Устройство для измерения термоэдс горячих носителей заряда в полупроводнике

Союз Советских Социалистическими Республик(517 м. кл,8 2) Заявлено 1 5,0 2,7 8 (21 ) 2 347/18-09 ПРиСОЕДинЕн м заявки М 23 гг 24 о(уз 1(тввиняи коли( СССР но аглаи и т(161(иии и откритии(23) Присрите публиковтн 150 в 50 Бкт тень й 9 315,0 9,80 621. 31 (088.8 Дата опуб вани я списдни(72) Авторы изобретен( Ри РП;укщт Ордсиа Тр иового К 1(1Физики лслуровсдниксв Го Знамеи инститйн Литовской СС.Р 11) Заявитег;4 УСТРОИ,.ТВО Ц ИЭ.-,.ИЯ Тт.РМО - ЭДС ОР 5 ИУ, ОС ИТЯ тРя А 8 тОУПВ 8 ОГИ( И брес т ехи ке ение ст си рений рад д,ля измерессителей засодержа.тее В ОЛ БО 3 ОД д. С о зондом из Ника и ин о устрс -ЭДС гор терма в и чих Е КЕ слупров рямыми гол ь н тр Б отрез ок размещен исследуе дикатор Однак об спечии нег ровод ОГО ПОЛУ составля Цель объемной Для эо известное устройство нее Вает измерения обьемнойющей термо-ЭДС.изобретения - измерениессстаВляющей термО-ЭДС,того в устройстве для измерения термо-ЭДС горячих носителей заряда в полупроводнике, содержащее отрезок прямоугольного волновода с размещенным внутри него зондом из исследуемого полупроводника и индикатор,зонд Выполнен в виде двух взаимно перпендикулярных стержней, образующих Т-образное соединение, один из которых установлен по оси, проходящей через середины широких стенок поперечного сечения отрезка прямоугольного волновода, а его концы выведены через отверстия в широких стенках отрезка прямоугольБОГО ВОлнОВОДа и с;абжечы конта(т"зс злеьентами, псдключеннымя ксдн Ому из ВхсдсГ и БдкатОраа кс -Бец ар 1 гого стержня Выведен черезотврстие В узкои стенке отрезкапсямсуГсльнОГО ВОБОВсда и снабженконтактным зл ментом подключеннымк другому входу индикатора,.".а чертеже приведена структурнаясхема устройства.Устройство для измерения термо-ЭДгорячих Носителей заряда в полупроводнике содержит индикатор 1 и отрезок 2 прямоугольного волновода сразмещенным внутри него зондом изисследуемого полупроводника, выполненным в виде двух взаимно перпендикулярных стержней 3,4, образующихТ-образное соединение, при зтомстержень 3 установлен пс оси, проходящей через середины широких стенок погеречного сечения отрезка2 прямоугольного Всгновода, а его 25 концы выведены через отверстия в м(- роких стенках отрезка 2 прямоугольНОГО ВОлнОВОДа и снабх(еы контактными злементами 5 б, пОдключеннымик одному из входов индикатора 1, аконец стержня 4 выведен через от7688 О ГПОТОТИП Раж 10 1 1 одписно ВНИИПИ Заказ 6274/3 илиал ППП Патент верстие в узкой стенке отрезка 2прямоугольного волновода и снабженконтактным элементом 7, ттодклюеннттмк другому входу индикатора 1.Устройство работает следуюшимобразом,1:ат( как по отрезку 2 прямоугольного волновода распространяется воя - на типа Н , то стержень 3 между контактными элементами 5,6 нахо - дится в сильном электрическом СВЧ поле. В стержне 4 поле ЯвляетсЯ сла - бым из-за большой диэлектрической проницаемости полупрОВОдникау а В контактных элементах 5,8 поле слабое из-за отсутствия гревего поля вне Отрезка 2 прямоугольного волновода, Таким образом, перепады электрического СВЧ поля образуются на участках 8 и 9 Отмече 1 НГ( и("нктиром на чертеже. Вследствие этого изза перепада электронных температур на участках 8,9 Возникаю" те 1 эмодиффузионные токи, Наряду с тем возни- К ВЮТ ТЕРГГОЭЛЕ КТРИЧЕС КИ Е ПОЛЯ,. а вместе с тем Омические токи компенсируюыие Диффуэ ион ные, 11 а кчастках 8 термоэлектрическое поле паталлельно а 1 а тчаст(е 9 птт теттд 111,- лярно к электрическому СВЧ полю, Параллелье 10 е термоэлтектО 11 еское пол( так хекак и СЗЧ поле, разогревает НОсители заряда, а Вместе с тем из- меняет их подвижность Иначе гОВОря, параллельное электрическому СБЧ полю ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕС(ОЕ тОтЕ Датзт СМЕШЕ- ние на нелинейной симметричной ваГьт-амперной характеристике полупроводника, Вследствие чего возникает ДетекЦИЯ СВЧ сигнала,. ПрОПОрЦИОнальная смещаюШему термоэлектрическому полю, На стержне 4 термоэлектрческое поле не участвует в дополните,гГ,ном разогреве горячих носителейзаряда в полупроводнике Ввиду перпенгр(юшего СВЧ и термо -электрического полей и вклада в детекцию не дает, Ввиду этого пс измеренному продетектированному сигналумежду контактным элементами 5 и 7Опреде;1 яют Внутреннее термоэлектрическое поле, т.е. объемную составлящую Отертс-ВДС горячих носителей заряда,Формула изобретения Устройство для изиереия т ермо - ВДСгорячих носителей заряда В полупроводнике, содержатее отрезок прямо -УГОЛЬНОГО ВОЛНОВОД ( ОВЗМЕШЕННЫКГИвнутри него зондом из ис(ледуемого) и ч аюше е с я тем, что, сцельо измерения (,61 емной сос: а Вляюшей т( рмО-ЭДС, зонд Выполнен В видедвух Взаимно т(Гртте иди кулярн 1,1 х стерж -ней, Обраэук(11 х Т-Образное (Оединеие ОНн из кОто 1)ых устанОвлен поОСИ, Г 1 РОХОДЯГЦЕй ГЕР(Э С(РЕЛИ НЫ .:ИООКИХ СТРНОК ПОГ 1 ЕРЕЧ 11 ОГО СЕ 1(НИЯотрезка ттрямэу ольнОГО вслновода,ЕГО КОНЦЫ ВЫВЕДЕНЫ ЕРЕЭ ОТВЕСТГГЯт. ГтирокГХ стенках отрезка пр тмоу: оль -:Ого 3 О;НОВОДа и (.набен 11 контакт)1 ы -МИ ЭГЕМЕН " атти, НОГК ГЮ 1( ИН 1, Иному иэ Входов индикатора, а конецдру 1 Ого стержня Выведен че.Г(. э (.т В(;встие в узкой стенке Отр,.Эка птахГс -го 1 В ОТО вся (В а . с 1 абжгн