Устройство для управления силовым транзистором

Устройство содержит источник 1 питания, силовой транзистор 2, вход управления которого шунтирован диодом3, транзисторы 4 и 5, резисторы б и7, вспомогательные транзисторы 8 и 9,резисторы 10 и 11, дополнительный аналоговый элемент, выполненный на дополнительных резисторе 12, диоде 13 и1транзисторе 14, эмиттер которого соединен с коллектором вспомогательноготранзистора 8, коллектор и дополнительный резистор присоединены к крайнему выводу источника 1 питания, абаза его соединена с другим зажимомдополнительного резистора 12 и черездиод (дополнительный) 13 с коллектором силового транзистора и генератор 1515 импульсов запуска.устройство работает следующимобразом.Транзисторы 4 и 8, резисторы б и10, соединенные. как показано на чер Отеже, образуют. схему бистабильногоключа в цепи положительного тока управления, который может находитьсялибо во включенном состоянии (транзисторы находятся в режиме насыщения),либо в выключенном состоянии (транзисторы находятся в режиме отсечки),Ключ в цепи отрицательного тока управления выполнен аналогично.Предполагают, что все ключи заперты, При подаче отрицательного импульса от генератора 15 импульсов запуска, вспомогательный транзистор 9 открывается и по цепи положительной обратной связи открывает транзистор 5,причем процесс насыщения транзисторов Зносит регенеративный характер . Послеокончания действия импульса запускатранзисторы 9 и 5 остаются включенными, а транзисторы 4 и 8 выключенными,силовой транзистор 2, дополнительный 40диод 13 и дополнительный транзистор14 заперты.При подаче положительного импульса запуска от генератора 15, транзисторы 9 и 5 закрываются, а транзисторы8 и 4 включаются, силовой транзистор2 открывается, вступает в работу аналоговый элемент, функция которогозаключается в коррекции положительного тока управления силовым ключом взависимости от тока нагрузки силового транзистора.Напряжение база-коллектор силового транзистора (Ок,1) поддерживаетсяпостоянным. В любой момент временидля схем справедливо соотношение55фэ =Од-Окэ,-Обк,в где Ор 4 - напряжение 0 аз а-эмиттер транзистора 14; Од - падение напряжения на диоде 13; .О - напряжение коллектор-эмитсэ втер на насыщенном транзисторе 8,При увеличении тока нагрузки уменьшается величина напряжения О,1 , а так как величины напряжений Оди О э практически постоянны, увеличивается напряжение Об 4 , это приводит к уменьшению сопротивления транзистора 14 и, как следствие, к увеличению тока управления силовым транзистором и увеличению напряженияОКПри уменьшении тока. управления силового транзистора происходит обратный процессТаким образом, введение аналогового элемента позволяет осуществить коррекцию тока управления силовым ключом 2, в зависимости от величины тока нагрузки силового ключа, что приводит к.существенному повышению КПД устройстваФормула изобретенияУстройство для управления силовым транзистором, содержащее два транзистора, эмиттеры которых через резис-торы подключены к источнику питания, а коллекторы - х базам двух вспомогательных транзисторов, коллекторы которых через резисторы подключены к источнику питания, а эмиттеры подключены к генератору импульсов запуска, подсоединенному к диоду, электроды которого подключены к зажимам, предназначенным для подключения к управ - ляющей цепи силового транзистора, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения КПД, оно снабжено аналоговым элементом, выполненным на дополнительных резисторе, диоде и транзисторе, эмиттер которого подключен к базе первого транзистора, коллектор - к источнику питания, база через дополнительный диод подключена к коллектору силового транзистора, а между базой и коллектором дополнительного транзистора включен дополнительный резистор.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССРпо заявке Р 2692015,кл. Н 02 М 1/08, 1978.2, Конев Ю,И . Электронная техника в автоматике . М "Советское радио", вып, 9, 1977, с. 57, рис, 1,ВБОг 31 Составитель Е.РыковаМатюхинатехред М.ТабакОвнч Корректор Ю. Макарен едак к филиал ппп "патент", г . Уагород, ул . Проектная, 4 7568/32 Тирак 730 ВНиипи 1 осударственного коинт по делам иэобретений н о 113035, Москва, Ж, РаушсПод пно ноюа СССРрытнйнаб., д. 4/Б