Датчик магнитного поля

(б 1) 5 О 01 К ЗЗ 0 сьдАРственное ИАтентноеОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР)ПИСАНИЕ ИЗОБРЕ К ПА криогенных системах Цель изобретения шение чувствительности, Датчик содержи элемент на основе высокотемпературного роводацего (ВТСП) материала 2, помещ катушку 3 ВЧ-генератора, причем рабочий выполнен в виде частиц ВТСП материала 10 - 100 мкм. распределенных в диэлект немагнитной матрице 1 и электрически ванных друг от друга 1 ип. Ф.Иоффе Ф,Иоффе нцм измерея локальных частности в 4 ь ЬЭ СОЮЗ СОВЕТСКИХсоциАлистических Респувлиговед(Т 2) Блинов ЕВВласенко йС(64) ДАТЧИК МАГНЙТНОГО ПОЛЯ(67) Изобретение относится к магниниям и может быть использовано длизмерений слабых магнитных полей, - повырабочий сверхпенный в элемент азмером риче ской изолиро1725642 нала . позволяет реализовать чувствитевльно 9 сть к внешнему магнитному 15 полю 10 -10 Тл. Для исключения электрических связей между частицами, что может привести к ухудшению проникновения ВЧ- поля в обьем рабочего элемента, ВТСП частицы помещают в диэлектрическую 20 матрицу, которая должна быть одновременчо немагнитной для исключения ее влияния на результаты измерения магнитного поля.Измерения магнитного поля. проводятследующим образом.25 Катушку включают в контур автодинного генератора; работающего на частоте 20 МГц, датчик охлаждают до температуры Т К, модуляцию магнитного поля,осуществляют на частоте 73 Гц. Воэникэющие при 30 этом изменения амплитуды генерации автодинного генератора после усиления и синхронного детектйрования регистрйруются на самописце. 35 Формула изобретения 40 ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ, содержащий рабочий элемент на основе высокотемпературного сверхпроводящего 45 материала, помещенный в катушку ВЧ-генератора, отличающийся тем, что, с целью Составитель О, РаевскаяТехред М, Моргентал Корректор С, Лисина Редактор Е. Харина Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул Гглр.1:; 1 р 1Заказ 3472 Изобретение относится к магнитным измерениям,и может быть использовано для локальных измерений слабых магнитных полей, в частности в криогенных системах, а также в качестве нуль-индикатора,Цель изобретения - повышение чувствительности.На чертеже представлена схема устройства, где 1 - немагнитная матрица, 2 - частицы высокотемпературного сверхпроводящего материала (ВТСП), 3 - катушка ВЧ-генератора.Датчик Магнитного поля содержит рабочий элемент на основе ВТСП материала (У 1- Ва 2-Сцз-Овв), помещенный в катушку ВЧ-генератора, причем рабочий элемент выполнен в виде частиц размером 10-100 мкм, распределенных в диэлектрической немагнитной матрице и электрически изолированйых друг от друга. Если поглощение ВЧ-мощности в керамическом образце ВТСП, связанное с наличием слабых связеймежду гранулэми, растет по мере увеличения магнитного поля и отсутствует в нулевом магнитном поле, в ВТСП материале в ,виде изолированных частиц наблюдается поглощение ВЧ-мощности другой природы, Поглощение максимально при Н"0 и уменьшается по мере роста магнитного поля, т,е, знак наблюдаемого сигнала противоположен знаку сигнала от керамического образца, ширина линии поглощения составляет 0,1-0,2 Э, центрлинии поглощения точно соответствует поле Н"0 из-за отсутствия гистереэисных явлений, Интенсивность линии поглощения зависит от среднего размера частиц и растет по мере его увеличения. При размерах частиц менее 10 мкм интенсивность наблюдаемого сигнала падает и использование такого материала не позволяет реализовать чувствительность к внешнему магнитному полю лучше. чем 10 Тл, При размерах частиц более 100 мкм внутри них появляются. слабые связи, характерные для керамических структур ВТСП, а соответствующая этим слабым связям линия поглощения ВЧ-мощности приводит к искажению формы рабочего сигнала, При размерах частиц 10-100 мкм величина наблюдаемого сиг(56) Зцрегсопбасс, Ясепсе Тесппо., 1988, 1,р. 20.СгуоцеМсз, 1989, 29, р. 155.,повышения чувствительности, рабочий элемент выполнен в виде частиц высокотемпературного сверхпроводящего материала размером 10 - 100 мкм, распределенных в диэлектрической немэгнитной матрице и. электрически изолированных друг от друга,