Способ контроля кондерсации молекулярного пучка электропроводящего вещества на диэлектрическую подложку

ОЮЗ СОВЕТСНИХ ОЦИАЛИСТИЧВСНИРеспу Блин 9)8 15 5 А 01 Н 23/2 ТЕН ЕЛЬСТВУ 21государственный и О.А.Трофим етельство С И 25/68,1 Бггцссиге Ьеаш ерга о 1, 1973, ч87 ку направл пучок быстрлюминесцент у теневое из КОНДЕНСАЦИИ МОКТРОПРОВОДЯРЕГО ИЧЕСКУ 10 ПОДЛОЖКУ сится к области нтроля процессо некогерентн О конденсац судят по по невого изоб 1 ил,учка сточ лекулярного вещества от щим углом об нами от исто уч аю ника ожет исп ном экране 4 бражение края но рассеянных о ии по о в водящподложЦе ле момент пер подложке 1 ь изольносения твит сировавшег пучка, всл сти подложк ожки а че теже и способ зображени скаженную а.ствляк т сл особ осущ а молеобраонденсации вещес учка на подложке ропроводящий сло По мерелярного ется эле зом. Кон покрынее моолируемую подложку утем направления н кото ае ГОсудАРстВенный нОмитетпо изов чтениям и открытияПРИ ГННт СССР ОПИСАНИЕ Н АВТОРСНОМУ СВ(56) Авторское свидВ 1330531, кл. С 0СЬапя 1 . ., еС адгоюп Ьу шо 1 есц 1 аг3. Чае. Бе 1. ТесЬпУ 5, р.655-662,(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯЛЕКУЛЯРНОГО ПУЧКА ЭЛЕВЕЩЕСТВА НА ДИЭЛРКТР(57) Изобретение отнфизических методов к зобретение относится к физич методам контроля процессов ной тонкопленочной технологизоваться для контролямолекулярного пучка проества на диэлектрическук 1 тения - повьшение чуви расширение областиаморФные и шероховатые казана схема осущевакуумной тонкопленочной технологии иможет использоваться для контроляконденсации молекулярного пучка проводящего вещества на диэлектрическукподложку. Цель изобретения - повьппение чувствительности и расширение области применения на аморфные и шероховатые подложки. Для этого перед облучением подложки молекулярным пучкоми во время этого облучения на подложяк 1 т под скользящим углом гх электронов и с помощью ого экрана Формируют ражение края подложки врассеянных электронах. ии молекулярного пучка И ф явлению неискаженного теражения края подложки. электропроводящего ика 2, под скользя- быстрыми электро и на люминесцентируют теневое изоожки 1 в некогеренттронах. В начальньпт д осаждением, когда на отсутствует слой сконденся вещества молекулярного дствие зарядки поверхнои 1 электронами теневое 5 края подложки 1 имеет формурый приводит к растеканию заряда поверхностиподложки от электронов и теневое изображение 6 края подложки 1 с пленкоР конденсата имеет не" искаженный характер. По появлению такого неискаженного теневого изображе ния 6 индицируютконденсацию молекулярного пучкаП р и м е р 1. Берут в качестве 10 подложки свежий скол кристалла хлористого калия (КС 1), с поверхностным сопротивлением= 10 Ом/цполмещают в колонну электронограФа ЭГИ, которую откачивают до давле ния 10Па. На поверхность подложки направляют пучок быстрых электронов с энергией 80 кэВи током в пучке 50 мкА под скользящим углом 1-3 . Лю минесцентным экраном, ориентированным 20 перпендикулярно направлению падающего электронного пучка, регистрирукт некогерентно,рассеянные подложкоР электроны. При этом наблюдают теневое изображение края подложки в виде иск ривленной линии с расположенными на ней пульсирующими "пузырями, Включают источник молекул испаряемого вещества и направляют на поверхность подложки молекулярный пучок полупро водникового вещества теллурида кад 13 ю мия (СЙТе) плотностью 10 мол/см сЧерез 3 с после включения молекулярного пучка наблюдают установление З 5 теневого изображения края подложки в виде резко очерченной прямоР линии, индицируя конденсацию теллурида кацмия. Выключают молекулярный пучок, достают подложку с конденсатом из 40 вакуума и измеряют поверхностное сопротивление р = 1 0 Ом/ ц при расчетной средней толщине конденсата равной 0,22 нм,П р и м е р 2. Индикацию конденсации молекулярного пучка теллуридакадмия (СЙТе) на шероховатой поверхности подложки из ситалла наблюдаютпри комнатной температуре. Тыльнуюшероховатую поверхность пластины ситалла облучают пучком быстрых электронов, направленным перпендикулярно к ней в колонне электронографа.Регистрируют некогерентно отраженныеэлектроны люминесцентным экраном,расположенным вблизи подложки, параллельно падающему пучку электронов.Наблюдают на люминеецентном экранепульсирующие вспышки.Направляют йа подложку молекулярный пучок и индицируютконденсацию его на шероховатой подложке из ситалла по установлению теневогд изображения края подложки наэкране в виде прямой линии.Формула изобретенияСпособ контроля конденсации молекулярного пучка электропроводящеговешества на диэлектрическую подложкупутем облучения подложки быстрымиэлектронами под скользящими угламипадения и регистрации рассеянныхэлектронов перед облучением подложкимолекулярным пучком и во время этогооблучения, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения чувствительности и расширения области применения на аморФные и шероховатыеподложки, в некогерентно рассеянныхэлектронах Формируют теневое изображение края подложки, и о конденсациимолекулярного пучка судят по появлению неискаженного теневого изображения края подложки.1 569685 оставитель К. Кон Техред Л. Сердюкова Коррек ескид ктор А, П(андор оизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород агарина, 10 Заказ 1443ВНИИПИ Госуд Тираж 49 твенного комитета по из 113035, Москва,.Ж, обретениям Раушская н Подписное ткрытиям при ГКНТ СССР д. 4/5