G01T 1/24 — с помощью полупроводниковых детекторов

Номер патента: 1156483

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Протасов, Татаринов, Хрунов

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора

...0,510 А/см , дополгнительно облучают алмаз импульсным ультрафиолетовым излучением, регистрируют кинетику затухания фото- проводимости алмаза и определяют время жизни неравновесных носителей заряда, отбирают алмазы с постоянной времени жизни не менее 10 с.-ВСпособ осуществляют следующим образом.Исходный камень алмаза с временными контактами помещают в электрическое поле и облучают рентгеновским излучением. После выключения излучения и снятия электрического поля контакты эакорачивают на входное сопротивление злектромера. После затухания переходных токов производят нагревание с постоянной скоростью и одновременно измеряют величину тока. Фиксируют значение тока в температурных интервалах 400-440 и 460- 500 К. Максимальное значение...

Номер патента: 991836

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора

...деполяризации (ТСД). Для этого на исходный камень алмаза наносят электроды, такие же как в известных способах, например из аквадага. Затем алмаз облучают ионизирующим излучением в электрическом поле, а после прекращения облучения и отключения электрического поля образец нагревают и измеряют ток деполяризации, регистрируя зависимость тока от температуры, например, на самописце. Затем выделяют области, связанные с 10 центрами захвата, ответственными за. поляризацию, и оценивают их интенсивность. В связи с тем, что точное определение концентрации требует знания целого ряда параметров алма за, задавать пороговое значение в единицах концентрации затруднительно. Для работы более корректно указать высоту пиков ТСД, определенную при...

Номер патента: 1032951

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Баублис, Мартюшов, Морозов, Самсонов

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

...в любой точке не превышает 10 (Тр ( 1 О ), причем детектор снабжен деформирующимприспособлением и закреплен в немтой частью, на которой отсутствуетобласть р - и-перехода поверхностнобарьерной структуры.Предлагаемое изобретение основанона неочевидном и неизвестном ранеефакте, заключающемся в том, что если кривизна кристалла при деформации Т/103,то поверхностно-барьерная структура, нанесенная на такой кристалл, остается работоспособной, Необходимость соблюдения такого условия быпа определена и доказана опытным путем. Условием, также обеспечивающим работоспособность детектора, является определенное закреп-.ление его в деформирующем приспособленин, а именно вне области р - и-перехода поверхностно-барьерной структуры (отсутствие...

Номер патента: 1281182

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Алан, Жан, Роланд, Сильвиан

МПК: F25D 3/10, G01T 1/24, H01L 39/00 ...

Метки: высокочувствительного, детектора, криостат, фотонов

...Внутренняя поверхность кожуха 1,наружная и внутренняя поверхности трубы 5и поверхность стержня 4 могут бытьотполированы, позолочены или покрыты фольгой,Криостат работает следующимобразом.40Перед каротажем через отверстиеб вводят хладагент, например жидкийазот или холодный штифт гелиевойхолодильной машины. В результатестержень 4 и труба 5 охлаждаютсядо точки кипения жидкого азота илиниже, После замены хладагента на сухой инертный гаэ - азот или гелий -для предотвращения конденсации влагиотверстие 6 закрывают пробкой, подсоединяют необходимые соединитель 50ные кабели (не показаны), Устройствовставляют в скважину и проводят необходимые измерения. Во время измерений детектор 2 поддерживается придостаточной для его нормальной рабо...

Номер патента: 999784

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Голубев, Ефремов, Пчелинцев

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: датчик, излучений, охлаждаемый, полупроводниковый, ядерных

...и температура головногокаскада предусилителя, находящегосяближе к хладопроводу криостата. Однако известно, что оптимальная рабочаятемпература полевого транзистора,входящего в головной каскад предусилителя, значительно выше (120 - 160 К),чем оптимальная рабочая температураППД, которая составляет 70-90 К. Таккак при данной конструкции датчикадиэлектрическая прокладка, на которойзакреплен ППД, должна быть изготовлена из материала с высокой теплопроводностью, то введение подогрева головного каскада предусилителя, частоиспользуемое в подобных датчиках,вызовет одновременное повышение температуры ППД,Целью изобретения является повышение энергетического разрешения путем обеспечения оптимальных рабочихтемператур ППД и головного...

Номер патента: 1122114

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Глезин, Григорьева, Далецкий, Звягина, Мильштейн, Попов, Харон

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: датчик, дозиметра, излучения, ионизирующего, полупроводниковый

...связано сразмещением источника света в корпусе датчика. Это требует использования дополнительного пространства для 40установки самого источника и для формирования пути распространения светадля получения более или менее равномерного освещения полупроводниковогопреобразователя. 45Цель изобретения заключается вуменьшении габаритов датчика и обеспечении условий для световой калибровки.50Поставленная цель достигается тем, что в датчике дозиметра ионизирующего излучения, содержащем светонепроницаемый корпус, в котором установлены полупроводниковый преобразователь, и источник света, полупроводниковый датчик выполнен в виде пластины с двусторонней чувствительностью, в корпусе дополнительно установлена светорассеивающая пластина, одной...

Номер патента: 673089

Опубликовано: 15.07.1988

Автор: Авдейчиков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: детектор, излучения, ионизирующего, кремниевый

...инверсную проэодимьстьс-Стороныимно-перпендикулярных направлениях. 3 и-р-перехода и является йеменбктиНа фиг.1 представлена схема пред рующимконтактом соСторойь 1 (1) облагаемого детектора с позиционной . ратного контакта. ПоверхностноЕ Сопчувствительностью вдольоси Х со сторотивление пленки германий дляпере-роны обратного контакта 1 кремниевой менной составляющей тока10. кОм,пластины 2, Кремний имеет проводи- ,. :. : что почти в 10 раз больше соЩоФивмость р-типа. Со стороны переднеголенияпленки"висмута", поэтому вкладконтакта 3 на травленную химический плейкигермания в эффекти 9 йбе сопрообразом поверхность нанесена пленка.25 тивление контактаменьше 0,1 Й,германия 4 и на чуть меньшую площадьВ предлагаемом детекторе обе,.по-поверх...

Номер патента: 278896

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Авдейчиков, Ложкин

МПК: G01T 1/24, H01J 15/00

Метки: детекторов, полупроводниковых, типа

...напряжений в кремнии. Для получения детектора толщиной д с относительным разбросом толщины в пределах рабочей области 8 Й Ж, относительный разброс толщины пластинки после шлифования долженЙбыть обеспечен 8:Ю -7 где Ь -фтолщина исходной пластинки перед травлением.Промывка пластинок кремния перед давлением производится очень тщательно и совершается в следующей последовательности: трихлорэтилен, ацетон, деионизацианная вода.Перед травлением пластинка кремния укрепляется на тефлоновом диске с помощью смеси пчелиного воска с парафином. Крепление производится так, чтобы край пластинки примерно на 1 мм по периферии бып защищен от действия травления, Глубокое плоскопараллельное травление осуществляется дутем создания условий, при которых...

Номер патента: 786551

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Лазуткин, Синицын

МПК: G01T 1/24, G01T 3/00

Метки: быстрых, нейтронов, регистрации, устройства, чувствительности

...(предпочтительно кремниевого) детектора задают такими, чтобы выполнялись/6655ЙЕсоотношения ЕВ, В/ - (Е) ) И 7Йх7 Е(В) В Й (Е,) средняя на путиГВ ЙЕ1 Е( Йхравном И, удельная потеря энергии в В веществе детектора протона с начальной энергией, равной Е К(В) - пробег в детекторе протона с начальной энергией . равной В толщину водородВ В10 содержащего (предпочтительно полиэтиленового) радиатора задают постоянной для каждого устройства в пределах 1- 50 мм.Например в устройстве, содержащем полупроводниковый детектор, перед чувствительной областью которого помещают радиатор. толщиной 20 мм, задают толщину чувствительной области Я - 300 мкм и пороги дискриминатора лоследовательно равными 1, 1,5, 2 МэВ. Указанные значения удовлетворяют...

Номер патента: 1481696

Опубликовано: 23.05.1989

Автор: Вартанов

МПК: G01T 1/24

Метки: гамма, детектора, излучения, колодцем, поглощения, полного, полупроводникового, регистрации, фотопике, эффективности

...имп/с и А = 322 имп/с. Фоточасть детектора с колодцем имеет значение Г : РЯ = 0,1. Вычисленные по полученным данным значения эффективностей регистрации в фотопиках полного поглощения 1,17 и 1,33 МэВ равны соответственно 3,3 и 2,3 в известном способе, По формулам (3) и (4) предлагаемого спо. соба соответствующие величины имеют значения 6,2 и 5,27 Следовательно, неучет эффектов комптоновских рассеяний приводит к результатам, которые примерно в два раза занижены относительно действительных значений. Таким образом, изобретение позволяет существенно повысить точность определения эксплуатационных характеристик блоков детектирования с колодцем путем учета систематической погрешности при градуировке их по эффективности регистрации в пике...

Номер патента: 1426271

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Иммель, Пузыревич, Рябчиков, Шипилов

МПК: G01T 1/24

Метки: детектора, излучения, полупроводникового, регистрации, рентгеновского, характеристического, эффективности

...участок зависимости ц т.д. Поскольку, как уже было сказано выше, выбирают 10 такие элементы, чтобы энергия К,-излучения предыдущего была не меньше энергии -излучения последующего (в порядке возрастания атомного номера), то построенные таким образом 15 участки зависимости стыкуются. В результате получают непрерывную кривую 8=С г (Е) н относительных единицах где С - постоянный множитель.П р и м е р, Пусть необходимо по строить зависимость эффективности регистрации полупроводникового детектора от энергии кнантов в интервале энергий от 5 до 10 кэВ (область ниэ" ких энергий, где прототип дает допол нительную погрешность, связанную с самопоглощением), К нижнему пределу близко значение энергии К-излучения хрома, к верхнему - цинка. Поэтомудля...

Номер патента: 1424510

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Глезин, Ляпидевский, Мильштейн, Харон

МПК: G01T 1/20, G01T 1/24

Метки: излучения, параметров, рентгеновского

...а сигнал на выходе схемы деления 14 несет информацию об эффективной энергии излучения, что связано с тем, что "ход с жесткостью" излучения сцинтиллятора отличен от "хода с жесткостью" сборки сцинтиллятор 2 - полупроводниковый элемент 3. Результаты измерений индицируются на измерителях 15 и 16.Контроль калибровки устройства осуществляется следующим образом.Сущность процесса нерадиационного контроля заключается в том, что полупроводниковый элемент 3 является светочувствительным элементом, причем между радиационным и световым откликом этого элемента существует Функциональная (примерно пропорциональ" ная) зависимость, При контроле калибровки переключателем 7 фотодетектор 5 переводят на работу в режиме светодиода, подключая к источнику...

Номер патента: 2000582

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Минеев, Трофимов

МПК: G01T 1/02, G01T 1/16, G01T 1/24 ...

Метки: спектрометр-дозиметр

...заключается в разной величине потерь энергии тяжелых (а -частиц) и легких частиц (электронов) в кремнии разной толщины, Применение двух 20 расположенных друг под другом Л Е- и толстого Е-детекторов позволяет легко отделить регистрацию одного типа излучения от другого. Регистрация а-излучения осуществляется тонким Л Е детектором, в то время 25 крк регистрация 3- и у-излучения производится в толстом Е-детекторе. /3 -частицы с энергией100 кэВ энерговыделение в тонком счетчике очень малое и не регистрируется в нем, трк крк электрический порог 30 регистрации у-излучения превышает в несколько рэз уровень шумов и потерь электронов. Для отделения у -излучения от Р -излучения используется экррн-зрслонкр из рлюминия толщиной в...

Номер патента: 2001417

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Радаев

МПК: G01T 1/24

Метки: детектор, заряженных, частиц

...элементов 4 и и слоев поглотителя 5, систему датчиков ориентации, включающую первый 6 и второй 7 ДКЧД, чувствительные поверхности которых размещены параллельно слоям поглотителя, УПУ 8, первый 9 и второй 10 СП, двухстепенной подвес 11 (см, фиг. 2). В качестве СП 9 и 10 могут быть использованы следящие электропроводы с шаговыми двигателями. В качестве ДКЧД 6 и 7 могут быть использованы двумерные полупроводниковые координатно-чувстеительные детекторы. Расстояние между первым 6 и вторым 7 ДКЧД выбирается из условия обеспечения заданной точности ориентации. Расчетные соотношения приведены, ниже. В качестве УПУ может быть использована аналоговая вычислительная машина.Детектор работает следующим образом.Перед началом работы...

Номер патента: 1187577

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Карпенко, Матвеев, Терентьев, Томасов

МПК: G01T 1/24, H01L 31/02

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

1. ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ с чувствительным элементом из полуизолирующего полупроводникового материала теллурида кадмия и контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения линейной зависимости люкс-амперной характеристики при комнатной температуре, в качестве указанного материала использован теллурид кадмия n-типа проводимости с концентрацией основных носителей заряда n 5 107 см -3 и концентрацией уровня прилипания Nn 1015 см-3, контакты выполнены инжектирующими.2. Детектор по п. 1, отличающийся тем, что к его контактам напряжение...

Номер патента: 1637544

Опубликовано: 28.02.1994

Автор: Калинин

МПК: G01T 1/24

Метки: детекторе, энерговыделения

...амплитуднойдобавки производится существенно раньше, чем появится вершина импульса.Таким образом, основные отличительные признаки изобретения состоят в том, что определяют момент окончания длительности импульса тока в детекторе, измеряют и запоминают в этот момент мгновеннуюмкс), т.е, повысить загрузочную способ 40 ность в 2 раза, Преобразование исходного треугольно 45 А(т)Ь(т)Ао(с - т )б т, о 50 55 величину квазитреугольного импульса, находят амплитудную добавку из соотношения ЬА- гпАпСхема устройства для реализации способа показана на фиг. 3. Входной сигнал поступает на вход усилителя 1 с формирователем импульсов квазитреугольной формы, Кроме усилителя 1 схема содержит узел 2 активного дифференцирования, состоящий из операционного...

Номер патента: 1466485

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Андреев, Еремин, Строкан

МПК: G01T 1/24

Метки: детектор, излучения, рентгеновского

1. Детектор рентгеновского излучения на основе компенсированного полупроводникового материала с двумя выпрямляющими контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности детектора за счет увеличения отношения пик-долина, один из выпрямляющих контактов выполнен с монотонно возрастающей к поверхности концентрацией примеси, составляющей на поверхности 1020 Nsi 1018 см-3 и глубиной залегания примеси 1 0,2 мкм, а...

Номер патента: 1371475

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Вербицкая, Еремин, Клячкин, Маляренко, Строкан, Суханов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02, H01L 31/08 ...

Метки: детектор, заряженных, короткопробежных, частиц

1. Детектор короткопробежных заряженных частиц, состоящий из p+ - n - n+-структуры на основе кремниевой монокристаллической подложки со слоем двуокиси кремния, ограничивающим p+-область, и контактов, отличающийся тем, что, с целью улучшения разрешающей способности детектора, подложка выполнена из кремния с удельным сопротивлением 100 Ом см , и толщиной l, удовлетворяющей соотношению / S( l - b - W )

Номер патента: 1531678

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Елагина, Новикова, Роках

МПК: G01T 1/24

Метки: детектор, полупроводниковый, потоков, электронных

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ на основе сульфидов кадмия и свинца, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы детектора и увеличения удельной чувствительности и стойкости к радиации, он дополнительно содержит селенид кадмия и сульфат никеля при следующем соотношении компонентов, мас.CdS 15 25PbS 2 40CdSe 72 40NiSO4 1 15

Номер патента: 1814399

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, импульсного, ионизирующего

...заряда электронов на полосках путем экстракции положительного заряда из внешней цепи. Тем самым происходит накопление заряда на полосках. Сохранение заряда на полосках обеспечивается следующими условиями. Высота барьера между металлом полоски и полупроводником должна быть максимальной, чтобы обеспечить стеканию заряда за счет процессов переноса различного типа. Наиболее удачным материалом для полосоки ч применительно к соединениям А В , в которых высота барьера сильно зависит от электроотрицательности заряда металла, является медь, которая, являясь пластичным материалом, что является определяющим фактором для процесса прессовки детектора, и имея высокую температуру плавления (1063 С), позволяет проводить термический отжиг по...

Номер патента: 1217105

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Петров, Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучений, импульсных, ионизирующих

Детектор импульсных ионизирующих излучений, содержащий выполненный из теллурида кадмия чувствительный элемент, с одной стороны которого расположен изолирующий слой, на котором расположен первый металлический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения временного разрешения при обеспечении высокой чувствительности детектора, чувствительный элемент выполнен из пассивного слоя нелегированного прессованного полуизолирующего теллурида кадмия толщиной d1 и прилегающих к нему активных слоев поликристаллического рекристаллизованного теллурида кадмия толщиной d2, меньшей длины дрейфа носителя заряда, причемгде m

Номер патента: 1644637

Опубликовано: 20.09.1996

Автор: Поляков

МПК: G01T 1/24, H01L 31/09

Метки: детектор, излучения, рентгеновского

Детектор рентгеновского излучения, содержащий чувствительный элемент коаксиальной формы, выполненный из слоев теллурида кадмия и содержащий центральный и внешний электроды, отличающийся тем, что, с целью снижения чувствительности детектора к смешанному излучению и повышения избирательности к жесткому рентгеновскому излучению, между слоями прессованного теллурида кадмия расположены слои окисла MgO, причем фронтальный и тыльный слои чувствительного элемента выполнены из теллурида кадмия, слои CdTe и MgO осесимметричны и расположены перпендикулярно центральному электроду.

Номер патента: 1274475

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Альбиков, Бублик, Терентьев

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазных, детекторов, излучений, ионизирующих

1. Способ изготовления алмазных детекторов ионизирующих излучений, основанный на использовании естественных алмазов с содержанием азота не более 1018 атм/см3, в соответствии с которым отбирают кристаллы с временем жизни носителей заряда порядка 10-9 с и распиливают их на пластины толщиной 0,2 0,3 мм, осуществляют травление пластины кислородом воздуха в течение нескольких минут при температуре 800 900oС и наносят металлические контакты на противоположные стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения временного разрешения детекторов, пластину затем подвергают облучению ионизирующим излучением дозой порядка 1011 рад, в процессе облучения...

Номер патента: 1079105

Опубликовано: 27.12.2003

Авторы: Анохин, Мишенев, Певцов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02

Метки: альфа-частиц, восстановления, детекторов, погружных, полупроводниковых

1. Способ восстановления погружных полупроводниковых детекторов альфа-частиц, включающий отмывку чувствительной поверхности детектора раствором азотной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности удаления радиоактивных нуклидов, перед отмывкой чувствительной поверхности детектора в раствор азотной кислоты добавляют восстановитель.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют аскорбиновую кислоту в концентрации 0,1-0,2 моль/л.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве восстановителя используют сульфаминат двухвалентного железа в концентрации 0,1-0,2 моль/л.

Номер патента: 1475364

Опубликовано: 20.05.2005

Авторы: Анохин, Певцов, Пушкарский

МПК: G01T 1/24

Метки: азотнокислых, альфа-излучения, радионуклидов, растворах

Способ измерения альфа-излучения в азотнокислых растворах радионуклидов погружным поверхностно-барьерным детектором, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности измерений, в пробу перед измерениями вводят фтористоводородную кислоту или ее растворимые соли в количестве, создающем концентрацию в пробе от 0,002 до 0,02 моль/л.

Номер патента: 884417

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Кондратенкова, Мухачев, Татаринов, Терентьев, Филюк

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, датчиков, излучения, импульсного, отбора, рентгеновского

Способ отбора алмазов для датчиков импульсного рентгеновского излучения, включающий облучение алмаза рентгеновским излучением и регистрацию тока рентгенопроводимости при подаче на кристалл внешнего напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода отобранных алмазов, измеряют шумовой ток Iш., облучают алмаз последовательностью рентгеновских импульсов, фиксируя амплитуду первого импульса тока рентгенопроводимости II, выдерживают алмаз до установления стационарного тока рентгенопроводимости Iуст. и производят отбор на основе следующего соотношения:10 Iш. 0,1 II<...

Номер патента: 1644638

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Борзенко, Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазов, детекторов, излучений, ионизирующих, отбора

1. Cпособ отбора алмазов для детекторов ионизирующих излучений, включающий облучение алмаза с электродами в электрическом поле ионизирующим излучением, нагрев образца после снятия электрического поля с одновременной регистрацией тока термостимулированной деполяризации - ТСД, сортировку образцов алмаза по величине пиков тока термостимулированной деполяризации с температурами максимумов в интервалах 400-440 и 460-480 K, отличающийся тем, что, с целью повышения точности отбора, перед облучением алмаза ионизирующим излучением образец предварительно с помощью электродного материала приводят в контакт с теплопроводом, нагревают до 550-600 K и охлаждают до 370-390 K.2. Способ по п.1,...