Устройство на магнитостатических волнах

(5) 4 Н 01 Р 1/215, 9/00 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ. КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙффффмОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ц :К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(7 1) Научно-исследовательский институт механики и физики Саратовскогогосударственного университета,Мдс 1 оюаче дечсе арр 1 саСюпз оГердаха 1 Гегг 1 па 8 пегс Г 11 вз. Яойдсзаге Веч 1 сез рарег. 1972,р. 99-100.(54) УСТРОЙСТВО НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ(57) Изобретение может использоваться в качестве фильтра и линии задержки в радиотехнических и измерительных системах миллиметрового диапазона длин волн. Расширяется рабочий диапа- зон частот, Устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину, 1, в которой выполнена выборка 6 и на одной стороне - Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка (0) 3 и 4 щелевых линий, на которых расположена ферритовая пленка (ФП) 5, а также металлический экран, состоящий из двух взаимно перпендикулярных прямоугольных пластин (ПП) 7 и 8. СВЧ-сигнал, поступающий в 0 3, возбуждает в ФП 5 стоячие или бегущие магнитоста-тические волны, которые, в свою очередь, возбуждают СВЧ-сигнал в 0 4, который является выходной линией передачи. Если в ФП 5 возбуждают стоя- . чие (бегущиЕ) магнитостатические волны, то устройство является Фильтром (линией задержки). 1 ил.12 Фо рм ул а и зо бр ет ен ия Составитель В. ЗубковТехред Л.Олейник Корректор Г.Решетник Редактор А. Шишкина Заказ 1721/56 Тираж 597 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент". г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано в качестве фильтра и линии задержки в радиотехнических и измерительных системах миллиметрового диапазона длин волн.Цель изобретения - расширение рабочего диапазона частот.На чертеже изображено устройство на магнитостатических волнах.Предлагаемое устройство содержит прямоугольную диэлектрическую пластину 1, на одной стороне которой выполнено Н-образное металлическое покрытие 2, образующее два идентичных отрезка 3 и 4 щелевых линий (отрезок 3 является входной, а отрезок- выходной линиями передачи), ферритовую пленку 5, расположенную на отрезках 3 и:4 со стороны Н-образного металлического покрытия 2, и магнитную систему .(не показана; стрелками Н ь отмечены, направления создаваемого ею магнитного поля). В прямоугольной диэлектрической пластине 1 выполнена выборка 6, расположенная между плоскостями короткого замыкания отрезков 3 и 4 на равном расстоянии от них. В устройство на магнитостатических волнах введен металлический экран, состоящий из двух взаимно перпендикулярных прямоугольных пластин 7 и 8Прямоугольная пластина 7 расположена в выборке 6. Плоскость прямоугольной пластины 8 параллельна плоскости Н-образного металлического покрытия 2, причем расстояние между каждым краем прямоугольной пластины 8 и ближайшей плоскостью короткого замыкания отрезков 3 и 4 не менее 3 где А - длина волны в щелевой линии.Устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом. 23317 2СВЧ-сигнал, поступающий в отре-зок 3, возбуждает в ферритовой пленке 5 стоячие или бегущие магнитостатические волны, который в свою очередь возбуждают СВЧсигнал в отрезке 4, являющемся выходной линиейпередачи. Если в ферритовой пленке 5возбуждаются стоячие магнитостатические волны, то устройство на магнито О статических волнах является фильтром.Если в ферритовой пленке 5 возбуждаются бегущие магнитостатические волны, то устройство является линиейзадержки.5 Устройство на магнитостатическихволнах, содержащее прямоугольную ди электрическую пластину, на одной стороне которой выполнено Н-образноеметаллическое покрытие, образующеедва идентичных отрезка щелевых линий,ферритовую пленку, расположенную на 25 отрезках, щелевых линий со стороныН-образного металлического покрытия,и магнитную систему, о т л и ч а ю -щ е е с я тем, что, с целью расширения рабочего диапазона частот, в ЗО прямоугольной диэлектрической пластине выполнена выборка, расположеннаямежду плоскостями короткого замыканияотрезков щелевых линий на равном расстоянии от них, и введен металлический экран из двух взаимно перпендикулярных прямоугольныхпластин,перваяиз которыхрасположена ввыборке,аплоскость второйпараллельнаплоскости Н-образного металлическогопокры тия,причем расстояние между каждымкраем второйпрямоугольной пластины иближайшей плоскостьюкороткого замыкания отрезков щелевых линий не менее М,гдето - длина волны в щелевой линии,