устройство работает следующимобразом.Тепло, выделяющееся в силовомполупроводниковом приборе 3, передается через площадку 2 к ребрам 4,поверхности которых охлаждаются потоком воздуха, продуваемым в...
Охладитель для силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1229982
Опубликовано: 07.05.1986
Авторы: Иоспа, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового
...на ней гофрированными вставками; на фиг. 4 - пластина с гофрированными вставками визометрин, общий вид.Охладитель (фиг. 1) содержит корпус 1 с площадкой 2 для крепления силового полупроводникового прибора 3 и с плоскими ребрами 4. Корпус 1 и ребра 4 изготавливаются как единое целое в виде стандартного прокатного профиля из алюминиевого сплава. Торцы плоских ребер 4 профрезеровани и к ннм прикрепляется плоская пластина 5. На пластине 5 закреплены . гофрированные вставки 6, каждая из. которых ориентирована по оси межребериого канала 7. Крепление гофрированных вставок б к пластине 5 осуществляется с помощью сварки или пайки.Конструкция пластины 5 показана на фиг. 3. Эта пластина имеет гофрированные вставки 6, причем их глу" бина Ь...
Устройство для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 1239768
Опубликовано: 23.06.1986
Авторы: Кагерманьян, Щелохов
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, радиоэлементов
...стенке 4 которой симметрично основанию радиатора 1 выполнены два отверстия 5, На торцовойстенке 4 с внешней ее стороны перпендикулярно основанию радиатора 1 свозможностью вращения установлендиск б с отверстиями 7. Отверстия 7диска б равномерно расположены поокружности, радиус которой равен расстоянию от продольной оси симметрии.радиатора 1 до оси отверстий 5 в торцовой стенке 4. На основание радиатора 1 крепится радиоэлемент.8. Количество отверстий в диске должно бытьнечетным, т.е. определяется отношением 2 и +1 где- натуральный рядчиселУстройство работает следующим образом.В момент времени, когда при вращениидиска 6 одно из его отверстий 7 совпадает с верхним отверстием 5 в торцовой стенке 4 камеры 3, принудительно нагнетаемый...
Устройство для жидкостного охлаждения элементов радиоаппаратуры
Номер патента: 1241307
Опубликовано: 30.06.1986
Авторы: Плис, Спиридонова
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: жидкостного, охлаждения, радиоаппаратуры, элементов
...1 и 2. Через 1 рубопровод 1 осуществляется подвод хладагента, через трубопровод 2 - его отвод., В стенках трубопроводов имеются отверстия 3, соединяющне трубопровод с внутренней полостью сильфона 4, Через эти отверстия сильфоны заполняются хлад- агентом,под давлением, в результате чего гофры сильфонов раздвигаются, а контактные поверхности плотно прижимаются к основанию печатных плат 5, осуществляя плотный контакт торцов металлических сильфонов, заполненных хладагентом, и теплотоков - металлических основЖий печатных плат.При отключении подачи хладагента гофры сильфонов сжимаются, обеспечнвая возможность отстыковки печатныхплат.Предложенное устройство удобнов эксплуатации, плотный контакт ох лаждаемых элементов с...
Устройство для охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1243164
Опубликовано: 07.07.1986
Авторы: Безуглый, Беляев, Бондарь, Данчул, Иващенко, Пахолок
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной
...контакт с нижней поверхностью радиатора 3. Один из основных каналов делается впускным, остальные выпускными, На каждом из радиаторов 3 на внешней по;верхности установлены пластины 7 из материала, обладающего эффектом "памяти Формы". Одчн конец каждой из пластин жесткозакреплен на радиаторе, а другой посредством системы рычагов 8 соединен с подвижной заслоной 9, Последняя установлена в отводном канале 6 таким образом, что ее ось вращения перпендикулярна продольной оси канала 6.При оптимальной рабочей темпера. туре радиоэлектронной схемы устройство работает следующим образом.Температурный интервал превращения пластины 7 из материала с эффектом "памяти Формы" подбирается такимВ интервале температур от оптимальной рабочей до критической...
Охлаждающее устройство для полупроводникового прибора
Номер патента: 1247972
Опубликовано: 30.07.1986
Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Пузаков, Пушкарев
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждающее, полупроводникового, прибора
...канала. 1 О 15 а сами перегородки находятся друг от друга на равных расстояниях. Число перегородок 6 рекомендуется равным пяти для таблеточных полупровод-никовых приборов. На фиг, 1 и 2 показано охлаждающее устройство для полупроводникового прибора таблеточного исполне ния; на фиг.3 - разрез А-А на фиг.1; .на фиг.4 - устройство для прибора штыревого исполнения.Охлаждающее устройство для полупроводникового прибора (фиг.1) со- ,30 держит корпус 1 с Ч -образным каналом 2 для прохода охлаждающей жидкости, подводящий и отводящий штуцеры 3 и 4, крьппку-токоотвод 5, радиальные перегородки 6, выполненные поперек кана- З 5 ла 2. К охлаждающему устройству прижат силой Р полупроводниковый прибор 7. Относительная высота Ь радиальных перегородок...
Радиоэлектронный блок
Номер патента: 1256251
Опубликовано: 07.09.1986
Автор: Федоров
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: блок, радиоэлектронный
...на фиг. 4 -пример конкретного выполнения ребер;на фиг. 5 - распределение потоковмежду платой с тепловыделяющими радиоэлементами и охлаждаемой стенкой.Повторяющийся элемент радиоэлектронного блока содержит плату 1 степловьщеляющими радиоэлементами 2.На радиоэлементах 2 установлены ребра 3, выполненные ячеистой формы.Между платами 1 с зазором 4 поочередно расположены охлаждаемые стенки 5со своими ребрами 6, выполненными 1 О 20 125625Изобретейие относится к радиоэлектронике, в частности к радиоэлектронным блокам быстродействующих вычислительных систем, характеризующихся высокой плотностью монтажа тепловы 1 1ячеистой формы. Стенка 5 охлаждается теплоносителем, подводимым по трубопроводу 7.С ребер 3 радиоэлементов 2 тепло снимается...
Корпус для радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1257866
Опубликовано: 15.09.1986
Автор: Салмин
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: аппаратуры, корпус, радиоэлектронной
...оребренную поверхность основной оболочки в окружающую среду с ми 50 55 среду,Подача в пространство между оболочками охлажденного за счет декомпрессии при истечении из сопел сжатого газа, а также истечение газа иэ указанного пространства через зазоры между жалюзи позволяет снизить до минимума тепловой поток от окружающей среды с повышенной темнимальным температурным перепадом,обеспечивая повьппенную надежностьразмещаемой аппаратуры.При повышении температуры окру жающей среды корпус нагревается, воздействуя на датчики 5 температурыокружающей среды - легкоплавкое вещество, которое, расплавляясь, освобождает жалюзи 2 дополнительной оболочки. Исполнительный элемент 6 поворачивает жалюзи 2 до их закрытия и открывает клапан 9....
Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1261029
Опубликовано: 30.09.1986
Авторы: Бабенко, Богданов, Васильев, Киселев, Рабецкий
МПК: H01L 23/34
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых
...17, а в горизонтальной - перегородкой 18 в виде полукольца.В перегородке 8 испарителя 1 могут быть выполнены отверстия 19 для крепления полупроводниковых приборов 20. Устройство заполнено рабочей жидкостью 21. При работе полупроводникового прибора тепло по перегородке 8 испарителя 1 передается к поверхности каналов 11, где кипит рабочая жидкость 21. Для интенсификации процесса кипения поверхность каналов 11 покрывается капиллярно-пористым покрытием 12. Образовавшиеся при кипении в каналах 11 пары рабочей жидкости по полости 9 и через патрубок 13 перемещаются по внутренней трубе 15 и трубе 4 в зазор 6 конденсатора, где происходит их конденсация. Движение паров жидкости с высокой скоростью в направлении резервуара 7обеспечивает...
Способ охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1262597
Опубликовано: 07.10.1986
Авторы: Буянов, Капралов, Киселев
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной
...предлагаемый способ.Система охлаждения содержит силовые полупроводниковые приборы 1 с жидкостными охладителями 2, сжатыми с помощью прижимного устройства 3, подающее воздух сопло 4, установленное в жидкостном трубопроводе 5, отделитель 6 воздуха с воздушным клапаном 7. Охлаждение силовых полупроводниковых приборов 1 обеспечивается за счет того, что подают в жидкостные охладители 2 охлаждающую техническую воду, а в нее через сопло 4 подают сжатый воздух. При этом объемный расход воздуха составляет 0,3-0,7 отобъемного расхода охлаждающей воды, а давление воздуха может резко колебаться (пульсировать). В результате смешивания образуется водовоздушная смесь, протекающая через жидкостные охладители 2, отводящая тепло, выделяющееся...
Радиоэлектронный блок
Номер патента: 1274166
Опубликовано: 30.11.1986
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: блок, радиоэлектронный
...3перпендикулярна ребрам 8 соответствующего радиатора 5 и равна его ширинеВ. Прилегающая к стороне Ь сторона1; выполнена не менее высоты. Ь ребер8 и не более их длины Ь. Шриховымилиниями условно показан воздуховоддля подвода воздуха к радиоэлектронному блоку. Стрелками показано направление движения охлаждающего воздуРадиоэлектронный блок работаетслецующим образом.Охлаждающий воздух подводится квходным отверстиям 3 стенки 4 и далее к радиаторам 5 перпендикулярноих основаниям 6.В пространстве между ребрами 8радиаторов 5 каждый из воздушныхпотоков разделяется на два, претерпевая поворот на 90". Турбулизованные за счет поворота потоки воздуха движутся вдоль ребер 8 от середины кпротивоположным сторонам радиаторов5, осуществляя их...
Блок полупроводниковых приборов
Номер патента: 1305901
Опубликовано: 23.04.1987
Авторы: Бабайлов, Котляревская, Кубышкин, Курский, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: блок, полупроводниковых, приборов
...охлаждаемого полупроводникового прибора 9.При сборке охлаждаемых силовых полупроводниковых приборов таблеточного типа в столбы плоскопараллельные стенки корпуса испарителя своими установочными площадками 1 и 2 соприкасаются с основаниями этих приборов 9, и в процессе стягивания их, например, стяжными винтами 10 каждая из указанных пар испытывает прижимные усилия. Внутри каждого испарителя происходит самоустановка шаровой опоры в положение, которое она занимает в непосредственной зависимости от степени взаимной непараллельности каждой пары контактирующих поверхнос 1305901тей. Возможность такой самоустановки обеспечивается наличием по меньшей мере одного на испаритель гибкого элемента 5, позволяющего изменять положение установочных...
Полупроводниковый реверсивный преобразователь с системой естественного воздушного охлаждения
Номер патента: 1352556
Опубликовано: 15.11.1987
Авторы: Колесник, Котляр, Однорог, Плющ, Федько
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: воздушного, естественного, охлаждения, полупроводниковый, реверсивный, системой
...одинаковой высоты и размещены с одинаковым шагом, при этом групповые охладители, установленные между собой на расстоянии, которое определяется из соотношенияК = 1,75 С + Бш,где К - расстояние между групповымиохладителями, м;С - расстояние между торцовой поверхностью 11 каждого группового охладителя и одной соответствующей стенкой 12 шкафа1 фБ - ширина конструктивных элементов, м;ш - количество предохранителей,б,Расстояние между торцовой поверхностью каждого группового охладителяи одной из соответствующих стенок 12шкафа 1 определяется из соотношенияС = 0,5 В, м,где В - расстояние между вершинамиребер 9 каждого групповогоохладителя и другой соответствующей стенкой 2 шкафа 1,м.Расстояние между вершинами ребер9 каждого группового...
Силовой блок тиристорного пускателя
Номер патента: 1356044
Опубликовано: 30.11.1987
Автор: Богданов
МПК: H01L 23/34
Метки: блок, пускателя, силовой, тиристорного
...тиристорного пускателя содержит два постоянно работающих тиристора 1 и 2 и восемь участвующих в реверсе тиристоров 3-10. Тиристоры 1 и 2 снабжены каждый своим охладителем (не показаны). Тиристоры 3-10 установлены на четырех охладителях 11-14 следующим образом: тиристоры 3 и 4 прямого включения и тиристоры 7 и 8 обратного включения установлены попарно-разноименными электродами на охладителе 11; противоположными электродами тиристоры 3,4, 7 и 8 установлены на средних изолированных друг от друга охладителях (тиристоры 3 и 4 на охладителе 12, а тиристоры 7 и 8 - на охлади- теле 13). С другой стороны охладителей 12 и 13 закреплены: на охлади- теле 12 - тиристоры 5 и 6 прямого включения, на охладителе 13 - тиристоры 9 и 10 обратного...
Шкаф для охлаждения блоков радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1412020
Опубликовано: 23.07.1988
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: аппаратуры, блоков, охлаждения, радиоэлектронной, шкаф
...образованным боковыми поверхностями блоков, установленных на этажах 14, а часть воздуха поступает взазоры между поверхностями внутренних стенок 12 и боковыми поверхно"стями блоков, непосредственно примыкающими к стенкам 12,Пройдя через нагретую зону шкафа (зтажи 14), воздух, имеющий неко 12020 щей более высокую температуру (например, 60-70 С), через стенки 3, введено теплоизолирующее покрытие 25; одновременно уменьшаются на 5-8 дБ шумовые помехи от шкафа.40Проходные сечения воздуховодныхканалов 18 достаточно велики. Поэтому гидравлические сопротивления каналов 18 относительно малы (по сравнению с сопротивлениями воздушных ка налов обычных теплообменников) и составляют около 507 от суммарного гидравлического сопротивления всего...
Радиатор для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 1431083
Опубликовано: 15.10.1988
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов
...5 с мембранами 6, заполненныетеплопоглощающим рабочим веществом 7.В радиаторе на Фиг. 3; 4 показанооребрение в виде пустотелой спирали12, выполненной, например, из медной тонкостенной трубки. На виткахспирали 12 выполнены пазы 13, вскрывающие полость спирали, Витки спирали12 припаяны или приварены к корпусу 1.В радиаторе на фиг. 5 вместо опорногосильфона 5 установлены малогабаритныесильфоны (штыри) 5 с мембраной б ирабочим веществом 7. В радиаторе наФиг, 6, 7 витки спирали 12 размещеныв пазах 14 корпусаНа фиг, 3, 5 элементы 8-11 условно не показаныУстройство работает следующимобразом.При включении радиоэлемента 3температура контактируемого с нимкорпуса 1 растет, а тепло отводится нокружающую среду через поверхностькорпуса 1 и его...
Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1444975
Опубликовано: 15.12.1988
Авторы: Красуцкий, Рудюк, Свистунов
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор
...ности со скосами клинообразных сухариков 0. На внутренней поверхности дна 3 стакана основания 1 размещена установочная площадка 14 для приборов 15, 45 Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов работает следующим образом,Предварительно, исходя из требуемой мощности рассеивания тепловыхпотерь в полупроводниковом приборе15, набирают нужное количество гибких проволок 3. Они устанавливаютсямежду цилиндрами 4 и.5 со стороныпродольных клинообразных выступов 9,после чего устанавливают клинообразные сухарики 10, а затем распорнуюконическую гайку 12.: При закручивании гайки 12 сухарики 10 раздвигаются и прижимают проволоки .3 к внутренней поверхности 8 внешнего цилиндра 5, при этом выступы 9 способствуют лучшему уплотнению проволок 3,...
Полупроводниковый модуль силовой электропреобразовательной установки
Номер патента: 1457018
Опубликовано: 07.02.1989
Авторы: Лаужа, Никифоров, Скольцов, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Чуверин
МПК: H01L 23/34, H01L 25/00
Метки: модуль, полупроводниковый, силовой, установки, электропреобразовательной
...в пластмассовый кожух 11 прямоугольного сечения, продольная ось 12 кожуха образует острый угол ОС с осью вентильного комплекта. 30 С торцов кожух закрыт крышками 13 с воздуховодами 14, в крышках 13 предусмотрены "отверстия 15, в которые пропущены прижимные элементы 8.Модуль работает следующим образом. 35Вентили 1 сжаты вместе с охладителями 3 прижимным элементом 8 с усилием 8-18 кН. Вентили 1 включены в цепь силового тока 1 при помощи токо- отводов 9. Выделяющееся в вентилях тепло через диски 4 передается листам 5 и с их поверхностей - воздушному потоку.Продувкавоздуха через модуль осуществляется принудительно вентиля тором. Входящий воздушный поток 16 поступает через нижний воздуховод 14 и затем равномерно распределяется по...
Блок силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1471327
Опубликовано: 07.04.1989
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: блок, полупроводниковых, приборов, силовых
...вид.Блок силовых полупроводниковых приборов содержит теплоотвод 1 с прижатыми к нему с двух противополож ных сторон А и Б силовыми полупроводниковыми приборами 2 и 3 и уста-, новленными на них центрирующими механизмами 4 и 5, рессоры 6 и 7, передающие на силовые полупроводниковые 20 приборы. 2 и 3, соответственно, усилие затяжки шпилек Я гайками 9. Центрирующпе механизмы 4 и 5 обеспечивают совпадение осей усилия с осями силовых полупроводниковых приборов 25 2 и 3 и изоляцг ю их от рессор 6 и 7.Предлагаемый блок крепления позволяет создать необходимое для нормальной работы силовых полупроводниковых приборов 2 и 3 определенное 30 усилие, величину которого можно контролировать по прогибу рессор 6 и 7. При работе силовых полупроводниковых...
Радиатор для охлаждения преимущественно полупроводниковых приборов
Номер патента: 1492493
Опубликовано: 07.07.1989
Авторы: Зейков, Зусмановский
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор
...в ниде по крайней мере одного отверстия цилиндрической формы, ориентированного перпендикулярно геометрической оси соответствующего теплоотводящего ребра 2. Сквозные изогнутые каналы теплоотводящих ребер 2 ориентированы одинаково относительно их геометрических осей, Выходные сечения 5 сквозных каналов расположены со стороны вершин теплоотводящих ребер 2 вих центральных зонах, д их выходныесечения 6 - со стороны основанийтеплоотводящих ребер 2 на их конических поверхностях 7, При этом отверстия цилиндрической формы частей 4сквозных каналов могут быть выполне1492493 6 формула изобретения 2. Радиатор по п.1, о т л и ч а ю 40 ш и й с я тем, что отверстия цилиндрической формы сквозных каналоввыполнены глухими и ориентированыоткрытыми...
Охладитель полупроводниковых приборов
Номер патента: 1506604
Опубликовано: 07.09.1989
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов
...обеспечения ее установки в коррус. Верхняя стенка 3 установлена свозможностью осевого перемещения.На нижней стенке корпуса закреплен 30полупроводниковый прибор, напримертиристор 5. Пружина 4 находится всжатом состоянии. Устройство, показанное иа фиг, 3, содержит цилиндрический корпус 1, заполненный теплоаккумулирующим веществом 2, котороеплотно прюкато перфорированной верхнейстенкой 3 к дну корпуса с помощью пружины 4, закрепленной в пазах гайки 6,имеющей отверстие 7. Гайка ввинчена 40в корпус.Охладитель работает следующим образом.После включения прибора корпус 1и теплоаккумулирующее вещество 2 разо.45греваются до температуры разложениявещества. При дальнейшем нагреве вещество начинает разлагаться с поглощением большого количества...
Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов таблеточного типа
Номер патента: 1536456
Опубликовано: 15.01.1990
Авторы: Анчевский, Бахнов, Конышев, Котляревская, Кубышкин, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман, Шелег
МПК: H01L 23/34
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых, таблеточного, типа
...концы испарителей. Конденсаторы тепловых труб 2 имеют поперечное оребрение 3. Оребрение 3 любой из тепловых труб 2 в силу их веерообразного расположения находится под различными углами к оребрению 3 всех других труб 2, а ребра каждых двух 40 соседних тепловых труб 2 у основания 1 частично перекрываются, т.е. входят в межреберные пространства их оребрения 3. По обе стороны веера конденсаторных частей тепловых труб 2 рас положены электроизоляционные пластины, которые образуют канал для прохода хладагента, омывающего конденсаторные части тепловых труб.При подготовке к работе устройства 0 оно прижимается монтажной поверхностью основания 1 к основанию силового полупрдводникового прибора таблеточного типа. В процессе работы этого прибора он...
Силовой полупроводниковый прибор
Номер патента: 1566421
Опубликовано: 23.05.1990
Авторы: Горячев, Майоров, Поляков, Школьник
МПК: H01L 23/34, H01L 23/36
Метки: полупроводниковый, прибор, силовой
...резерва.После отключения электропитания от кристалла 5 температура на нем снижается, теплоаккумулирующее вещество 8 остывает и сокращается в обьеме, Давление на плунжер 9 прекращается, и под действием пружины 12 подвижная плата 10 с контактными пластинами 11 возвращается в исходное положение, что обеспечивает дальнейшую работу силового полупроводникового прибора.В качестве теплоаккумулирующего вещества применяются легкоплавкие композиции, а также эвтектические сплавы, точка плавления которых выбирается из необходимых условий работы силового полупроводникового прибора.Замкнутая емкость камеры выбирается,так, чтобы в ней находилась часть нерасплавившегося теплоаккумулирующего вещества при нормальной длительной работе кристалла, Потребное...
Радиатор для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 1468400
Опубликовано: 07.08.1990
Автор: Ворошко
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов
...в окружающее пространство максимальноо количества тепла, которое тем ольше, чем больше разность темпераур пружины при разогреве и складыЗэ анин, Плотность примыканий пружинысложенном состоянии к боковым по"ерхностям ребра по периметру обеспечивается конусностью ребер и тем, 4 то в сжатом состоянии в ггки:пружииы не ложатся друг на друга, а имеют небольшой принудительный зазор, .например, величиной 0,3-0,5 мм. Иэго" Говленные таким образом пружины усГаиавливаются на ребра 2 радиатора, Пружины 3 к теплонзоляциоцной втулке 4 и втулка к основанию радиатора крепятся с использованием клея или компаунда 8.В Процессе работы иощцого транзистора Происходит разогрев радиа" тора. При 70 С пружины приобретают выпрямленную форму 9 (Фцг, 3), площадь их...
Способ охлаждения тепловыделяющих элементов электроаппаратуры и устройство для его осуществления
Номер патента: 1438533
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Карагезов, Малхасян, Мартиросян
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: охлаждения, тепловыделяющих, электроаппаратуры, элементов
...бухта 18, Трубка прижимается кштуцеру нанинчиванием накидной гайки19 с опорой, создавая при этом надежную Фиксацию узла.Регулятор расхода выполнен в нидеэлектромагнита с обмоткой 20 и,корпусом 21 и крышкой 22 магнита, регулирующими винтаин 23 и подвижным сердечником 24, который находится междурезиновым шариком 25, с одной стороны, и коаксиальным шлангом 26 с другой. Вознрат сердечника происходитза счет внутреннего давления н коаксиальных подводящих патрубках,Способ охлаждения элементов электроаппаратуры осущестнлягот следующимобразом.Хладагент подают иэ магистрали 1,пропускают по гибкому наружному патрубку 3 коаксиальных патрубков, приэтом с помощью регулятора расхода 6количество хладагента плавно меняготз14385 ЭЭ до получения...
Радиатор, преимущественно для полупроводниковых приборов
Номер патента: 1594724
Опубликовано: 23.09.1990
Автор: Васильев
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор
...фиг, 1 показан радиатор, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Радиатор выполнен в виде оребренного основания 1 с монтакной площадкой 2 для 10 охлаждаемых элементов 3, Основание 1 образовано двумя наборамиЦ-образных скоб 4, вложенных одна в другую и соединенных горизонтальными полками 5, Два набора У -образных скоб 4 соединены между собой 15 внешними поверхностями 6 горизонтальных полок, Монтакная площадка 2 размещена на торцовых поверхностях горизонтальных полок 5. Причем минимальная толщина наборами-образных скоб 4 рав на внешнему диаметру О охлаждаемого элемента 3, а максимальная больше б на толщину двух горизонтал ьн ых полок 1 Х-образных скоб 23. 25Радиатор работает следующим образом,При работе полупроводникового...
Радиатор для полупроводниковых приборов цилиндрической формы
Номер патента: 1594725
Опубликовано: 23.09.1990
Авторы: Бельницкий, Дудник, Соловьев
МПК: H01L 23/34, H05K 7/20
Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической
...радиатор, установленный на охлаждаемом приборе, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Радиатор содеркит разрезное обжимное кольцо 1 со сквозным разрезом 2 рас-. ширяющимся в сторону внешнего периметра кольца 1, сквозными цилиндрическими торцовыми отверстиями 3 по внешнему периметру со сквознымипрорезями 4 в стооону внутренней поверхности кольца 1 и сквозными торцовыми отверстиями 5 па внутреннему периметру со сквозными прорезями б в сторону внешней поверхности кольца 1, Сквозные прорези б расположены по осям симметрии соответствующих сквозных торцовых отверстий 5, Сквозные торцовые отверстия 5 выполнены в виде нескольких цилиндрических отверстий 7 и 8, частично перекрывающих друг друга (на фиг, 1 показан вариант выполнения в...
Способ термической обработки полупроводниковых и диэлектрических подложек
Номер патента: 1605289
Опубликовано: 07.11.1990
Авторы: Беневоленский, Кубрин, Лисов, Тянгинский
МПК: H01L 23/34
Метки: диэлектрических, подложек, полупроводниковых, термической
...зону ее контакта спринудительно охлаждаемым подложкодержателем. Для этого во время обработки подложки, когда она изгибаетсяпод действием на нее теплового потока,с помощью интерферрометрического контроля измеряют прогиб подложки, находят область ее максимального прогиЬа и изгибают подложкодержатель таким,оЬразом, чтобы ликвидировать этот зазор. 25На подложкодержатель 1 помещают. подложку 2 (фиг.2), во время воздействия на нее теплового потока освещают подложку когерентным монохроматическим излучением, в качестве источника которого используют лазер 3.Луц лазера сканирует по всей подложке и по интерференции в зазоре междуподложкой и подложкодержателем определяют .оЬласть максимального прогиба,интерференция регистрируется с помо-щью...