Белозубов

Номер патента: 1668881

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Белозубов, Маланьин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...запитываются напряжением отрицательной полярности, а тензорезисторы и-проводимости запитываются напряжением положительной полярности, Коммутационные области тензорезисторного моста соединены с контактными площадками 14. Коммутационные области терморезисторов соединены с контактными площадками 15.Устройство работает следующим образом.При воздействии на мембрану давления в ней возникают напряжения и деформации. Тензорезисторы воспринимают деформации, сопротивление их изменяется, Изменение сопротивлений тензарезисторов преобразуется мостовой схемой в выходной сигнал. При изменении температуры измеряемой среды температура тензорезисторов изменяется, его характеристики также изменяются. Так как тензорезисторы и терморезисторы выполнены...

Номер патента: 1661600

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Белозубов, Козин, Марин, Михайлов

МПК: G01L 27/00

Метки: давления, датчиков, испытания, полупроводниковых, чувствительных, элементов

...диапазон работы датчика, Отклик с испытываемых тензочувствительных и термочувствительных элементов кристалла через зонды 27 поступает на регистрирующую аппаратуру, По результатам испытаний кристалла судят о его эксплуатационных характеристиках. Таким образом в предложенном решении расширяются эксплуатационные возможности устройства за счет обеспечения возможности испытания кристаллов при температурах ниже комнатной, так и при минусовых температурах. Кроме. того кристалл в предлагаемом устройстве можно испытывать на воздействие термоциклов,Использование устройства для испытания чувствительных элементов датчиков позволяет обеспечить следующие преимущества: повысить достоверность результатов испытаний за счет расширения диапазона...

Номер патента: 1652839

Опубликовано: 30.05.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...вакуумирования, Предварительно помещают упругий элемент и пластину в корпус 15 с герметирующим отверстием 16, приваривают выводной проводник 13 к контакту 17. Помещают датчик в установку электронно-лучевой сварки, создают в камерее вакуум 10 Па. Нагрев ают е го до максимально допустимой рабочей темопературы +800 С. Нагрев датчика в вакууме приводит к испарению окислов, нитридов и гидридов внутренней поверхности датчика и, что особенно важно, с поверхности электродов и выводных проводников, 1(роме то го, при воздействии температуры и вакуума в определенной степени уменьшается содержание окислов, нитридов и гидридов и во внутренних объемах металла, что приводит к качественному обезгаживанию внутреннего объема, а в том числе и...

Номер патента: 1649320

Опубликовано: 15.05.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного

...нарушаются механические, физико-химические, электрическиеи другие свойства диэлектрических оснований, во-вторых, - возможностями созданияи поддержания с требуемой точностьюнеобходимой теммературы. Поэтому при максимальной рабочей температуре датчика,равной 800 С, температура нагрева диэлектрических оснований выбрана равной 900 С,исходя из возможностей установки. Вакуумирование диэлектрических оснований до)- дА/ (Йми - к более глубокого по сравнению с рабочим при эксплуатации вакуума также имеет принципиальное значение, так как газоотделение повышается с увеличением вакуума.Поэтому, подвергнув диэлектрические основания одновременному воздействию высокой температуры (превышающей максимальную рабочую температуру) и вакуума более глубокого...

Номер патента: 1649319

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...тензорезисторов, расположенных на разных сторонах проточки, достигается за10 15 20 25 счет представленных соотношений конструктивных размеров.Перепад температуры измеряемой среды приводит к одинаковым изменениям средне интегральнои температуры на тензорезисторах, а значит, к одинаковым измененилм сопротивлений тензорезисторов и, как следствие, в силу характерных свойств мостовых схем к самокомпенсации температурных изменений выходного сигнала. Полная само- компенсация температурных изменений выходног сигнала от термоудара повышает точность измерения, Кроме того, выполнение всех тензорезисторов измерительной схемы по дуге повышает срок эксплуатации конструкции за счет равномерности деформации по всей длине тензорезисторов от...

Номер патента: 1642288

Опубликовано: 15.04.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...ного конденсатора (электроды 6 и 7) не зависит от измерительного иэталонного конденсаторов, сигналы передаются на внешние выводы и на нормирующее устройство, которое формируетвыходной сигнал, зависящий от измеряемого давления. При воздействии высокойтемпературы измеряемой среды из диэлектрической пленки 10 вследствие ее принципиально более рыхлой структуры, по сравнению с металлическими пленками, а также всвязи с принципиальной необходимостьювакууми рования межэлектродного зазора5 датчика, происходит интенсивное газовыделение из.внутреннего обьема диэлектрической пленки 10. В связи с тем, что вэлектродах. выполнены равномерно размещенные по их поверхности сквозные отвер 10 стия, то газовыделение не приводит ксозданию перепада давлений по...

Номер патента: 1642284

Опубликовано: 15.04.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...требований к точности отработки расстояний, угловых координат и положений устанавливаемых сборок в связи с отсутствием необходимости очень точной предварительной ориентации собираемых сборок вследствие сопряжения кристалла и платы только по двум смежным сторонам кристалла (или выреза платы); Сопряжение кристалла и платы только по двум смежным сторонам кристалла (или выреза платы) позволяет осуществлять сборку в плоскости платы и кристалла во всех направлениях, заключенных между перпендикулярными к смежным граням выреза платы.На фиг.2 перпендикуляры показаны 5 знаком 1 - . На фиг. 2 видно, что сборка может осуществляться по любому направлению, заключенному между перпендикулярами,Сборка датчика осуществляется следующим образом.10...

Номер патента: 1629763

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Белозубов, Ишкатов, Каневская, Соболева

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчика, емкостного

...площадках6, что,каждый выводной проводник касается одной из своих поверхностейконтактной площадки, а другой - поверхности диэлектрика 7 для обеспе3 1629 763 4 чения электрической связи между эле- . статочной, то выводной проводник ментами схемы. Помещают пластину и может сместиться в зазоре между пла,корпус в технологическое приспособ- стиной и упругим элементом относи- . ление (не показано) центрируощее)5тельно контактной площадки и тем пластину и упругий элемент, прижи- самым не обеспечить электрического мают пластину к упругому элементу соединения в схеме датчика. ф усилием, приложенным к центру пла. стины с целью равномерного распределения прикладываемого усилия, Величина усилия определяется соотно- шением Формула изобретения 35...

Номер патента: 1622788

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик

...участку 3,который перемещается на величину, пропорциональную х, например К с электро 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 дом 11. Следовательно, меняется (увеличивается) зазор на величину Кх +,их междуэлектродом 11, расположенным на периферийном участке 3 мембраны, и электродом12, расположенным на периферии диска 5,в результате чего меняется (уменьшается)емкость периферийного конденсатора навеличину С(Кх+ дх) и становится равнойСл = Со - С(Кх+ ф х) (2)где Сп - емкость периферийного конденсатора, состоящего иэ электродов 11 и12,С(Кх + рх ) - величина уменьшсния емкости от увеличения зазора между электродами 11 и 12 периферийного конденсатора,Таким образом, от давления Гх емкостьцентрального конденсатора. состоящего нзэлектродов 9 и 10,...

Номер патента: 1622783

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Белозубов, Дуркин, Мокров, Педоренко

МПК: G01L 1/10

Метки: датчика, струнного

...окисления струны при последующем одэогреве, Нагревают струну 4 пропусканием электоического тока через нее г 1 ри помощи токоподводов 5. Величину электрического тока подбирают экспериментальным путем. Те,игература нагрева струнь 1 должна грев;шдть температуру размягчения изоляционно. о материала для обеспечения последующе;о внедрения гтруны в изоляциончыйгатери.ал, В то же время температура нагрева струны должна быть меньше температур.рекристаллизации струны для предотвращения изменения ее характеристик, Внед рение струны в изоляциочный материал (фиг.З) осуществляется параллельным ее перемещением в направлении упругого элемента. Перемещение осуществляется помощью манипулятора, Для облегчения внедрения параллельное перемещение...

Номер патента: 1620865

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Белозубов, Бещеков, Марин, Шпилев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного

...Затем сварочной горелкой производят вторичный нагрев равноотстоящих от указанной линии участков зон В сварного шва до температуры тдн 1 = (10,7 - 0,85) Тпл. в направлении, противоположном направлению формирования сва,. ного шва. В данном выражении значениями 1 д 1 и Тпл, соответственно являются температура первого этапа нагрева зон В С и емпеДатура плавления металла шва.После первого этапа вторично определяют линию максимальной неплоскостности рабочей поверхности мембраны 1 (фиг, 2)- 2-линия максимальной неплоскостности, и производят следующий нагрев до температуры 1 д 2 =(0,3 - 0,45) Тпл, зон С, перемещая горелку в направлении, противоположном направлению предыдущего нагрева (где тдн 2 - температура второго этапа нагрева зон С шва,...

Номер патента: 1619079

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...практически при любых тепловыхвозмущениях с любым тепловым градиентом измеряемой среды, на плоской поверхности воспринимающей мембраныдостигается температура измеряемой среды (уравновешенный тепловой режим) за0,5 - 1,2 с,Оптимальный выбор толщины теплоизоляционного покрытия 7 обеспечиваетсяуменьшением теплообмена за счет теплопроводности между опорным основанием 3 икорпусом 1, причем величина теплового потока между ними должна быть равна тепловомупотоку от мембраны 2 к корпусу 1, и темсамым обеспечивается минимизация, а в идеальном случае исключение теплового потокаот мембраны 2 к опорному основанию 3, т.е.наступает сбалансированное температурноесостояние между мембраной и опорным основанием, а это в результате приводит к равномерному...

Номер патента: 1615578

Опубликовано: 23.12.1990

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...соответствующих резистивных квадратов, а также изменения сопротивлений соответствующих оезистивных квадратов равны между собой, Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противоположно вклю 1615578ценных радиальных резисторов преобразуется мостовой схемой в-электрический сигнал, который поступает на выходные контактц датчика. При воздействии нестационарной температуры измеряемой среды 5(термоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкоймембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерноеполе температур, фиг. 3, где приведена экспериментально определенная зависимостьраспределения температуры нэ планарнойстороне упругого элемента через...

Номер патента: 1606886

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Белозубов, Дурцева, Косогоров, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: полупроводниковый, чувствительный, элемент

...показанные электрическиеконтакты 18 подается постоянное напряжение порядка 0,8-1,2 кВ. Причемполучают разделенные чувствительныеэлементы 29.Преимуществом способа является увеличенный выход годных на 15- 5207., расширяется в три раза возможная номенклатура применяемых материалов для чувствительного элемента,повышается эксплуатационная надежность работы и снижается стоимостьмонтажа. Формула изобретения 1,Полупроводниковый чувствительныйэлемент датчика давления, содержащий полупроводниковую мембрану, накоторой сформированы соединенныев измерительный мост тензорезисторы,20 при этом периферийная часть мембранывыполнена утолщенной и скреплена ссоосно расположенным с ней первымстеклянным кольцом, по другую сторону которого расположена соосно...

Номер патента: 1580190

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Белозубов, Жучков, Красильникова

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...большейстороны терморезистора выбрано в соответствии с предлагаемым соотношением. 25Интегральный преобразователь давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействуетна мембрану со стороны, противоположной планарной, В мембране возникаютнапряжения и деФормации. Тензорезисторы воспринимают деФормации и их сопротивления изменяются пропорциональноизмеряемому давлению, Причем, таккак сопротивления тензорезисторовК 1 и ЕЗ увеличиваются, а тензорезисторов К 2 и М уменьшаются с увеличением давления, а тензорезисторы соединены в мостовую схему, то на выходе схемы Формируется Выходной сигнал40пропорциональный сумме изменений сопротивлений отдельных тензорезисторов. При изменении температуры окружающей среды терморезистор также...

Номер патента: 1571437

Опубликовано: 15.06.1990

Авторы: Белозубов, Иванова, Марин, Саблин

МПК: G01L 1/22

Метки: датчик, силы, тензометрический

...цилиндрического упора 4 в отверстии корпуса 1 при стяги вании выступающей части корпуса зажимной гайкой 7, Кроме того, один из пазов в выступающей части корпуса служит точкой отсчета для установки упора 4, Расположение пазов С и 0 относительно друг друга (угол поворота паза С относительно "неподвижного" паза 0) определяет положение упора 4 и тем самым определяет задание рабочего зазора (т.е. величины, на ксторую допускается деформировать упругий элемент 2).Для настройки упругого элемента 2 на определенный допустимый прогиб (когда значение 1 задано) достаточным является установка упора 4 в корпусе 1 так, чтобы угол между пазами С и Р соответствовал расчетному значению угла Ы, . Это значительно упрощает процесс настройки на перегрузку,...

Номер патента: 1569613

Опубликовано: 07.06.1990

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...работает следующим образом, При воздействии на мембрану давле-55 ния в ней возникают напряжения и деформации, Тензорезисторы воспринимают деформации, сопротивление их изменяется, Изменение сопротивлений тензорезисторов преобразуется мостовой схемой в выходной сигнал, При изменении температуры измеряемой среды температура тенэорезисторов иэменяется, его характеристики также изменяются, Так как термореэисторы частично расположены между мембраной и соответствующими тензорезисторами, а частично расположены вне соответствующих тензорезисторов вдоль одной из наибольшей стороны соответствующего тензорезистора, то температура терморезистора с высокой точностью отслеживаеттемпературу тензорезисторов вследствие малого термического сопротивления...

Номер патента: 1545120

Опубликовано: 23.02.1990

Авторы: Белозубов, Кабунин, Медовщикова

МПК: G01L 9/10

Метки: давления, датчик

...(13) устанавливает связь между продольной и поперечной жесткостью штока, геометрическими и механическими характеристиками разделительной трубки и штока.Тогда соотношение (7) можно запиать гз видеЬ Ц 2 Ьевеееаеащ щевещеЬ ,Э-й.е еещ щеГ 2 ЬВ случае, если поперечная жесткостьтока существенно меньше продольной есткости, то это фактически соответствует перемещению точки приложения силы из точки А в точку В, т.е. в . этом случае Ь стремится к нулю, по,этому в случае гибкой связи, как это показывает выражение (9), условие от,сутствия заклинивания выполняется не- зависимо от коэффициента трения и реальных геометрических размеров штока.Учитывая, что в реальных конструк 35 Э - йциях р С 1(с 1 выражение (9) 5 О2 Ъ9можно представить в...

Номер патента: 1538030

Опубликовано: 23.01.1990

Авторы: Белозубов, Киреева, Конаков, Любомиров

МПК: G01B 7/00

Метки: перемещение-фаза, преобразования

...Б(ственно в ни конечной мплитудыамплитуде ) соответ- чальной чках ди 4 точках диапазона п мещения;Х) - текущее значеншения амплитудьла 13 к амплитнала Б(Х);и коэффициент нелности выходнойристики;- текущее значенности фаз сигии 0(Х)частоту сигналовения равенства (1(ХЮф Чо4 К е отно- сигнаде сигиней- характ у(х) разов Ц,ре тения ула и и 0(Х 5 меняютыполн до ОК Шаться. Величину напряжения Б, уста 1навливают с помощью масштабирующегозвена б. Решая систему уравнений,получают семейство выходных характеристик с различными значениями коэффициента нелинейности и и величинывыходного сигнала А(. в зависимостиот полчченных значений углов сдвигафази Ц между сигналами П,и 0 (Хосоответственно, в конечной и начальной точках диапазона измеряемьгх...

Номер патента: 1530952

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Косогоров, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: интегрального, полупроводникового, тензопреобразователя

...точностью преобразования эа счет устранения нелинейности преобразователя, Это достигается тенэочувствительностью термореэистора К включенного в выходную цепь, и выбором его рас.положения на чувствительном элементе в соответствии с величиной и знаком нелинейнос ти мостовой иэмерительной цепи тензопреобразователя давления,Способ изготовления. интегрального полупроводникового тенэопреобразователя, включающий подготовку рабочего элемента путем формирования на полупроводниковой мембране методом интегральной технологии тенэорезисторов, соединенных в мостовую схему, добавочного резистора и терморезистора, последующего измерения тензочувствительности схемы Б, а также тензочувствительности терморезистора Б , выходного сигнала и его...

Номер патента: 1525440

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Белозубов, Маланьин, Осадчий, Пащенко, Фильчиков

МПК: G01B 7/16

Метки: тензометрическое

...измерительной диагонали будет напряжениеН - НЦН Н 45сопротивление первого и четвертого тенэорезисторовтенэомоста 1, воспринимающих отрицательную деформацию;сопротивление второго итретьего тенэорезисторовтенэомоста 1, воспринимающих положительную деформацию 0 п(2) ы.+ Вь.Н (1+- ---- Ь)о 2 Такой сигнал в виде напряжения 11, можно получить на сопротивлении резистора 6 1Н 6 11 а ТН 6 ф(,+ы Н (1 +--- 6 С) о 2(3) Деление сигнала У на сигнал Б, в управляемом масштабном преобразователе 3 позволяет устранить мультипликативную составлясдую погрешности, но при этом аддитивная составляющая погрешности меняет свою величину до уровня8 - ц(ы, -ы )ьс, (4) Ь 1- НО( - т(г 1МЫ - температурные коэффициентысопротивлений тенэорезисторов с сопротивлением НиН...

Номер патента: 1520366

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Маланьин, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...измерений за счет снижения нестабильности начального значения выходного тока и улучшение технологичности конструкции устройства.На чертеже представлено устройство.. Устройство для измерения давления содержит первый 1 и второй 2 операционные усилители, четыре тензореэис" тора, соединенные в мостовую схему 3, первый 4 и второй 5 резисторы, соединяющие выводы измерительной диагонали мостовой схемы 3 соответственно с инвертирукпцим и неинвертирующим лходами первого операционного усилителя 1, первый транзистор 6, второй транзистор 7, третий транзистор 8, первую выходную клемму 9, третий резистор 10, стабилитрон 11, четвертый резистор 12, вторую выходную клемму 13, четвертый транзистор 14, с пятого по восьмой резисторы 15-18, Клемма 9...

Номер патента: 1520365

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Белозубов, Жучков, Павлов, Тельпов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...1-4. При этом тензочувствительная мостовая схема, сформированная на мембране из монокристаллического полупроводникового материала,используется одновременно в качестве45тензочувствительного, термочувствительного и нагревательного элемента,Выходной сигнал снимается с измерительной диагонали мостовой схемы 5и делится на напряжение с диагоналипитания этой схемы в блоке 11 деленияПри этом в зоне воздействия изменяющейся температуры измеряемой среды могут находиться только тензорезисторы измерительной мостовой схемы 5, а остальные элементы 6-11 мо - гут быть расположены в зоне умеренного изменения температуры.Благодаря совмещению функций термочувствительных и нагревательных элементов в тензорезисторах 1-4 уменьшается количество...

Номер патента: 1515082

Опубликовано: 15.10.1989

Авторы: Белозубов, Ескин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...л 1 ел 1 брацы и соединенных междусобой высоколегироваццыми перемычками,фиг. 1),Интегральный преобразователь давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействуетна мембрану со стороны, противоположной плацарной. В мембране возникаютнапряжения и деформации. Тензорезисторы воспринимают деформации и ихсопротивление меняется пропорционально измеряемому давлению. Причем, таккак сопротивление тензорезисторов К 1и К 3 увеличиваются, а тензорезисторовК 2 и К 4 уменьшаются с увеличением,давления, при этом тензорезисторы соединены в мостовую схему, то на выходесхемы формируется выходной сигнал,пропорциональный сумме измерений сопротивлений отдельных тензореэисторов.При изменении температуры окружающейсреды терморезистор...

Номер патента: 1437698

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Белозубов, Зеленцов, Козин, Михайлов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный, температуры

...элемента,Тензосхема и термочувствительныйэлемент соединены с внешней схемойпосредством выводных проводников 7.Упругий элемент жестко заделан вдержатель 8. На той же поверхностинанесены пленка изолятора 9 и пленочный отражающий экран 1 О с отверстием11, открывающим термочувствительныйэлемент,Преобразователь работает следующим образом.При воздействии на упругий элемент 1 измеряемого давления Р ондеформируется, деформация передаетсятензорезисторам 2, которые изменяютсвое сопротивление. Термоэлемент 5расположен под углом 45 О к кристаллографическим осям 11 О, в соответствии с чем продольный и поперечныйпьезорезисторные эффекты в немуравновешиваются и его сопротивлениене изменяется от деформации,Воздействие измеряемой темпера"туры 1...

Номер патента: 1425487

Опубликовано: 23.09.1988

Авторы: Белозубов, Васильев, Ульянов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...измеряемого давления, он расположен симметрично направлениям минимальной тензочувствительности (100)или (010), а длина полосок 1,и Е иширина полосок Ь и Ъ выбраны одинаковыми,Резистивные полоски расположеныперпендикулярно прилегающим сторонаммембраны для облегчения разработки и изготовления фотошаблонов. Кроме того, резистивные полоски расположенына мембране до пересечения с границей 8 раздела мембраны и опорногооснования для идентификации тепловыхусловий термореэистора и тензореэистора, а также для расположения контактных площадок на опорном основании, так как в случае расположенияконтактных площадок на мембране онаможет повредиться при разводке выводных проводников. Вследствие симметричности характеристик мембраны...

Номер патента: 1420346

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Белозубов, Васильев, Жучков, Ишкатов

МПК: G01B 7/00

Метки: датчик, перемещения, потенциометрический

...содержит корпус 1 с размещенными в нем на изолирующем основании2 параллельно одна другой резистивной 3 и низкоомной коллекторной 4дорожками. В корпусе 1 установлен свозможностью линейных перемещенийи подпружиненный относительно негошток 5, предназначенный для связи собъектом контроля (не показан) . Наштоке 5 установлен с возможностью качения по резистивной 3 и коллекторной4 дорожкам токосъемный элемент, выполненный в виде ролика 6 с размещеннымна его оси цилиндрическим постоянныммагнитом 7, В корпусе 1 под резистивной 3 и коллекторной 4 дорожками закреплен прямоугольный постоянный магнит 8, полюса которого расположенынапротив разноименных полюсов цилиндрического магнита 7 токосъемногоэлемента.Потенциометрический датчик перемещения...

Номер патента: 1394074

Опубликовано: 07.05.1988

Авторы: Белозубов, Красильникова, Кремнев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, тензометрический

...трехполоскового меандра в связи с тем, что однополосковый резистор не удовлетворяет номиналу, а двухполосковый и четырехполосковый имеют большой разброс из-эавозможного несовмещения реэистивныхи соединительных слоев фотошаблоновТермореэистор расположен. в одном иэуглов прямоугольной мембраны для того чтобы и еть по костью замкнутый 50мост с односторонним расположениемсоединительных областей,Резистивные полоски 6 направленывдоль направления (110). Реэистивныеполоски соединены между собой перемычками 7, причем одна иэ реэистивных полосок и соединенная с ней перемычка расположены на периферии мембраны и касаются границы 8 раздела мембраны и опорного основания, Вследствие симметричности характеристикимембраны тензорезистор может...

Номер патента: 1174739

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Белозубов, Жучков, Соснин, Тихоненков

МПК: G01B 7/16

Метки: интегральных, мостов, настройки, тензометрических

...температурной погрешности в широком диапазоне температур.На фиг. 1 представлен интегральный тензометрический мост с термочувствительным резистором и напыпенной технологической перемычкой, общий вид; на фиг. 2 - схема включения моста при снятии величины температурного дрейфа.Способ осуществляется следующим образом.При изготовлении тензометрического моста 1, включающего в себя четыре тензорезистора 2"5, в одно из плеч, например, последовательно с тензореэисторами 4 и 5, вводят термочувствительный резистор 6. Выводы тензорезисторов 2-5 образованы соответственно контактными площадками 7-10, а выводы термочувствительного резистора 6 - контактньви площадками 11 и 12. Сопротивление термочувствительного резистора б выбирают таким, чтобы оно...