Способ измерения напряженности магнитного поля и датчик для его реализации
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)5 6 01 В 33/О Е ИЗОБРЕТЕНИ ОПИ / К АВТ итут гния на- -37.(54) СПОСОБ ИЗ МАГНИТНОГО РЕАЛИЗАЦИИ О Ф ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОУУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля. Цель изобретения - повышение чувствительности измерений на линейном участке характеристики магниторезистивного датчика - достигается тем, что в известном способе до приложения измеряемого поля воздействуют дополнительным постоянным магнитным полем, а измерения производят после выключения этого поля, Датчик, реализующий данный способ, содержит магниторезистивный элемент 1 в виде однослойной или многослойной ферромагнитной пленки в форме полосы или меандра и электрические конта 2.21649478 1 Упт, иисус Составитель А.Р Техред М,Морген но Редактор В.Фел ректор М,Шарош аказ 1869 Тираж 435 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производствен ательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарин Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля,Целью способа измерения магнитного поля и магниторезистивного датчика для его реализации является повышение чувствительности измерений на линейном участке характеристики датчика.На фиг. 1 схематически изображен датчик, содержащий магниторезистивный элемент 1 в виде однослойной или многослойной ферромагнитной пленки в форме полосы ийи меандра, имеющий электрические контакты 2.На фиг. 2 показаны экспериментальные кривые зависимости относительного изменения магнитосопротивления д = Луэ/ ф )вах от напряженности измеряемого поля Н для одной и той же пленки в случае измерения поля по предлагаемому способу (кривая 1) и по известному способу (кривая 2).Измерение напряженности поля Н осуществляют следующим образом, К магниторезистивному элементу 1 предварительно прикладывают импульс постоянного поля Но ориентированного вдоль направления тока и достаточного для насыщения магниторезистивного элемента. Магниторезистивный элемент в данном примере выполнен в виде полосы из ферромагнитной пленки, характеризующейся прямоугольной петлей гистерезиса в направлении поля предварительного намагничивания, В данном конкретном примере использована так называемая инверсная пленка.После выключения поля Но на магниторезистивный датчик воздействуют измеряе- Р гп Фомым полем Н, составляющим угол 85 с Но, Этот угол может изменяться в пределах от 80 до 90 О. При помощи компаратора напряжений определяют изменение сопротивления 5 магниторезистивного элемента, вызванноезарождением и ростом доменов с намагниченностью, ориентированной параллельно измеряемому полю, Затем по известной зависимости магнитосопротивления Лр магнито резистивного элемента от внешнего поляопределяют величину измеряемого поля Н,Ф о р мул а изобретен ия 1. Способ измерения напряженности 15 магнитного поля, включающий воздействиеизмеряемого и дополнительного магнитных полей и регистрацию магнитосопротивления датчика, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чувствительности спо соба до приложения измеряемого поля, воздействуют дополнительным постоянным магнитным полем, величина которого достаточна для насыщения матеоиала датчика в направлении приложения этого поля, а из мерения производят после выключения этого поля.2, Датчик для измерения напряженностиманитного поля, содержащий магниторезистивный элемент, выполненный из ферро магнитной пленки, и электрическиеконтакты, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что ферромагнитная пленка выполнена из материала с прямоугольной петлей гистерезиса в направлении предварительного намагни чивания и доменной структурой в присутствии измеряемого поля.
СмотретьЗаявка
4620638, 16.12.1988
ХАРЬКОВСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА
РОЩЕНКО СТАНИСЛАВ ТРОФИМОВИЧ, САМОФАЛОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ, ЛУКАШЕНКО ЛЕНИАНА ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: G01R 33/05
Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля, реализации
Опубликовано: 15.05.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1649478-sposob-izmereniya-napryazhennosti-magnitnogo-polya-i-datchik-dlya-ego-realizacii.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения напряженности магнитного поля и датчик для его реализации</a>
Предыдущий патент: Виброиндукционный магнитоизмерительный преобразователь
Следующий патент: Способ определения параметров эпитаксиальных магнитных пленок
Случайный патент: Каркас многоэтажного здания