Белозубов

Номер патента: 1775627

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...и 15 соответственно. Корпус выполнен из сплава 29 НК-ВИ, оболочки 2 и 8 выполнены из никелевого сплава. Оболочка 7 выполнена из легкого сплава олово-висмут, Диэлектрические кольца из вакуумплотной стеклокерамики СК. Упругие диэлектрические прокладки выполнены из армированного политетрафторэтилена. Диэлектрическое кольцо 16 служит для электрической изоляции корпуса.Способ реализуется следующим образом. Формируют токопроводящие электроды в виде двух сферических оболочек разного диаметра, сопряженных с цилиндрическими оболочками. Формирование проводится известными методами механической обработки, термо- или гальванопластики с последующей сваркой или пайкой. Помещают сферическую оболочку меньшего диаметра внутрь сферической оболочки...

Номер патента: 1770791

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Белозубов, Каневская, Ульянов

МПК: G01L 11/00

Метки: датчика, струнного

...и температур рекристаллиэации. При этом с целью уменьшения температурных погрешностей при эксплуатации упругий элемент с выступами изготавливают из материала с аналогичным или близким ТКЛР. Помещают струну и упругий элемент в защитную среду, В качестве защитной среды используется инертный газ или вакуум. Нагревают струну 4 пропусканием электрического тока через нее при помощи токопроводов 5, Величину электрического тока подбирают экспериментальнцм путем, Температура нагрева струны превышает температуру размягчения изоляционного материала, но меньше температуры рекристаллизации струны,Внедряют струну в изоляционный материал. Внедрение сгруны осуществляется параллельнцм перемещением струны в направлении упругого элемента, Перемещение...

Номер патента: 1765729

Опубликовано: 30.09.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...и окружных тензорезисторов имеют одинаковые размеры вдоль радиусов мембраны, так как с одной стороны они ограничены дугами окружности, расположенной на опорном основании и равноудаленной от границы раздела мембраны и опорного основания, а с другой стороны, дугами размещенной на мембране окружности, равноудаленной от границы раздела мембраны и опорного основания, то, несмотря на нестационарный характер изменения температуры, на планарной стороне мембраны среднеинтегральная температура окружных и радиальных тензорезисторов, изменяясь со временем, будет одинакова в каждый кон кретный момент времен и. Одинаковая температура радиальных и окружных тензорезисторов в каждый конкретный момент времени вызывают одинаковые изменения сопротивлений...

Номер патента: 1760414

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Апакин, Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...давления отличается тем. что в него10 элементами на продольной оси корпуса, адругие части всех проводников герметично,20 30 35 введен корпус с двумя параллельным торцовыми поверхностями и осевым центральным отверстием под выводные проводники, при этом основной и дополнительный упругие элементы герметично соединены между собой по периферии, герметична прикреплены к одной из торцовых поверхностей корпуса и расположены симметрична и параллельно аси корпуса, причем три выводных проводника выполнены из адножильнаго кабеля в металлической оболочке, два из них своей частью размещены в кон центричных а гносительно центра мембраны пазах, выполненных зеркально-симметрично в опорных основаниях основного и дополнительного упругих элементов, третий...

Номер патента: 1760410

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белозубов, Зыков

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...+1 ощ 1 п2 Н, сЬя дТНр- 1гр. ь +2 а игде Но - ширина перемычки, соединяющей окружные тензорезисторы;Нр - ширина перемычки, соединяющей радиальные тензореэисторы;опах.оеь - максимальная и минимальная длина перемычки, соединяющей окружные тензореэисторы;11 роах, 11 рап - МаКСИМаЛЬНая И МИНИ- мальная длина соединительных участков внешней перемычки, соединяющей радиальные тензорезисторы;12 рвзх, .2 ре 1 о - МаКСИМаЛЬНая И МИНИ- мальная длина соединительных уча.тков внутренней перемычки, соединяющей радиальные тензорезисторы;а - размер сторонь 1 тензорезистора, сопрягающейся с перемычкой.л= 3,14,На фиг, 1 изображен общий вид предлагаемого датчика давления; на фиг, 2 - фрагмент топологии окружных тензореэисторов;на фиг. 3 -...

Номер патента: 1760409

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белозубов, Зиновьев, Любомиров, Чевтаева

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...окружных и радиальных тензорезисторов равно сумме изменений сопротивлений соответствующих идентичных тензоэлементов, а во-вторых, изменения сопротивлений соответствующих элементов равны между собой,увеличение сопротивления противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противополокно включенных радиальных резисторов преобразуется мостовой схемой в электрический сигнал, который поступает на выходные контакты датчика. При воздействии нестационарной температуры измеряемой среды (термоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкой мембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерное поле температур. В связи с тем, что тенэоэлементы радиальных и окружных тензореэисторов имеют...

Номер патента: 1760408

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Белозубов, Белозубова, Маланьин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...уменьшается, В связи с тем, что окружные и радиальные тензорезисторы выполнены е виде последовательно соединенных низкоомными перемычками и равномерно размещенных по периферии мембраны идентичных тензоэлементов, то, во-первых, изменение сопротивления окружных и радиальных тензореэисторов равно сумме изменений сопротивлений соответствующих тензоэлементов, а во-вторых, изменения сопротивлений соответствующих тензоэлементов равны между собой.Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противоположно включенных радиальных резисторов преобразуются мостовой схемой в электрический сигнал, который поступает на выходные контакты датчика. При воздействии нестационарной температурь 1 измеряемой среды...

Номер патента: 1755074

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Белозубов, Мокров

МПК: G01L 9/12

Метки: давления

...на величину,отличную от изменения размеров втулки,вследствие отличия ТКЛР втулки от ТКЛР 25опорного основания, В результате этого зазор между электродами, а следовательно, иемкость (С 1) дополнительных электродов изменяются в зависимости от температуры.Так как длина втулки выполнена в соответствии с заявляемым соотношением,то изменение емкости дополнительныхэлектродЬв от температуры будет таково,что скомпенсирует идентичное изменениеемкостей г 1 ервой и второй пар от температуры. Таким образом, на выходе усилителя 17формируется выходной сигнал, не зависимый от температуры.Расположение электродов дополнительной пары электродов по периферии 40опорного основания ина дополнительномкольце позволяет выполнить дополнительную емкость...

Номер патента: 1749731

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, интегральный

...формирова- пенсация осуществляется с высокой точнония базового слоя транзистора Т итензоре- стью и, следовательно, повышается-зисторов В - Вд. Средняя линия 9 точность измерений давлений в условияхпрямоугольных областей базы 7 совпадает 20 быстроизменяющейся температуры измесо средней линией расположения тензоре- ряемой среды,эисторов Йф-Ви, равноудалена от сторон 4 Кроме того, в конструкции базытранэимембраны 2 и параллельна сторонам 4, стора Т одна прямоугольная область базы 7Эмиттер 8 и -типа проводимости располо- испытывает положительйые напряжения, ажен в центре области примыкания прямо другая прямоугольная область, располоугольных областей базы 7. На одинаковомженная под прямым углом к первой области,: .расстоянии...

Номер патента: 1746330

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Арбузов, Белозубов, Ларкин, Маланьин

МПК: G01R 27/26

Метки: датчика, емкости

...функциональная схема устройства.Устройство состоит иэ источника 1 напряжения, первого 2 и второго 9 ключей, мультивибратора 11, выход которого соединен с управляемыми входами первого и второго ключей, измеряемой Сх и опорной Соп емкостей датчика, первые выводы которых объединены вместе ичерез первую клемму 5 подключены к входу усилителя 7, причем выход источника напряжения соединен с .переключающим контактом первого ключа, размыкающий контакт ключа соединен с второй клеммой 3, а замыкающий с третьей клеммой 4, образцовая емкость 6 подключена между выходом и входом усилителя, выход которого через выпрямитель 8 подключен к переключающему контакту второго ключа, выходы которого соединены с входом логометра 10,Устройство работает следующим...

Номер патента: 1744541

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Белозубов, Ульянов

МПК: G01L 11/00

Метки: датчика, струнного, чувствительного, элемента

...струнного датчика.Способ изготовления реализуют следующим образом,Формируют упругий элемент 1 с двумя выступами 2. Выполнят струну 4 из электро- проводного тугоплавкого материала, например из вольфрамрениевого сплава ВР. Формируют в выступах 2 пазы 3, Формирование пазов можно проводить любым известным методом, например фрезерованием.Формирование пазов можно проводить и в одном цикле с изготовлением упругого элемента 1 и выступов 2. Вплавляют в пазы 3 изоляционный материал 5 с меньшей температурой размягчения по сравнению с температурой рекристаллизации материала струны 4. В качестве этого материала можно использовать стекло С 52-1, имеющее температуру размягчения 585 С. Температура рекристаллизации сплава ВРравна 1500 С. Затем...

Номер патента: 1744531

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...в окружных и радиальных резисторах одинаково и равно отношению сопротивления тензорезисторов к поверхностному сопротивлению, т.е. рано 7,Датчик давления работает следующим образом.Давление измеряемой среды воздействует на мембрану и цилиндрическое опорное основание. Под воздействием измеряемого давления на мембрану в ней и консольном участке возникают радиальные и тангенциальные напряжения, которые приводят к появлению на планарной стороне мембраны и консольного участка радиальных аитангенциальных я, деформаций (фиг.2, Зб).Под воздействием измеряемого давления на цилиндрическое опорное основание в месте сопротивления мембраны и опорного основания возникает изгибающий момент Мг и усилие, направленное по радиусу мембраны (фиг,За), На...

Номер патента: 1744530

Опубликовано: 30.06.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...увеличивается, Тензоэлементы, расположенные на границе раздела мембраны и жесткого центра (тензорезистор ВЗ), подвергаются воздействию растягивающих радиальных деформаций, направленных перпендикулярно длине тензоэлемента. В силу этого воздействия сопротивление тензоэлементов, образующих тензорезистор ВЗ, а следовательно, и самого тензорезистора ВЗ, уменьшается. При воздействии тангенциальных деформаций в тензорезисторах В 5 - В 8 происходят аналогичные процессы. Изменение сопротивлений тензорезисторов В 1 - В 4 измери ьн ы м мостом 4 преобразуется в выходной сигнал. Изменение сопротивлений тензорезисторов В 5 - В 8 измерительным мостом 10 также преобразуется в выходной сигнал. В случае, если датчик находится в стационарных температурных...

Номер патента: 1744529

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Белозубов, Зиновьев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления

...изменения сигналов от температуры на обоих измерительных мостах практически одинакова по абсолютной величине, но имеет противоположные знаки. Противоположные знаки изменения выходных сигналов от термоудара на выходах измерительных мостов обусловлены тем, что тензорезисторы, работающие на уменьшение сопротивления от измеряемого параметра, прилегают к опорному основанию в мосте из радиальных тензорезисторов, а в мосте из окружных тензорезисторов прилегают к жесткому центру, тензорезисторы, работающие на увеличение сопротивления от измеряемого параметра, прилегают к опорному основанию в мосте из окружных тензорезисторов, а в мосте из радиальных прилегают к жесткому центру.Таким образом, после суммирования сигналов, усиленных в...

Номер патента: 1739225

Опубликовано: 07.06.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостной

...на основе композиции молибден-никель (Як = 0,1 Ом/квадрат, пк= = 6, а = 3,6 10 С. Заявляемое соотношение в этом случае выглядит следующим образом.- з100636 "0 0113110 - зЕмкостный датчик давления работает следующим, образом,Под воздействием измеряемого давления на мембрану датчика жесткий центр мембраны, а следовательно, и расположенный в области жесткого центра подвижный электрод первой пары перемещается в направлении подвижного электрода, В результате этого межэлектродный зазор этой пары электродов уменьшается, а его емкость соответственно увеличивается, Емкость второй пары электродов не зависит от измеряемого давления вследствие сравнительно массивного опорного основания. Сопротивление электродов от давления не зависит вследствие...

Номер патента: 1732201

Опубликовано: 07.05.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...(не показаны), котороеформирует выходной сигнал, зависящийот отношения емкостей второй парыэлектродов и первой, а следовательно,и от измеряемого давления. При воз действии на датчик повышенной температуры емкость электродов первойпары изменяется в силу различныхпричин, Емкость электродов второйпары также изменяется, но так как 50 .длина втулки выбрана исходя из заявляемых соотношений, то изменениеемкости электродов второй пары будеттаково, что отношение емкостей второй и первой пары электродов в мини мальной степени будет зависеть оттемпературы. Один из электродов вто"рой пары расположен на стороне диска,более удаленной от мембраны, а другой электрод второй пары размещен(8) на пластине, установленной при помощи прокладки на...

Номер патента: 1727009

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...Прекращают воздействие усилия. Помещают упругий элемент и пластину в корпус, приваривают выводной проводник к гермоконтакту. Помещают датчик в установку электронно-лучевой сварки ОЗЛЭВ-1. создают в камере вакуум 10 Па. Нагревают его до максимально допустимой рабочей температуры 800 ОС. Нагрев датчи55 ка в вакууме приводит к испарению окислов, нитридсв и гидридов с внутренней поверхности датчика и, что особенно важно, с поверхности электродов и выводных проводников, Одновременно с процессами обезгаживания, удаления окислов, нитридов и гидридов происходит процесс взаимной диффузии материалов контактной площадки и выводных проводников под воздействием усилия, температуры и вакуума, т,е. происходит процесс диффузионной сварки в...

Номер патента: 1727008

Опубликовано: 15.04.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...а другой - на противолежащей монолитной пластине. Упругий элемент и пластина герметично соединены по периферии с деформацией в пределах упругости монолитных пластин и выводов при помощи втулки 16,Емкостный датчик давления работает следующим образом.Измеряемое давление воздействует на мембрану датчика, Под воздействием измеряемого давления жесткий центр мембраны, а следовательно, и жесткий центр монолитной пластины и расположенный в области жесткого центра подвижный электрод измерительного конденсатора перемещаются в направлении неподвижного электрода измерительного конденсатора, В результате этого межэлектродный зазор измерительного конденсатора уменьшается, а его емкость соответственно увеличивается, Емкость опорного конденсатора...

Номер патента: 1717978

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...площадками, Размещают выводные проводники на контактных площадках. Прикладывают к центру диска усилие, направленное в сторону мембраны, прижимая тем самым утолщения к мембране до соприкосновения диска в областях расположения утолщений. Вакуумируют и герметизируют датчик, нагревают датчик до максимальной рабочей температуры, выдерживают при этой температуре не менее 30 мин и охлаждают его до полного восприятия датчиком температуры нормальных климатических условий.Датчик давления работает следующим образом,При воздействии на мембрану измеряемого давления в ней возникают радиальные и тангенциальные деформации, В результате воздействия деформаций сопротивления тензорезисторов изменяются пропорционально деформациям. Изменение...

Номер патента: 1712986

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Чистякова

МПК: H01L 21/34

Метки: механических, перемещений, полупроводникового, преобразователя

...равную величине О зазора. Вторым окислением создают пленку Я 02 толщиной 0,4 - 0,5 мкм, вытравливают окна под щели собоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 1252 мкм.После третьего окисления нэ глубину 0,2 - 0,3 мкм формируют в щелях участки ЯО 2, соотетствующие перемьчкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20+2 мкм. Напылением и1712986 Составитель Е.ПановРедактор А.Долинич Техред М.Моргентал Корректор Э.Лончаковэ Заказ 538 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 фотолитографией формируют...

Номер патента: 1712802

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Белозубов, Зиновьев

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...величин сопротивлений каждого плеча моста от перепада температур не приводят к ложному изменению выходного сигнала, Полная компенсация в мостовой схеме достигается также в результате того, что в каждом плече радиальные и окружные тензорезисторы соединены идентичными контактами в форме секторов колец, расположенных на одинаковых расстояниях от окружности жесткого центра и внутренней окружности утолщенного периферийного участка, т,е. их среднеинтегральная температура имеет равную величину, а следовательно, и температурные изменения величины сопротивлений от каждого из проводящих контактов в каждом плече моста одинаковы, Таким образом, на выходе измерительной мостовой схемы происходит изменение сигнала, пропорциональное изменениюдавления...

Номер патента: 1702197

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик

...и В 2 диафрагмы ряв 4 ы (В 1=В 2) и радиусь кесткого центов 2 мембраны и диафрагмь( равны (го 1=гог), можно сделать вывод, что С 1- Сг.Для тоо чтобь под воздействием е(броускорония вели (и 4 а зазора между цстральньли эл "ктродами не изменялась, необходимо, чтобы прогибы от воздействия виброускорения у жестких центров 2 и 10 мембпяны и диафрагмы были равны, т,е, С(О 1= 0412, В (.ООТ ВЕТСтВИИ С ЭТИМ, ПРИРаВНЯВ правые части равенства (1) и (2), получим0 В 2 6 Вг 2АЮ- - , --- Авг . (3)Е3Е 2"2Учитывая предыдущие соображения (Вг=В 1, С 1= С 2) можно эа и исать;3 Г 1-,п 1 ) 01 В 1(9 Йг 3 (1 -,иг )1:2 "2В солон с те тп толщина жесткого ЦЕНтРа СУЦЕст:ЕНО г;О(ЬШЕ ТОЛЩИНЫ МЕМ- бр; ны или дафРгм -(, пряктически вся присигнал, однозначно...

Номер патента: 1702196

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик

...гс: ),к ь н:. дивектрике и выголноны из комгозиции ванадий-никель толщи ЭЙЛК 3, Бс ЧНа Е)КЗЛ(3:ТРОГ)Н;.ГО зазор 50 мкм.Цсдгчнх Л ВР3рлбс)1 ЗЕГ С)ад)р(О 31 М 5 Рб )."Б Н(1 ,Ч) 1О)30)с(Е 1 Л 3 О 1 )с 11.8 и г)оп г ч: Г ", 1 п элекподц мембраи Н . . с, Ч - 3,3,с)",КОСТИ, 1 И 1, 31 с,"(П. .сг ,Еаед С Я ,3 ;3 У Л" Л КССГ, 3.,3, Уса тОК 3 С)МБс)Н Ву,3,:, " Отс,",т с:са Г я сд ,; .Леал.-:, :, у сс,КО,.;Г цс 3 раЛЬНОГО И ,Ои.ер "3)а 1.:аторов Оказд 1 аст 3.) О 1ТО, -,д си)Цд:ЬО 1;с/а ИгЕП г)С. ОадСта(ННО О 33-.3;. б И МЕМбраНЫ. прИЧЕМ ЗТО СЛ ЯН.", Ь 3,.ЧЕЛ. НОЙ М;РЕ,И" зиро аг) фог) Иговачием выходног) си а 3 а, В З.: . П Р.г: О; ОШРНИЯ ЗначеИ ЛО 3 ЕРИС)РГ)И 1 и1 ЗН 1 РаЛЬНОЙ ЕМКОСтойГ;,ээтнч, е:, 1 олО 3)н дискс . лачбоа"1 ЬбрадгСладуООИХ...

Номер патента: 1696919

Опубликовано: 07.12.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...вопервых, изменение сопротивления окружных и радиальных тензорезисторав будет равно сумме изменений сопротивлений соответствующих резистивных квадратов, а во-вторых, изменения сопротивлений соответствуЮщих резистивных квадратов равны между собой, Увеличение сопротивлений противоположно включенных окружных резисторов и уменьшение противоположно включенных радиальных резисторов преобразуется мостовой схемой в электрический сигнал, котЬрый поступает на выходные контакты датчика. При воздействии нестационарной температуры измеряемой среды (термоудара) вследствие различных термических сопротивлений сравнительно тонкой мембраны и массивного опорного основания на мембране возникает неравномерное .поле температур. Так как размеры сторон...

Номер патента: 1696918

Опубликовано: 07.12.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...аналогичных причин .Сектор радиального тензорезистора (фиг. 4) подвергается воздействию растягивающих тангенциальных деформаций, направленных перпендику- " лярнО длине резистора, и сжимающих радиальных деформаций, направленных вдоль длины резистора. В результате воздействия таких деформаций сопротивление сектора радиального тензорезистора уменьшитсяВ связи с тем, что окружные и радиальные тензорезисторы выполнены в виде последовательно соединенных низкоомных перемычками и равномерно размещенных по периферии мембраны идентичных секторов, то во-первых, изменение сопротивления окружных и радиальных тензорезисторов будет равно сумме изменений сопротивлений соответствукицих секторов, а во-вторых, изменения сопротивлений соответствующих...

Номер патента: 1682842

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...сжимающим деформациям, направленным вдоль тензоэлементов, и растягивающим деформациям, направленным поперек тензоэлементов, В результате этого под воздействием измеряемого давления сопротлвлеиие двух противолежащих плеч возрастает, а сопротивление двух других плеч моста уменьшается. Поэтому на выходе моста появляется выходной сигнал, однозначно связанный с давлением измеряемойсреды. При воздействии на мембрану датчика нестациоиарной температуры измеряемой средц вследствие различных термических сопротивлений непосредственно мембраны и опорного основания температура в центральной части мембраны в общем случае существенно отличается от температуры на периферии мембраны.Так как тензоэлементы выполнены в виде идентичных квадратов,...

Номер патента: 1677540

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Белозубов, Ишкатов

МПК: G01L 9/12

Метки: давления, датчик, емкостный

...с электродами 8 и 9 образуют измерительный и эталонный конденсаторы, заключенные в замкнутую герметичную полость при помощи кольцевой прокладки 4. Пластина 3 и дополнительный диск 5 образуют конденсатор температурной компенсации, Электроды 8 и 9. пластина 3 и дополнительный диск 5 соединены проводниками с выводами 14 из герметичной зоны, ограниченной кожухом 15.Датчик работает следующим образом, Измеряемое статическое и динамическое давление высокотемпературной среды воздействует на упругий элемент 2, вызывая перемещение электрода 8 измерительного конденсатора, что приводит к изменению его емкости по сравнению с емкостью эталоного конденсатора. Одновременно от воздействия температуры и пропорционально ее величине меняется емкость...

Номер патента: 1677539

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Белозубов, Зиновьев, Кузекмаев

МПК: G01L 19/04, G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...Тензорезисторы соединены в мостовую схему фиг,2) и защищены от влияния внешних факторов термопроходником 10,Для обеспечения максимальной чувствительности.ширина кольцевой перемычки выбирается из зависимости где г- наружный радиус внутреннего пологоцилиндра.При этом толщина стенок внутреннего ивнешнего полых цилиндров 3 и 4 и толщинаперемычки 5 выбраны из соотношения где О - толщина стенки внешнего полого цилиндра;й - толщина стенки внутреннего полого цилиндра,п - толщина перемычки,На фиг.З показан характер переноса теплоты через внутренний и внешний полые цилиндры по длине при воздействии термо 5 10 15 20 25 30 удара на разделительную мембрану в моменты времени г 1, т 2 тз, На фиг,2 показан характер изменения температуры на кольцевой...

Номер патента: 1675702

Опубликовано: 07.09.1991

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ся в стационарных температурных условиях, т.е. когда температура в области границы раздела мембраны и жесткого центра и температура в области границы раздела мембраны и периферийного основания не отличаются друг от друга, в связи с тем, что тенэореэисторы образованы идентичными элементами в виде квадратов и в связи с тем, что две противолежащие стороны каждого квадрата расположены параллельно радиусам мембраны, проведенным через центры соответствующего квадрата, разность сигналов с измерительных мостов равна нулю.На выходе дифференциального усилителя 16 появляется сигнал пропорциональных сумме сигналов измерительных мостов, так как сигнал с дополнительного измерительного моста прежде, чем попасть на вход...

Номер патента: 1675700

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Белозубов, Бещеков, Марин, Шпилев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительного, элемента

...контакте наружных (нерабочих) его частей с поверхностью деталей датчика в зоне шва профиль рабочей поверхности бойка 1 обеспечивает регламентированную по высоте осадку металла шва на определенной длине . Величину каждого импульса ударной нагрузки Р также выбирают из определенного соотношения. После первого произвольного по месту шва приложения ударного импульса последующий импульс прилагают под углом а к направлению ииложения предыдущего импульса, производя отсчет величины угла а в направлении по часовой стрелке. Процесс приложения импульсов к сварному шву продолжают до тех пар, пака выходной сигнал датчика не достигнет заданных значений (с.балансиройанного начального выходного сигнала), 5 ил. взводят ударный механизм. Частота ударов...