B23K 1/12 — B23K 1/12

Номер патента: 1268331

Опубликовано: 07.11.1986

Автор: Доронин

МПК: B23K 1/12

Метки: емкостях, запаивания, металлических, негерметичностей

...может быть использовано в различных отраслях народного хозяйства при ремонте емкостей и трубопроводов.Цель изобретения - повышение качества ремонта течей путем улучшения условий смачивания паяемых поверхностей расплавленным припоем.Способ осуществляется следующим образом,Ремонтируемое место зачищается от загрязнений, на него накладывают и закрепляют металлическую сетку в ячейки сетки втирают сухой флюс, наг. ревают место ремонта и сетку пламенем газовой горелки до температуры пайки и подают припой.Металлическая сетка удерживает флюс до его расплавления и обеспечивает его удержание при дальнейшем нагреве. Отсутствие во флюсе вспомогательных веществ для е.го закрепления в зоне пайки увеличивает эффективность защиты эоны пайки от окисления...

Номер патента: 1269930

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Павлынив, Полухин, Романовский, Сердюк

МПК: B23K 1/12, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...кристалл подвергают травлению, производят контроль параметров прибора., нанесение защитного покрытия и герметизацию прибора.25Проведение травления после пайки, а также введение промежуточной термообработки позволяют снизить остаточные механические напряжения в спаях и полупроводниковом кристалле, что повышает качество приборов и стабильность их характеристик.Пример. Г 1 олупроводниковый кремниевый кристалл с тиристорной структурой в нем паяют с основанием корпуса и выводами (арматура тиристора) в водородной конвейерной печи одновременно - за один температурно-временной цикл, Все паяные швы выполняют припоем одного и того же состава (марки ПОС 2, температура полного расплавления которого близка к 320 С.Пайку ведут при 400+- 10...

Номер патента: 1279767

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Баресков, Деркач, Маслюков, Сагалович, Семенов

МПК: B23K 1/12

Метки: конструкций, контактно-реактивной, медностальных, пайки

...реализуют следующимобразом.На паяемую поверхность одной изсоединяемых деталей (медную илистальную) наносят палладиевое покрытие. Затем детали собирают, размещаяв паяемом зазоре медный и серебряныйслои, приводят соединяемые поверхности в соприкосновение, осуществляютнагрев вьше температуры контактногоплавления пары медь-серебро на 150230 С и охлаждение.Слой палладия не должен препятствовать контакту пары медь-серебро.В случае использования в качестве25медного слоя самой медной деталипалладиевое покрытие наносится настальную деталь.Перегрев на 150-230 С выше. темпеоратуры контактного плавления парымедь-серебро обеспечивает полное заполнение паяемого зазора, а растворение в образовавшейся жидкой фазе,палладиевого покрытия резко...

Номер патента: 1296335

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Альтман, Баронин, Левин, Рифтин, Церфас

МПК: B23K 1/12

Метки: высоковольтного, диода

...быть расположен у одного из его полюсов. Изобретение относится к производству полупроводниковых высоковольтныхциодов, применяемых, например, в блоках строчной развертки цветных телевизоров. 5Цель изобретения - упрощение операции определения полярности столбиков.На фиг.1 изображен пакет пластинс дополнительной пластиной из лористого никеля, разрез; на фиг,2 - зависимость процента лома столбиков прирезке пакета алмазными дисками отпроцента пористости никеля; на фиг,З -схема расположения кассет и магнита 15при рассортировке столбиков по полярности,Способ изготовления высоковольтного диода заключается в следующем.Пластины 1 с р-и-переходом собирают в пакет с размещением между ними припоя 2. К одной стороне пакетаприсоединяют...

Номер патента: 1298017

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Починкова, Старостенко

МПК: B23K 1/12

Метки: изоляции, проводов, соединения

...между электродом и проводами лля образования между проводами соединения в виде шарика. Данный способ позволяет исключить поврежление изоляции эмалевых проводов и повысить безопасность труда за счет исключения высокого напряжения 1 нлИзобретение относ(ггся к .в: оке :быть иснользОВз НО при н им о Гкс кс 11 71 етрансформаторов, дросселей и,р) гнх отс, -ных изделий, з тзкже при их ) онтз)кеПел(10 изобретения являс(ся;1)еде 1,ЩЕНИЕ НОВ )ЕЖД(1 ИЗО,(ЯП:, И 1 ро р; ОвВ ЗОНЕ КОНтЗКтИРОВЗНИЯ С ПЕР (ЫМ З тр ГЛдом проводов с эмзле:,-;ой изол .,ией.11 З с(ЕРГЕЖЕ ПОКЗЗЗНЗ СХЕМ Ь .:ЖЧ а вэлектрической дх(и (еждм к;)низ 1В эм(171 евой изог яд(и, зз жить ми В .сэлектроде, и Вторым элс 1,Т)одомС ПОСОГ) КГЕ тв и,- с,ЗОМ.Проводз Г с эъ:влево ( (зо 0.1...

Номер патента: 1304109

Опубликовано: 15.04.1987

Автор: Мансуров

МПК: B23K 1/12, H01Q 13/02

Метки: конического, ребристого, рупора

...удаляют.Способ осуществляют следующим образом.Вытачивают из алюминиевого сплава АМЦ тонкостенный конический держатель и усеченный полый конус, выполняют на наружной поверхности конуса 20 кольцевые канавки, например, шириной 2 мм, глубиной 4 мм и ребра толщиной 0,4 мм, сверлят в каждой 2-4 технологических отверстия 41 мм и покрывают внутреннюю поверхность конического держателя пригоем, например, в виде фольги из эвтектического силумина. Вставляют усеченный полый конус в конический держатель, выдерживая зазор между ребрами и внутренней поверхностью держателя до 0,5-1 мм, погружают предварительно прогретые до 550- 570 С конический держатель и полый конус в ванну с расплавленным флюсом 16 ВК, заполняют кольцевые канавки расплавленным...

Номер патента: 1325603

Опубликовано: 23.07.1987

Авторы: Альтман, Головнин, Рифтин, Столбов, Церфас

МПК: B23K 1/12, H01L 21/50

Метки: полупроводниковых, приборов

...импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности...

Номер патента: 1355396

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Белецкий, Иванченко, Соловьев, Цой, Яковенко

МПК: B23K 1/12

Метки: запаивания, микротечей

...покрытия с образованием эвтектики. Следовательно, за счет ограничения глубины пропая трещины не нарушается предварительное перекрытие течи, что препятствует попаданию углеводородной среды в зону пайки, обуславливая этим качественную пайку как на поверхности ме 96 2талла, так и по всей глубине пропая трещины.При выборе материала для покрытия можно использовать галлий или легко.плавкие сплавы, богатые галлием, которые обладают самофлюсующими свойствами, При использовании галлия или его сплавов в качестве покрытия целесообразно применять для запайки трещин индиевые припои, так как эти припои при взаимодействии с галлием образуют эвтектические сплавы с более низкой температурой плавления и обладают самофлюсующими свойствами.П р и м е...

Номер патента: 1399036

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Белецкий, Бушков, Иванченко, Соловьев, Фомичев, Чепурский, Яковенко

МПК: B23K 1/12

Метки: запаивания, микротрещин

...за счет пластической лефорхд 1;.Ии ес краев проще и технологичнее, чем перекрытие трещины путем занрессонки ее полости пластическим металлом, особенно нри малом раскрытии микротрещины и при повышенных скоростях выхода из них углеводородной среды.(1 ример. Были запаяны микротрешины с раскрытием 0,3- 0,5 мкм и длиной20- 150 мм на стальном вертикальном резервуаре вместимостью 50 тыс.м, без освобождения его от углеводородной среды Нефти), т.е. резервуар в момент ремонта находится под рабочим давлением углеводородной среды.В качестве припоя был применен легкоплавкий припой 11 ОИн 52 с температурой пайки 130-С. Г 1 роцесс нагрева Осуцествлял.ся индукционным нагревателем с напряжением 220 В+. 107 О, ток 23 А, 50 Гц.Дефектное место (зону...

Номер патента: 1428534

Опубликовано: 07.10.1988

Автор: Голов

МПК: B23K 1/12

Метки: пайки, электрорадиоэлементов

...штырьковыми вы врдами, а потом устанавливают и ориентироваино фиксируют (например, с помощью клея) электрорадиоэлементы 5 аланарными выводами, При этом отформованные и облуженные планарные 20 цыводы электрорадиоэлементов 5 располагают над металлизированными отверстиями 1 соответствующих площаДок 2.Подготовленную плату 3 с электрорадиоэлементами 4 и 5 устанавливают на линию пайки волной припоя, где она последовательно проходит зоны флюсования, предварительного нагрева и зону пайки волной припоя, 30 Жидкий припой за счет капиллярного эффекта втягивается в горячие металлизированные отверстия 1, осуществ 1. ляя пайку выводов, При этом припой растекается между контактными площадками 2 и планарными выводами электрорадиоэлементов 5. После...

Номер патента: 1454596

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Гапон, Долгов, Моторин, Рабодзей, Светличный

МПК: B23K 1/12, B23K 3/00

Метки: кристаллов, пайки, полупроводниковых, процессом

...в процессеприпайки,Использование устройства в составе установки для пайки диодных кристаллов на основании (траверзы) сконтролем сопротивления контактногоперехода обеспечивает надежную регистрацию момента завершения пайки,повышения производительности процессапайки, надежности паяных соединенийи увеличение процента выхода годныхнапаянных кристаллов за счет исключения риска их перегрева в процессепайки. 20 Формула изобретения Устройство для управления процессом пайки полупроводниковых кристаллов, содержащее генератор тока, выход которого соединен с контактирующим узлом, и блок управления с индикаторным узлом, о т л и ч а ю щ е е с я на припаиваемый кристалл. В промежутках между импульсами нагревающего тока на припаиваемый кристалл...

Номер патента: 1505699

Опубликовано: 07.09.1989

Авторы: Буряченко, Журавский

МПК: B23K 1/12

Метки: кристалла, пайки, полупроводникового

...кристалл транзистора КТ 826 А, покрытый при подготовке его к пайке слоем никеля, толщиной о 8 мкм и слоем золота 3 - 4 мкм, устанавливают через слой припоя на контактную площадку металлического основания из молибдена, покрытую предварительно слоями никеля и золота, и фиксируют эту сборку в кассете. Затем кассету со сборкой помещают в устройство для пайки, снабженное электромагнитами так, что силовые линии проходят перпендикулярно поверхности кристалла. Детали нагревают до температуры плавления припоя, выдерживают в течение времени, достаточного для образования паяного соединения, и охлаждают. Магнитное поле может быть как постоянным, так и переменным. Пайку проводят в течение 2 - 3 мин в магнитном поле напряженностью 500 Э н в...