G01N 21/00 — Исследование или анализ материалов с помощью оптических средств, т.е. с использованием инфракрасных, видимых или ультрафиолетовых лучей

Страница 8

Способ определения размеров поглощающих субмикронных частиц в оптически прозрачных материалах

Загрузка...

Номер патента: 1718053

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Анисимов, Жеков, Кислецов, Мурина, Попов

МПК: G01N 21/00

Метки: материалах, оптически, поглощающих, прозрачных, размеров, субмикронных, частиц

...устройством 4, сигнал с которого поступает на измеритель 7, Определяют коэффициент объемного поглощения ао материала исследуемого образца 3 при каждом изменении длительности импульсов лазерного излучения. Изменение олимп проводят до тех пор, пока не будет зафиксировано скачкообразное изменение величины коэффициента объемного поглощения ао, что свидетельствует о том, что длительность импульса 7 имп достигла своего эффективного значения тимпТакое скачкообразное увеличение величины коэффициента объемного поглощения может быть объяснено следующим образом. Величина коэффициента объемного поглощения материала го складывается из коэффициента аом материала и коэффициента поглощения частиц, присутствующих в мал л териале, задаваемого как...

Способ определения характера распределения фаз в структуре порошкового многофазного материала

Загрузка...

Номер патента: 1157934

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Пирогова, Потапов, Чернявский

МПК: G01N 15/00, G01N 21/00

Метки: многофазного, порошкового, распределения, структуре, фаз, характера

...фазы (операция произ-.йли 5 /ЧЧ, эти размеры характеризуют структурные объемы, в которых проявляются неоднородность распределения изучаемой фазы - масштабы неоднороднос ти.На фиг.1 приведены графики зависимости А /ЧЧ от размера измерительной системы при анализе характера распределения кобальтовой фазы в структуре образцов трех паррий (2, 3 и ) твердого сплава ВК 15р и м е р. Были изготовлены шлифы исследуемых образцов и под-. 11579316ве; гнуты травлению, обеспечивающему однородное контрактирование участков кобальтовой фазы на изображении. Изображение случайного сеченияструктуры было полуцено в световом микроскопе, входящем в комплект ААИ "Квантимет". После детектирова; ния участков излучаемой Фазы было проведено автоматическое...

Способ определения стереологических параметров одной из фаз в многофазном материале

Загрузка...

Номер патента: 1181382

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Потапов, Чернявский

МПК: G01N 21/00

Метки: материале, многофазном, одной, параметров, стереологических, фаз

...Фазы,Данные о попадании и непопаданииточек на изображение Фазы записываюткак последовательный ряд символов 10 (попадание) или 0 (непопадание) впорядке, расположения рассматриваемыхточек на отрезке прямой. По завершении измерений производят смену поляперемещением образца в РЭМ и повтоРвОт цикл измерений. Измерение системой 80 точек проведены на 3 полях.Число точек измерительной системы,равное 80, выбрано с целью унификации процесса ручных измерений на= 0,36 1(0,36-0,15) = 1,7 мкмсредний размер скопления 1= 3 мкм пр (шаг при первом минимумекривой ковариации);среднее расстояние между скоплениями ( 1 1 = 5 мкм (шаг при первоммаксимуме) .Выбор Ь; в . примере от 0 до15 мкм имеет целью обеспечить выявление размеров скоплений 1 ирасстояний между...

Способ определения порога плазмообразования на поверхности твердого тела

Загрузка...

Номер патента: 1735744

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Крутякова, Смирнов

МПК: G01N 21/00

Метки: плазмообразования, поверхности, порога, твердого, тела

...поверхностных дефектов, нагретыхдо высоких температур, триболюминесценцией и другими, При превышении некоторого порогового значения интенсивности ц.вблизи поверхности материала развиваетсяплазма оптического разряда, То значениеинтенсивности ц, при котором регистрируется возникновение плазмы, называется порогом плаэмообразования, который вбольшинстве практически важных случаевотождествляется с порогом оптическогопробоя поверхности, 45Установлено, что зависимость интенсивности свечения от интенсивности лазерного излучения для многих материалов(например, щелочно-галоидные кристаллы,фтористый барий, фтористый литий, стекло 50К, плавленый кварц и другие) в областизначений интенсивности цсецц и ццносит различный характер и в двойном...

Способ определения антистрессовой активности брассиностероидов

Загрузка...

Номер патента: 1750493

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Бокебаева, Кулаева, Хохлова, Хрипач

МПК: A01G 7/00, G01N 21/00

Метки: активности, антистрессовой, брассиностероидов

...кислоты. Пробирки с исследуемым материалом кипятятна водяной бане 1 ч. После охлаждения изнатрия, взятое количество отрезков листьев ячменя делят на четыре части, контакт первой и второй частей с раствором брассиностероида осуществляют 1,5 - 2,0 ч, контакт третьей и четвертой частей с дистиллиро ванной водой осуществляют то же время, затем вторую и четвертую части подвергают воздействию хлорида натрия в концентрации 0,3 - 0,5 М в течение 23 - 25 ч, а определение степени влияния брассиностероидов 10 на реакцию растения производят по содержанию в них пролина сравнением между собой разниц показаний между второй частью и первой, а также между четвертой частью и третьей, где пеовая и третья части 15 служат контролем.Выбор заявляемых...

Способ определения молекулярно-массового распределения полимеров

Загрузка...

Номер патента: 1763952

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Батурин, Иржак, Ольхов

МПК: G01N 21/00

Метки: молекулярно-массового, полимеров, распределения

...фон", и полученную таким 20образом интегральную кривую ММР полимера (как принято в хроматографии) делятна 15 - 20 участков с ЛТ=2-5 град/мин опреНделяют в каждой точке . а по отношениюприращения Ь Н к Н со определяют весовую долю 1-й функции (р), Далее по зависимости ЬТ=1(19 М) в каждой точке термомеханической кривой определяют соответствующие значения Мь Определяют для всего 30.диапазона температур (отТп до Т) значения р и М по известным соотношениямП 1Мр=ХМ 1 р и М - , . рассчитываюти р35Мпервый и второй моменты распределения,коэффициент полидисперсности (К= - ) иМ,Г 3 лстроят функцию распределения ЫМР в координатах / - 19 М;.Предлагаемый способ измерения ММРполимера иллюстрируется следующимипримерами,П р и м е р 1, При размораживании...

Способ определения концентрации газов и паров

Загрузка...

Номер патента: 1369489

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Кистенев, Пономарев

МПК: G01N 21/00

Метки: газов, концентрации, паров

...том, что не требуется перестраинать частоту источника зондирующего излучения (лазера) или испольэовать два источника, генери 50 рующих на различных длинах волн. При Способ определения концентрации газов и паров, включающий зондирование среды импульсом электромагнитного излучения с частотой, принадлежащей интервалу частот контура аналитической лицин поглощения, измерение интенсивности прошедшего через среду импульса электромагнитного излучения, повторное зондирование импульсом электромагнитного излучения, интенсивность которого равна интенсивности при первом зондировании, й измерение интенсивности прошедших через среду импульсов электромагнитного излучения, о т л и ч а ю щ н й с я тем, что, с целью повышения оперативности и точности...

Способ определения содержания клейких веществ в хлопковом волокне

Загрузка...

Номер патента: 1781602

Опубликовано: 15.12.1992

Автор: Щелохова

МПК: G01N 21/00, G01N 33/36

Метки: веществ, волокне, клейких, содержания, хлопковом

...потоке хлопка в производстве.П р и м е р 1. Для анализа готовят среднюю пробу хлопкового волокна обычным способом, В аналитические стаканы емкостью 50-100 мл на аналитических весах с точностые до 0,0001 г берут навеску волокна.массой 1 г(волокно может быть как воздуш но-сухое, так и кондиционированное до 7%влажности).Реактивы: дистиллированная вода, фенол кристаллический, ч.д.а., серная кислота, " концентрированная, плотностью 1,84 г/мл, 10 квалификации ч.д,а. или хч., крахмал водорастворимый (декстран).Готовят 10%-ный раствор фенола в воде, дают отстояться в течение суток и используют прозрачную, бесцветную часть 15 раствора. Крахмал просушивают в течение4-х часов при 80 С в сушильном шкафу,Приготовление раствора крахмала...

Система для измерения поглощения лазерного излучения атмосферой

Загрузка...

Номер патента: 680402

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Маричев, Соснин

МПК: G01J 3/02, G01N 21/00

Метки: атмосферой, излучения, лазерного, поглощения

...расходимости пучков 30излучения: поля зрения и диаметрыприемных антенн.Выполйение этих требований наталкивается на следующие трудности.При работе .в режиме полного перехвата угловые размеры луча лазераможно сделать такими, цтобы луч полностью перехватывался приемной антенной,40Однако, невозможно провести коллимирование прожекторного луча до угловых размеров луча лазера, А это ведет к возникновению ошибок в определении количественного поглощения излучения лазера.При работе в режиме неполного перехвата излучения приемными антеннами можно выровнить угловые размеры световых. пучков путем расширения ла 50зерного луча до размеров прожекторного луча Но это ведет к существенному снижению величины принимаемых сигналов по лазерному каналу и к...

Устройство определения концентрации аэрозоля

Загрузка...

Номер патента: 1800321

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Аняков, Бабарсков

МПК: G01N 15/02, G01N 21/00

Метки: аэрозоля, концентрации

...по ходу ее движения последовательно установлены электропреципитатор 4, фотоприемник 5 и осветитель 6.Электропреципитатор 4 выполнен в виде цилиндрической проточной камеры 7 из фторопласта, вдоль оси которой установлен игольчатый коронирующий электрод 8, закрепленный в металлическом держателе 9, впрессованном в верхнее основание камеры 7. Нижнее открытое основание камеры 7 размещено непосредственно над лентой 2, служащей осадительным электродом, которая выполнена металлической или металлизированной с зеркальной поверхностью и соединена через токосъемный контакт 10 высоковольтной электрической цепью 11 с коронирующим электродом 8, В верхней части камеры 7, выступающей из корпуса 1 устройства, установлен входной патрубок 12, соединяющий...

Способ анализа газов и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1808125

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Дунаев

МПК: G01N 21/00

Метки: анализа, газов

...образом,Излучение от естественного или искусственного источника проходит через анализируемую среду, находящуюся непосредственно в атмосфере или в специальной рабочей кювете, модулируется неселективным модулятором 1 и пропускается через селективный газофильтровый модулятор 2, представляющий собой модуляционную камеру, в которой оптическая толщина поглощающего слоя газа, аналогичного измеряемому компоненту, периодически изменяется, и через сравнительную кювету 3, заполненную газом, непоглощающим излучение в рабочем интервале длин волн, При этом неселективный модулятор может быть выполнен в виде вращающегося диска с вырезами для попеременного или с разными частотами прерывания пропускаемых через селективный газофильтровый модулятор и...

Оптическое устройство для исследования веществ при воздействии давления

Загрузка...

Номер патента: 1814052

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Максимочкин

МПК: G01N 21/00

Метки: веществ, воздействии, давления, исследования, оптическое

...поле, под действием которого осуществляется возвратно-поступательное перемещение подвижного элемента 13 внутри ячейки 3 высокого давления по вер тикали с одновременным медленным дрейфом вверх (фиг. 2 б) или вниз (фиг. 2 в) в зависимости от величины амплитуды импульсного напряжения цэ на входе электромагнита. Следя за положением подвижного элемента 13 с помощью ристратора 141814052 оптического изображения (например. с помощью видеокамеры) и регулируя величину Оэ генератором 16 до некоторого значения Оопт. добиваются уменьшечия дрейфа подвижного элемента до минимума (фиг, 2 г), 5 Соответствующие данному состоянию величины Оэ и Т 2 измеряют с помощью импульсного вольтметра 18 и измерителя 19 интервалов времени, по ним судят о плотности...

Измеритель лучистой энергии

Номер патента: 1433162

Опубликовано: 28.02.1994

Автор: Дунаев

МПК: G01J 5/26, G01N 21/00

Метки: измеритель, лучистой, энергии

ИЗМЕРИТЕЛЬ ЛУЧИСТОЙ ЭНЕРГИИ, содержащий оптически связанные формирователь лучистого потока с модулятором и приемник излучения, выход которого через первый усилитель, синхронный фильтр, второй усилитель и первый синхронный детектор соединен с регистратором, формирователь синхроимпульсов, связанный с модулятором, формирователь управляющих сигналов, выход которого соединен с управляющими входами синхронного фильтра и первого синхронного детектора, а также генератор, выход которого соединен с первым входом суммирующего устройства и управляющим входом второго синхронного детектора, вход которого соединен с выходом второго усилителя, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности измерителя, он дополнительно содержит фазовращатель и...

Устройство для определения параметров электрооптических кристаллов

Номер патента: 1832913

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Дементьев, Калинин, Максимов

МПК: G01N 21/00

Метки: кристаллов, параметров, электрооптических

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ, содержащее первый оптический канал, включающий источник света, по ходу лучей которого последовательно расположены первый объектив, поляризатор, держатель исследуемого кристалла, анализатора, второй объектив и фотоприемное устройство, два источника напряжения, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и информативности, между первым объективом и поляризатором введен первый фильтр, между анализатором и вторым объектом второй фильтр, а также введены оптически связанные и образующие второй оптический канал последовательно расположенные фотозатвор, первое отражающее зеркало, третий объектив, третий фильтр, второе отражающее зеркало, полупрозрачное зеркало,...

Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов

Номер патента: 913793

Опубликовано: 20.09.2001

Автор: Коршунов

МПК: G01N 21/00

Метки: вырожденных, полупроводниковых, проводимости, типа

1. Способ определения типа проводимости вырожденных полупроводниковых материалов, преимущественно с различными эффективными массами электронов и дырок, основанный на сравнении параметров, измеренных на исследуемом материале и эталоне, отличающийся тем, что, с целью упрощения и обеспечения бесконтактного определения типа проводимости приповерхностных слоев, в качестве эталона используют невырожденный полупроводниковый материал, образец и эталон освещают поляризованным светом с длиной волны, не превышающей длины волны красной границы поглощения кр.эт эталона, плавно перестраивают длины волн и находят наименее...