G03F 1/00 — Оригиналы для фотомеханического получения текстурированных или фигурных поверхностей, например масок, фотомасок, сеток; бланки фотомасок или пленки для них; контейнеры, специально предназначенные для них; их изготовление

Номер патента: 1075229

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Кузьмин, Логинов, Шагисултанова, Яковлев

МПК: G03F 1/00

Метки: маскирующем, проколов, слое, устранения, фотошаблона

...теряют способность растворяться в органических растворителях. Частицы, платины и палладия, распредЕлены в Тх(ОН), являются катализаторами осаждения меди и никеля иэ растворов физических проявителей, что позволяет усиливать первоначальную оптическую плотность покрытий до Р 1 2. Пленка гидроокиси титана используется как адгеэия, обеспечивающая прочное 65 сцепление получаемых покрытий к йо-,верхности базового материала и их износоустойчивость. После операции экспонирования образец обрабатывают, толуолом для удаления необлученного Фотослоя. На заключительной стадии в растворе медного или никелевогофизического проявителя усиливают изображение до требуемой оптической плотности, В качестве источника све,та используют лазер, или ртутно-...

Номер патента: 1306402

Опубликовано: 07.06.1991

Авторы: Грибов, Мазин, Родионов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: заготовки, регенерации, фотошаблона

...и сушки. Контроль качества фоташаблона проводится с помощью Оптического микроскопа при увеличенич от 200 до 500 крат. П р и и е р 2. Пришедшие в негодность в результате эксплуатации фото".шаблоны (появление недопустимого количества проколов) с маскиру 1 ощим слоем хрома после операции снятия маскирующего слоя и выдержки в окислитель.:ной среде дополнительно выдерживаютв щелочной среде раствор едко:":с иатра ИаОН в воде с РН 11 и 11,5 ед. инебольшой добавкой поверхностно:активного вещества) в течение 4 м:при температуре раствора 50 и о 5"СсОответственно, Затем поДложки ИОДвергают финишной полировке и изготавливают фотошаблоны,П р и м е р 3. Забракованные .поневытравливаемым точкам фотошаблоцы и фатошаблонные заготовки, забракованные па...

Номер патента: 1549366

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Лантратова, Любин, Таксами

МПК: G03F 1/00

Метки: фотошаблона

...травиться в том же травителе, что и верхний слой, а именно в моноэтаноламине.Подобное обстоятельство приводит кпоявлению вуали и снижению контрастности полученного изображения.,35При толщине первого слоя меньше300 А нарушается сплошность слоя, чтовызывает рост дефектов нри нанесении .второго светочувствительного слоя.При увфпичении толШИны перво О слоя 40более 600 А происходит уменьшениесветопропускания проявленной подложки и появление вуали иэ-за невозможности полного удалензщ слоя, т,е.снижается контрастность полученного , 45иэображения.П р и м е р. Фотошаблон, состоящийиэ двухслойного маскирующеГО и фото."реэистивного покрытия из ХСП, изготавливйот следующим образом. 50Иатериалы маскирующего покрытия,а именно сульфнд германия и...

Номер патента: 1547556

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Белых, Малахов

МПК: G03F 1/00

Метки: контактной, фотолитографии, фотошаблон

...в слое фото- ф,резиста, В современной технологии фотолитографии, как правилй, используются уфоторезистивные пленки толщиной 0,4 - 1,0 умкм, Таким образом, для достижения минимального размера необходимо, чтобы фо- фкальные плоскости собирающих оптическихлинз лежали на расстоянии, не превышающем 0,4 мхм от рабочей поверхности фото- ашаблона,Фотошаблон согласно изобретению состоит из рельефной стеклянной подложки срасположенным на выступах маскирующимслоем. Впадины рельефа выполнены в соответствии с элементами топологии с вогнутыми основаниями, Эти элементы топологиипредставляют собой области в стеклянной1547556 Составитель О. ПавловаРедактор Т, Лошкарева Техред М, Моргентал Корректор Н, Гунько Заказ 562 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1353142

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Семенова, Сульжиц

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: рисунка, шаблона

...получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на...

Номер патента: 1308111

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...и диапазоне 0,41-0,54 нм (Ац .дМО л Г),),или ультрафиолетом сдлиной волны 180-470 нм через фотошаблон, или. на Оптикомеханическом генераторе иэображений с поглощаемой дозой; достаточной для фотохимической диффузии сеРабРз в слой АвхЯе -х Обычно ДО 1 Дж/см,После этого удаляют слой серебра с неэкспонировзнных участков путем Обработки структуры в растворителе сере)ра, удобнее всего в 20-3)%-ном растворе НКО; Проявление экспонированных участков до полного удапения неэкспонированных участков слоя АэхЯеьх проводят путем Формула иэобоетенил СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ЭОТОШАБЛОНА, вкпочающий последовательное нзнесанис на проэрзчнио подлож ку слоя полиимидз неорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГениднОГО стаклоОб)ззного полупроводника,и слОЯ...

Номер патента: 1314881

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Берлин, Красножон, Чернышов

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: рисунка, фотошаблона

...130 С в течение 30 мин и экспонирование рисунка топологии на установке ЭМ, После проявления рисунка в 0,5(-ном растворе КОН и эадубливании его при температуре 140 С в течение 1 О мин проводят травление пленки 3 алюминия в травителе состава НЗРОп; НМОэ: СНэСООН : Н 20 = 140:6:30:5. Затем осуществляют реактивно-ионное травление слоя 2 сополимера поли глицидил мета крилата с этилэкрилатом в кислороде на установке УВПпри давлении 2,6 Па на установке вакуумного напыления УРМЗ,279,040 электронно-лучевым и термическим испарением, одновременно напыляют покрытие 5 (слой кермета на основе двуокиси кремния с содержанием никеля от 1 до 10 ат.1 ь). Затем полученную структуру обрабатывают в 10-ном растворе КОН до удаления слоев алюминия и...

Номер патента: 1026564

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Довжик, Зубрицкий, Коган, Коломиец, Котлецов, Лантратова, Любин, Шило

МПК: G03F 1/00

Метки: фотошаблон

1. Фотошаблон, содержащий подложку с двухслойным маскирующим покрытием на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников, прилегающий к подложке нижний слой которого выполнен из материала системы As - Se, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности и износостойкости конструкции материал нижнего слоя имеет полимеризованную структуру, а верхний слой выполнен из материала AsI-xSex, где 0,45 x 0,55 с деполимеризованной структурой, причем толщина нижнего слоя удовлетворяет условию 0,05 h

Номер патента: 1083809

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гетманский, Гунина, Лобов, Милюкова, Пимкина, Поярков

МПК: G03C 5/00, G03F 1/00

Метки: изображения, методом, обращения, проявления, составы, чернения

1. Способ получения изображения методом обращения на эмульсионной подложке, включающий формирование скрытого изображения, его проявление, отбеливание, осветление и чернение, промывку подложки после каждой операции в дистиллированной или деионизованной воде и финишную сушку, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, чернение проявленного изображения проводят в течение 3 5 мин, а промывку подложки после чернения осуществляют в 0,2 0,3%-ном растворе алкилбензилдиметиламмоний хлорида в дистиллированной или деионизованной воде.2. Состав для проявления скрытого изображения, включающий в себя сульфит натрия, метол, гидрохинон, калий бромистый, роданистый калий, ускоряющее и буферное вещества и дистиллированную...

Номер патента: 1577555

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Николенков, Сутырин, Хриткин

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26, H01L 21/312 ...

Метки: хромовых, шаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2) мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют...

Номер патента: 1501756

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Бунин, Курмачев, Мякиненков, Николенков, Павлова

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26

Метки: фотошаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ, включающий нанесение на подложку металлического маскирующего слоя, нанесение слоя электронорезиста на основе полиметилметакрилата, его сушку, экспонирование, проявление, термическое задубливание и селективное травление маскирующего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения адгезии электронорезиста к металлическому маскирующему слою, перед травлением проводят обработку подложки в СВЧ-поле с удельной мощностью 0,2 - 0,8 Вт/см2 в течение 10 - 60 с.

Номер патента: 1331369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Земсков, Игуменов, Чесноков

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: локального, нанесения, подложку, покрытия

1. Способ локального нанесения покрытия на подложку, включающий осаждение покрытия из парогазовой фазы металлоорганического соединения под действием лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия и производительности процесса, осаждение покрытия осуществляют при общем давлении, равном атмосферному, а облучение осуществляют последовательностью импульсов излучения наносекундного диапазона длительностей и мощностью в импульсе 107 109 Вт/см2, причем в процессе облучения проводят периодическое отклонение луча с частотой, меньшей частоты следования импульсов или некратной ей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве металлоорганических соединений используют летучие...

Номер патента: 1176735

Опубликовано: 10.08.1999

Авторы: Кузовкин, Тудоси, Халугин

МПК: B41M 3/02, G03F 1/00

Метки: издательского, карты, оригинала

1. Способ изготовления издательского оригинала карты, заключающийся в том, что переносят изображение с составительского оригинала на гравировальную основу, производят ручное гравирование на ней соответствующего элемента содержания карты с последующим контактным копированием гравюры на малодеформирующуюся пленку с помощью актиничного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготовления, перенос изображения осуществляется факсимильным гравированием на глубину, составляющую 20 - 30% от толщины непрозрачного для актиничного излучения слоя гравировальной основы, с последующим механическим гравированием соответствующего элемента содержания карты по образовавшимся...