Датчик напряженности магнитного поля

Номер патента: 386352

Автор: Авторы

ZIP архив

Текст

ОП ИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУЗависимое от авт. свидетельстваМ. Кл, б 01 г 33/02 Заявлено 16.1111971 ( 1639676/18-10) с присоединением заявкиПриоритет Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изобретений и открытииУДК 621,317.44 (088.8) Опубликовано 14.Ч 1,1973, Бюллетень26Дата опубликования описания 21,1 Х,1973 Авторыизобретения Н, Е. Алексеевский, В. С, Егоров и А. В. Дубровин Институт физических проблем им. С, И, Вавилова Заявитель ДАТЧИК НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННОГО ИЗМЕРЕНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ СИЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙИзвестны датчики напряженности магнитного поля для прецизионного измерения .и стабилизации сильных магнитных полей. Такие поля создаются, в частности, сверхпроводящими соленоидами и в настоящее время все шовире применяются в различных областях,науки и техники.Известные датчики напряженности магнитного поля обладают рядом недостатков. Так, например, при измерениях методом ядерного магнитного резонанса требуется довольно большой объем поля для помещения датчика. Холловские датчики, как правило, в больших полях имеют нелинейные зависимости от поля и нуждаются в независимой индивидуальной градуировке.Для повышения точности измерения и степени стабилизации магнитного поля порядка 100 кЭ в предлагаемом датчике использован новый физический эффект, а именно осцилляции сопротивления монокристаллического образца металла, например бериллия (или алюминия), в больших магнитных полях, обусловленные так называемым магнитным пробоем,На чертеже показан описываемый датчик в форме прямоугольного параллелепипеда, где Н - измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле, У - измерительный ток, Е - напряжение, снимаемое с датчика, Со - кристаллографическая ось образца. Датчик представляет собой образец, вырезанный из монокристалла бериллия в базисной плоскости и находящийся в ванне из жидкого гелия или водорода. Он помещен в измеряемое (или стабилизируемое) магнитное поле Н так, что его гексагональная ось Се параллельна направлению поля, а измерительный ток У через образец перпендикулярен полю. Напряжение Е, снимаемое с датчика, про порционально его сопротивлению и измеряется обычным потенциометром, например типа Р 308.Магнитное поле при помощи такого датчика измеряют следующим образом. В некото ром, сравнительно небольшом поле Но, осуществляется привязка градуировки, далее прои увеличении магнитного поля измеряется изменение фазы Р осциллирующей части сопротивления. Значение измеряемого магнит ного поля Н определяют по формуле;Н =.1РтН 2,".25 где р=1/9,б 10 Э -- период осцилляций вобратном поле.Амплитуда изменения сопроривления датчика имеет тот же порядок величины, что и его сопротивление при комнатной температуре, а ЗО изменение удельного сопротивления Лр10 -олт см. Поэтому измерения магнитногоРедактор С. Хейфиц Корректор А. Васильева Заказ 2447/11 Изд.1654 Тираж 755 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 4,5Типография, пр. Сапунова, 2 поля таким способом относительно просты и вместе с тем весьма точны, Например, сопротивление датчика в магнитном поле порядка 70 кЭ .изменяется за полупериод примерно на 30% (и более). Поэтому погрешность при измерении магнитного поля с помощью датчика из монокристалла бериллия, имеющего размеры 0,4),0,4 Р,5 мм, и потенциометра Р 308 не превышает ЛН/Н10 - ,Для стабилизации установленного значения магнитного поля Н напряжение Е, снимаемое с датчика, компенсируется, а разностный сигнал уоиливается и подается обычным образом через цепь обратной связи на регулятор силы тока через магнит. Отклонение магнитного поля от установленного значения приводит к появлению разностного сигнала ЛЕ, который через цепь обратной связи изменяет силу тока, питающую магнит, компенсируя возникшее отклонение.5Предмет изобретенияДатчик напряженности магнитного полядля прецизионного измерения и стабилизации сильных магнитных полей, основанного на за висимости электросопротивления от магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения и степени стабилизации магнитного поля, он изготовлен из монокристаллического образца металла, например бериллия, охлажденного до температуры жидкого гелия (или водорода).

Смотреть

Заявка

1639676

Н. Е. Алексеевский, В. С. Егоров, А. В. Дубровин Институт физических проблем С. И. Вавилова

Авторы изобретени

МПК / Метки

МПК: G01R 33/02, G01R 33/035

Метки: датчик, магнитного, напряженности, поля

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-386352-datchik-napryazhennosti-magnitnogo-polya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик напряженности магнитного поля</a>

Похожие патенты