Девятых

Номер патента: 1194934

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Бусыгин, Девятых, Иванов, Погорелов

МПК: B04C 7/00, D21D 5/24

Метки: вихревых, очистителей

...суспензии и удаления очищенной суспензии и отходов. На корпусе 1 закреплены патрубки 6 - 8, сообщающиеся с соответствующими им камерами 3 - 5. В перегородках 2 выполнены отверстия, снабженные направляющими втулками 9, например из полиэтилена, в которых размещены корпуса 10 вихревых очистителей с отверстиями 11 - 13 соответственно для подвода исходной суспензии и отвода очищенной суспензии и отходов. Втулки 9 выполнены с длиной, превышающей размеры отверстий 11 в 13 в корпусах 10 очистителей, и имеют вогнутую поверхность 14, обращенную к корпусу 10. Между втулками 9 и перегородками 2 размещены уплотнительные кольца 15 из упругого материала.Установка вихревых очистителей работает следующим образом.Исходная волокнистая суспензия...

Номер патента: 1184596

Опубликовано: 15.10.1985

Авторы: Григорьева, Гутов, Девятых, Меркулов, Симонов, Хаит

МПК: B21J 13/02

Метки: выдавливания, стаканов, типа, штамп

...частью 3 и конической заходной частью 4, расположенных при штамповке в полости матрицы 5, установленной на неподвижной нижней плите 6. В нижней части матрицы установлен выталкиватель 7. Коническая заходная часть втулки составлена из двух полуколец с плоскостью разъема, проходящей через ось пуансона, и соединена с цилиндрической направляющей частью замковым соединением с возможностью радиального разнонаправленного смещения относительно оси пуансона. На подвижной верхней плите 1 смонтированы гидроцилиндры 8, штоки которых соединены с втулкой. В полукольцах конической заходной части втулки выполнена полость для размещения верхней части исходной заготовки 9.Штамп работает следующим образом.При ходе пуансона 2 вниз втулка, находящаяся в...

Номер патента: 1171441

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Андониев, Бари, Вовк, Гавва, Гончаров, Девятых, Макаревич, Миленин, Полянов, Прохоров, Чемеринский, Щеплягин

МПК: C03C 17/245

Метки: изделия, кварца, нанесения, покрытий, преимущественно

...покрытию, доставляется в герметичном контейнере 8, с него снимаетсй крьппка (не 40 показана) и он стыкуется с камерой 1. Через штуцеры 4 и 10 в систему пода-, ется инертный газ для продувки камеры 1 и контейнера 8, который выводится через отверстия 3 по трубкам нап равляющих 2 и далее через штуцер 5 - в поглотительный бачок 17. С помощью манипулятора 9 лодочку 12 вталки" вают в камеру 1, после чего контейнер 8 снимают вместе с манипулятором 9, 50 на открытый конец камеры 1 устанавливают крьппку со штоком 18, шток соединяют с лодочкой 12 и повторяют про,дувку камеры 1 инертным газом. После отвода пустого контейнера фон загрязнения в нем (и в камере) не повышается, поскольку непрерывная подача инертного газа, вплоть до закрытия...

Номер патента: 1103175

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Балаев, Гурьянов, Девятых, Дианов, Кантор, Карус, Кузнецов, Прохоров, Пятахин, Школьников

МПК: G01V 7/02

Метки: гравиинерциальных, разности, сил

...датчики давления со световодами по числу пробныхмасс, механически связанными с пробными массами через упругие передаточные элементы, источник поляризованного света, оптический ответвитель, регистратор разности фазовогосдвига, при этом источник поляризованного света соединен через оптический ответвитель с входами световодов, а выходы световодов соединены с входами регистратора разностифазового сдвига. 50Кроме того, с целью обеспеченияработы на заданном участке рабочегодиапазона, механическое соединениесветоводов с пробными массами выполнено с предварительным напряжением. 55С целью уменьшения габаритов,пробная масса выполнена в виде объемного упругого передаточного элемента,а световод выполнен в виде катушкии помещен...

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 805176

Опубликовано: 15.02.1981

Авторы: Граковский, Девятых, Зацепина

МПК: G01N 33/38

Метки: начала, структуро-образования

...мм, 0,1- 0,05 мм, 0,05-0,01 мм, 0,01-0,005 мм, 0,005-0,001 мм, меньше 0,001 мм путем отмачивания в воде (по методу Стокса). Суспензии выпаривают на водяной бане досуха и определяют удельную поверхность полученного материала методом газовой хроматогра- фии по тепловой десорбции азота.Для определения удельной поверхности структурных образцов берут кусочки не менее 3 мм по диаметру. Одинаковые по размеру кулачки при разной дисПредложенный способ может б использован для изучения струк образования в почвах. Например переходе материала миогонатрие солонца от частиц с размером 0 0,0002 мм к частицам меньше О, обнаружено резкое падение удел поверхности от 35, 8 м /г до 14 Следовательно, в пределах частиц меньше 0,0002 мм исследуемый...

Номер патента: 745873

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Болотняя, Бунькин, Гурьянов, Девятых, Дианов, Лукин, Никитин, Прохоров, Шершова, Юшин

МПК: C03B 23/04

Метки: заготовок, оптических, систем, элементов

...горизонтальном направлении, На каретке шарнирнозакреплено серпообраэное нагревательноеустройство 8 с горелками 9,25Возвратно-поступательное движение карет.ки осуществляется ходовым винтом 10, который через систему передач получает вращениеот двигателя 11, Изменение ориентации .горе 30лок по отношению к заготовке производитсяс помощью электромагнита 12.Ниже стеклянных трубок по всей их длиие расположены нагревательные элементы 13,Привод газообразных компонентов к заготовке производится из баллонов 14, Герметич.35ность подвода газообразных компонентов обеспечивается герметизирующим сочленением 15.Управление режимами работы устройстваосуществляется с панели управления 16 устройства, на которой установлены переключателирежимов работы кнопки...

Номер патента: 653788

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Барканов, Барулин, Брык, Виборов, Девятых, Иорозов, Меленчук, Морозова, Чижов

МПК: A61N 5/10

Метки: головного, лечения, мозга, опухолей

...теменной долей мозга. Втеменной доле в верхнем ее отделе кора моз.га изменена, синюшного цвета и при рассечении на этом участке на глубине .,5 см выяв.лена внутримозговая опухоль. Опухоль не 15имеет четких границ и располагается в теменной и лобной долях мозга. Опухоль из темен.ной и задних отделов лобной доли удаленав пределах видимости.Часть опухоли в лобной доле осталась 20неудалснной ввиду недоступности и отсутствиячетких границ, После удаления опухоли образовалось ложе 5 4 х 4 см. При срочном . гистологическом исследовании удаленной олуСоставитель С. МалютинаТехред Н,БабуркаКорректор О. Ковинская Редактор Т, Колодцева Заказ 8280/50 Тираж 672 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по .делам изобретений и открытий 113035,...

Номер патента: 495859

Опубликовано: 30.09.1979

Авторы: Барканов, Девятых, Костерина, Морозов

МПК: A61N 5/00

Метки: гамма-терапии, дистанционной, злокачественных, мозга, опухолей, спинного

...спинного мозга с двух полеи, расположенных на расстоянии 4 - 5 см от края тел позвонков под углом 45 - 50 к вершинам. Однако при использовании известного способа большие объемы близлежащих здоровых тканей попадают в зону лучевого воздействия, что вызывает лучевые изменения в них. С целью уменьшения объема облучасмых здоровых тканеи и возможности проведения повторных курсов лечения, облучение роводят через позитивную сфокусирован ую вольфрамовую решетку с полей, рас толоженных на расстоянии 0,5 - 1,0 см подуглом 20 - 30 к вертикали,Проводят курс дистанционной гамма-теННОЙ ГАММА-ТЕРАПИИОЛЕЙ СПИННОГО МОЗГА раппи на аппарате Луч с двух паравертебральных полей, расположенных на расстоянии 0,5 - 1,0 см друг от друга, угол наклона пучка...

Номер патента: 639858

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Алексеева, Горохова, Данов, Девятых, Конов

МПК: C07C 57/04

Метки: акриловой, кислоты, метакриловой

...10 4 - 10 -мол. р 4 не обнаруживается,Содержание воды определяют титрованием по Фишеру,Таблица 2 Содержание примесей, вес, о,фактор разделения9,5.107,102910 35,7.10 46,7.10 1,6.10 1,6.10 2,7.10 1 2,6.101,41 168 23 93 46 21 АцетонМетилметакрилатУксусная кислотаИзомасляная кислота Вода температуру в выносном кристаллизаторе до образования в нем кристаллов, затем включают мешалки кристаллизатора и колонки, при этом суспензия кристаллов подается из выносного кристаллизатора в ко лонку, охлаждая имеющуюся там жидкость за счет частичного плавления кристаллов. После заполнения колонки суспензией кристаллов включается плавитель. Кристаллы движутся вниз и плавятся, жидкость, вы тесняемая кристаллами, движется вверх в противоток кристаллам.За...

Номер патента: 595900

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Воротынцев, Гусев, Девятых

МПК: B01D 3/00

Метки: взвешенных, жидкостей, частиц

...вестны т дениц в ющих а Пример осуществления способа.Дистилляции подвергают изоиропило вый спирт, ацетон и бензол с частицамигермания размсром 0,02 - 1 мкм. 11 сходнос содержание дисперсной твердой фазы составляет 10гмл.11 а чертеже изображена схема установки, осуществляющей предлагаемый способ.Пар, образукнцийся в кубе 1, подвергают воздействик тсмпературного градиента между;вумя концентрическими, вертикаль ио расположенными поверхностями, образо ваииымп трубкой 2 с диаметром 30 мм иПродукт Изоиропиловьй спирт Условия проведения процесса.20,1 1 с 10 5 0,5 0,5 0,6 0,05 0,05 0,08 3трубкой 3 с диаметром 26 мм прп высоте, равной 120 мм. Одна пз поверхностей имеет температуру на 1 - 3 С ниже температуры кипения, а другая - на 140 - 300 С...

Номер патента: 530490

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Барканов, Девятых, Морозов, Чижов

МПК: A61B 6/00

Метки: лимфографии, прямой

...услови ь 1 рез ицъ:кциоцнуо дглу пр циального ци,;.,ша в кзццсзой о чеакого, - : да (обыно на коц дят 2 лл (,)-, часть от общего со ноконтрастцого вещества (иодлт для рассравлеция части спавш ческцх сосудов, создания лу проход:мости руццодцсперсных частиц кол.скд:-ого раствора радиоактивного золота Ац. Не вынимая иглы, через 2 - 3 мин вводят оставшиеся /з части рецтгецоконтрастного вещества в смес: с радцоактцвцым золото Ац, цаходящцася в коллатдтоа крупно.цсперсном состоянии. После введения смес:.: е вез 21 ц 48 час проводят телсрецтгеногр:1:цо цсслсдуемой области, получают ца рецтге.ограммах размеры частей тела, равные и т:тпых размерам исследуемого, а затем осуществляют скеннцровацце. Распределенле рецтгецокоцтрастцого вещества в...

Номер патента: 560831

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Аглиулов, Девятых, Зеляев, Маляр, Рогаткин, Успенская, Цветков

МПК: C01G 31/00

Метки: ванадия, выделения, окситрихлорида, продуктов, производства, титана, четуреххлористого

...до содержания основного продукта 99, 0-99,9%,Смесь четыреххлористого титана с окситрихпоридом ванадия предварительно охпаждают рассолом до температуры не вьюше -10 С, затем подают в колонну противо точной к рис таппизации непрерывного действия. Полученный концентрат направляютв ректификационную колонну дпя переходачерез эвтектическую точку (82; окситрихпорида ванадия и 1 Р":; четыреххпористоготитана), Попученный дистиппят, содержащийне менее 85% окситрихпоридв ванадия,направляют на повторную криствппизацию.Окситрихпооид ванадия при температуре не560831 Составитель В. ДубровскаяРедактор Л, Курасова Техред А. Богдан Корректор М, Демчик Заказ 1639/135 Тираж 658 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам...

Номер патента: 554207

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Девятых, Зеляев, Зорин, Родченков

МПК: C01C 1/12

Метки: аммиака, глубокой

...0,5 мг/л (в пересчете на аммиак в жидком состоянии). Недостатком данного способа является то, что он не обеспечивает высокой степени очистки аммиака от трудноудаляемых примесеи, такихкак вода, углекислый газ, метан, этан и др.С целью повышения степени очистки, предлагают предварительно сконденсированный 5 аммиак подвергать протнвоточной кристаллизации при тсмнсратурс от - 100 до - 120 С идавлении 40 - 50 мм рт. ст.Предложенный способ позволяет достичьвысокой степени очистки аммиака от наиболее 0 трудноудаляемых примесей, таких как масло,вода, углекислый газ, метан, этан, бензолн др. до 10 10-з 1,10-во/оП р и м е р. В колонку из молибденовогостекла с кристаллизатором, предварительно 5 откаченную до остаточного давления 10 -торри...

Номер патента: 540871

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Девятых, Дозоров, Каратаев, Умилин

МПК: C07F 7/22

Метки: 1у-у1, группы, металлоорганических, соединений, термолабильных, элементов

...разложении которых выделяются легколетучие соединения, резко отличающиеся по температурам кипения от МОС.При ректификации тетрабутилолова по предлагаемому способу получают целевой продукт с содержанием легких продуктов термораспада 2 10-4 мол. /о, по известному способу получают тетрабутилолово с содержанием легких продуктов термораспада 1,5 мол,%. Следовательно, предлагаемый способ и устройство для его осуществления позволяет существенно уменьшить содержание легких продуктов термораспада в целевом веществе.П р и м е р 1, Глубокая очистка тетрабутилолова. 15 20 25 Зо 35 40 45 50 55 60 65 В куб заливают 200 мл (можно брать 100 - 1000 мл) тетрабутилолова. Затем откачивают растворенные газы и включают обогрев колонны. Разгонку ведут в...

Номер патента: 530690

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Агафонов, Девятых, Фаерман

МПК: B01D 59/44

Метки: анализа, газов, масс-спектрометрического, паров, смесей

...анализируемой смеси. К таким веществам относятся ароматические углеводороды, в частности бензол, который существенно увеличивает интенсивность линий масс 20спектров анализируемых веществ, Кроме того, добавление бензола в разной степениувеличивает интенсивность линий масс-спектров веществ различных классов, что позволяет получать дополнительную инфоомацию опринадлежности компонентов смеси к тому2или иному классу веществ путем сравнениямасс-спектров чистой смеси и смеси с ак -тивирующими веществами. Так, например,при добавлении бензола к смеси, содержащейЗОпредельный углеводород - гептан и хлорзамешенный углеводород - хлороформ, интенсивность линий их масс-спектров увеличивается соответственно в 2 и 1 1 раз, Оптимальное количество...

Номер патента: 519394

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Аглиулов, Девятых, Дудоров, Молянов

МПК: C01B 7/08

Метки: водорода, хлористого

...водород высокои степен)и чистоты с содержанием грудноудаляемых примесей, таких как ацетилен, этан и иропан до 1,6 10 - , 2,0 10 - "; 7,610- оо. % соответственно. Кроме того, резко О снижается содержание дру гих примесей, вчастности, 1-02 1,0 10 ";12 5)0 10 ; Н 20 2,0 10 "об. %.11 р и м е р. Сжиженный при температуре минус 100 С хлористый водород, содержащии 1 д примеси: этапа, ацетилена, пропана, хлора,воды, углекислого газа от 1,2 10- до 7,0 1 о -об. "/, загружают в верхнии куб колонны и с помощью нагревательного элемента и ртутного контактного манометра в колонне устанав ливают давление 765 - 7 70 торр. Нижний ку о,снабженный подогревателем, работает как куо полного испарения, После установления стационарного состояния производят...

Номер патента: 492300

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Девятых, Моисеев, Пахомов, Юшин

МПК: B01J 17/32

Метки: высокой, химических, чистоты, элементов

...давление 50 атм гелием высоной чистоты. Гидрид размораживают ион постепенно приобретает температуруокружающей среды, после чего начинаютзоего разложение в жидкой фазе, Испаряющийся гидрид нонденсируют н холодильП р и м е р 2. Получение сурьмы высокой чистоты,Процесс разложения неочищенного гидрида сурьмы проводят тан же, кан и в примере 1.Температура в реакционной зоне " 50 С(для увеличения скорости разложения).Сурьму ныделяют в виде крупных хорошо сформированных кристаллов иа стенках реактора. Спланление кристаллов сурьмы проводят н атмосфере гелия нине и возвращают в зону разложения, Давление в реакционном сосуде поддерживают на заданном уровне с помощью стравливающего клапана. Образующийся в результате распада гидрида...

Номер патента: 464317

Опубликовано: 25.03.1975

Авторы: Аглиулов, Девятых, Зеляев, Фещенко

МПК: B01D 9/00

Метки: аппарат, кристаллизацией, противоточной, разделения, смесей

...к стенкам корпуса лента 6, изготовленная в виде спирали с большим шагом, к верхней части которой прикреплен скребокфреза, состоящий из четырех ножей с режущей кромкой.Лента со скребком-фрезой приводится во вращение при помощи электродвигателя, Скребок-фреза 7 установлен с возможностью периодического перемещения в вертикальной плоскости с помощью встряхивающего устройства 8. Поскольку фреза 7 совмещена с лентой-рыхлителем 6, скорость ее вращения не должна превышать 10 - 15 об/мин. При такой скорости кристаллы могут прилипать к ножам фрезы и подача кристаллов в разделительную часть будет уменьшаться. При встряхивании фрезы в вертикальной плоскости ножи освободятся от прилипших кристаллов,Для наблюдения за работой колонны в кор....

Номер патента: 144472

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Девятых, Дудоров, Ежелева, Зорин, Караванов

МПК: C07C 11/167, C07C 7/08

Метки: выделения, газов, дивинила, нефти, пиролиза

...изобутнлена) соответственно 2,29 и 2,23, Поэтому при использовании в качестве растворителя водного этплцеллюзольва производительность и разделительная способность экстрактивной ректификационной колонны выше, чем при использовании водного фурфурола.П р и м е р. Концентрирование дивинила из фракции С, производят на лабораторной экстрактивно-ректифпкационной колонне из нержавеющей стали. Колонна состоит из абсорбционной секции, секции обогащения, отпарочной,колонны и куба. Отпарочная колонна состоит из обратного холодильника и ректифицирующей колонки, предназначенной для выделения из растворителя растворенных в нем компонентов бу. тан - бутиленовой фракции.М 144472 Подача растворитегля и фракции Са в колонну производят нз...