Альбиков

Номер патента: 1274475

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Альбиков, Бублик, Терентьев

МПК: G01T 1/24

Метки: алмазных, детекторов, излучений, ионизирующих

1. Способ изготовления алмазных детекторов ионизирующих излучений, основанный на использовании естественных алмазов с содержанием азота не более 1018 атм/см3, в соответствии с которым отбирают кристаллы с временем жизни носителей заряда порядка 10-9 с и распиливают их на пластины толщиной 0,2 0,3 мм, осуществляют травление пластины кислородом воздуха в течение нескольких минут при температуре 800 900oС и наносят металлические контакты на противоположные стороны пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения временного разрешения детекторов, пластину затем подвергают облучению ионизирующим излучением дозой порядка 1011 рад, в процессе облучения...