H01J 15/00 — Газонаполненные разрядные приборы с газообразными катодами, например с плазменным катодом

Вакуумный прибор с регулируемым плазменнымкатодом

Загрузка...

Номер патента: 194969

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Беленсов, Мхеидзе

МПК: H01J 15/00

Метки: вакуумный, плазменнымкатодом, прибор, регулируемым

...область 7. Тем самым осуществляется откачка области б.20 Работа прибора заключается в следующем.Если при постоянном токе регулирующейцепи на аноде 3 отсутствует напряжение, то в результате амбиполярной диффузии ток на аноде равен нулю. При повышении анодного 25 напряжения ток одной из компонент электронов или ионов, для которой приложенное поле является тормозящим, ограничивается.При дальнейшем увеличении потенциала ано.да ток на анод практически униполярен. Уста навливается некоторая плазменная границана соответствующем расстоянии от анода, представляющая плазменный катод, с- которой происходит отбор заряженных частиц. Так как в области б ионизация пренебрежимо мала, а геометрии анода и промежуточного электрода обеспечивают...

265487

Загрузка...

Номер патента: 265487

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дтгкт, Институт, Ицковский, Кременчугский, Скл

МПК: H01J 15/00

Метки: 265487

...1, облучаемогосплошного электрода 2, представляющего собой слой серебра, на которой нанесен слойпоглощающего покрытия 3, например золотойо черни, Противоположный (точечный) электрод имеет форму круга диаметром 50 нк. Вкачестве пироактивного материала использованы монокристаллы триглицинсульфатар-среза или поляризованная керамика5 титаната бария толщиной примерно 100 лтк.Чувствительный элемент защищен от электромагнитных полей и механических воздействийпермаллоевым корпусом со входным окном изпрозрачного в исследуемом спектральном ин 0 тервале материала,Принцип работы пироэлектрическогоционно-чувствительного приемника заклюся в следующем.Модулированный поток излучения в виде5 сфокусированного оптической системой узкогопучка поглощается...

Плазменный источник ионов — «антипробкотрон»

Загрузка...

Номер патента: 294545

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Плешивцев, Семашко, Чухин

МПК: F03H 5/00, H01J 15/00, H01J 3/06 ...

Метки: «антипробкотрон», ионов, источник, плазменный

...сильное электрическое поле (1 О п/с.ц), перпецдцк лярное магнитному полю.25 На чертеже изображена схема предлагаемого источника.В корпусе вакуумной камеры / размещенкатод 2, состоящий из двух соединенных с одной стороны коаксцальцых цилиндров. ВоЗО круг катода установлен анод 3, изготовлен3ный из двух конических дисков. Внешняя поверхность наружного цилиндра катода покрыта веществом 4 с хорошей эмиссионной способностью (например, гексаборидом лантана) таким образом, чтобы покрытие находилось по обе стороны медианной поверхности б магнитного поля. Между катодом и анодом образуется радиальный разряд, плазма которого б имеет форму диска, утоньшающегося по мере увеличения его диаметра. Вокруг анодных дисков, напротив зазора между ними,...

341417

Загрузка...

Номер патента: 341417

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Бугаев, Ельчанинов, Загулов

МПК: H01J 15/00, H05H 7/00

Метки: 341417

...геометрической про зрачностью или цз тонкой фольги, способнойпропускать электроны. Катодный узел содер.жит металлическую пластину 3 с отверстиями, в которой с помощью твердого диэлектрика 4 укреплены металлические стержни 5, об- О разуя разрядники с пробоем по поверхноститвердого диэлектрика. Катодный узел укреплен на проходном изоляторе б, С одним из электродов каждого разрядника соединены пластины-электроды 7, укрепленные на специ альном изоляторе 8, Число электродов можетбыть равно количеству разрядников; возможно также подключение нескольких разрядников к одной пластине, Конфигурация пластин может быть любой в зависимости от конст- О рукцпи проходного изолятора б, Емкость, об34141 тавитель В Редактор Т. Орло ор Е. Михеева ехред...

Дуговой вентиль

Загрузка...

Номер патента: 320216

Опубликовано: 25.02.1975

Авторы: Беспалов, Князятов, Настюха, Смирнов, Удовенко

МПК: H01J 15/00

Метки: вентиль, дуговой

...и катода изоляторами 5 - 7 и снабженные выводами для подсоединения внешних делителей напряжений 8. Составные части катода (камера и перегородка) вакуум- но уплотнены между собой прокладками 9. Соленоид 10, расположенный вокруг катода, фиксируется регулировочными винтами 11. В вентиле предусмотрено водяное охлаждение анодных вводов и катода. Для этого в камере и перегородке имеются сообщающиеся между собой водяные рубашки, а токоподводящие анодные вводы 12 выполняются полыми. Воздух из камеры откачивают через коллектор 13 и канал в перегородке 2 форвакуумным насосом,При включении дугового вентиля в схему колебательного контура для его зажигания необходимо подать импульс тока на соленоид 10. Конфигурация наведенного магнитного поля в...

Генератор дифракционного излучения

Загрузка...

Номер патента: 1129670

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Ежов, Кураев, Нефедов, Слепян

МПК: H01J 15/00

Метки: генератор, дифракционного, излучения

...постоянного магнита.Расстояние от электронного потока до периодической структуры в обоих вариантах ГДИ обычно для генераторов дифракционного излучения- электронный поток должен располагаться как можно ближе к периодической структуре, но не падать на нее, Поверхностная волна, с которой взаимодействует электронный поток, убывает по экспоненциальнаму закону, а поэтому электронный поток должен быть максимально прибли жен к периодической структуре, По конструктивным соображениям магнитное поле удобнр реализовать с помощью соленоида, создающего продольное магнитное поле. Для более эффективного возбуждения магнитных типов колебаний кольцевые щели периодической структуры должны быть наклонены под нехоторым углом ( к плоскости поперечного...

Способ изготовления полупроводниковых детекторов типа

Загрузка...

Номер патента: 278896

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Авдейчиков, Ложкин

МПК: G01T 1/24, H01J 15/00

Метки: детекторов, полупроводниковых, типа

...напряжений в кремнии. Для получения детектора толщиной д с относительным разбросом толщины в пределах рабочей области 8 Й Ж, относительный разброс толщины пластинки после шлифования долженЙбыть обеспечен 8:Ю -7 где Ь -фтолщина исходной пластинки перед травлением.Промывка пластинок кремния перед давлением производится очень тщательно и совершается в следующей последовательности: трихлорэтилен, ацетон, деионизацианная вода.Перед травлением пластинка кремния укрепляется на тефлоновом диске с помощью смеси пчелиного воска с парафином. Крепление производится так, чтобы край пластинки примерно на 1 мм по периферии бып защищен от действия травления, Глубокое плоскопараллельное травление осуществляется дутем создания условий, при которых...