Датчик давления

,Басуитель- давлеления воляет ы дат- лличеОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТПРИ ГКНТ СССР ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(57) Изобретение относится к измерной технике, в частности к датчикамния, применяемым для измерения давагрессивных жидкостей и газов, и позповысить надежность и ресурс работчика. Датчик давления содержит мета скую мембран) 2, выполненную,из корроэионноустойчивого материала, диаметр ее не менне чем в 3 раза превышает диаметр полупроводниковой мембраны 3 с тензорезисторами, закрепленной в основании 4 и поджатой к металлической мембране с усилием, обеспечивающим их взаимное прилегание, При этом цилиндрические жесткости металлической О и полупроводниковой О мембран должны удовлетворять условию О/О0,1. Это позволяет использовать в конструкции датчика нержавеющие стали и тем самым расширить эксплуатационные возможности датчика и повысить его точность, 1 ил,1615579 Составитель Н,МатрохинаТехред М.Моргентал Корректор Л,Пилипенко Редактор Е.Папп Заказ 3981 Тираж 468 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиямпри ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении давления агрессивных жидкостей и газов в нефтегазовой и химической и ром ышленности.Цель изобретения - повышение надежности в условиях работы с агрессивными высокотемпературными средами и увеличение ресурса работы датчика.На чертеже показана конструкция датчика давления.Датчик содержит опорное кольцо 1, металлическую мембрану 2, к внутренней стороне которой поджата полупроводниковая мембрана 3, закрепленная в основании 4. Основание 4 с полупроводниковой мембраной 3 установлено в корпусе 5 датчика, который вместе с металлической мембраной 2 и опорным кольцом 1 соединены сваркой. Основание 4 через шайбу 6 гайкой 7 поджимается к металлической мембране 2 до полного прилегания, На обратной стороне полупроводниковой мембраны 3 сформирована тензосхема с тензорезисторами, преобразовывающая измеряемое давление Р в электрический сигнал, который через проводники 8 поступает на контактныйузел 9 и выводы 10 датчика.Датчик работает следующим образом, Измеренное давление Р воздействует на металлическую мембрану 2, вызывая ее прогиб, который передается на поджатую с обратной стороны полупроводниковую, преимущественно кремниевую, мембрану 3, которая закреплена в металлическом основании 4. Крепление ожет быть осуществлено на основе ситаллоцементов, легкоплавких стекол, обеспечивающих надежное и стабильное крепление, Наибольшие деформации, возникающие в металлической мембране 2 от давления Р, в основном сосредоточены в области расположения полупроводниковой мембраны 3, так как остальная часть мембраны лежит на основании 4, Деформация полупроводниковой мембраны с 5 помощью тензорезисторов преобразуется ввыходной электрический сигнал, пропорциональный измеряемому давлению.Формула изобретения Датчик давления, содержащий корпус, 10 основание, закрепленную в корпусе металлическую мембрану и расположенную за ней полупроводниковую мембрану с тензорезисторами, соединенными в измерительный мост, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с 15 целью повышения надежности в условияхработы с агрессивными высокотемпературными средами, а также увеличения ресурса работы, он снабжен установленным в корпусе резьбовым прижимным элементом, под жимающим основание к металлическоймембране, при этом в основании выполнено центральное отверстие, а на его торце со стороны металлической мембраны - кольцевая проточка, причем полупроводниковая 25 мембрана по контуру расположена в кольцевой проточке, закреплена на основании заподлицо с его торцовой поверхностью и контактирует с металлической мембраной, выполненной из коррозионно-устойчивого 30 материала и имеющей диаметр, не менеечем в три раза превышающий диаметр полупроводниковой мембраны, при этом цилиндрические жесткости мембран удовлетворяют соотношению35 Ом 01Опгде Ом - цилиндрическая жесткость металлической мембраны;О - цилиндрическая жесткость полу проводниковой мембраны.