Устройство для управления силовым транзистором

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 ц 574845 Союз Советвхиз Социалистических Республик(23) Приор 1 петОпубликовано 30,09.77, Бюллетень Ьд 36 51) Е. Кл.-" Н 02 Р 1 Государственный комитет Совета Министров С"СР 53) УДК 621,3делам изобретений бликования описания 28.09.7 Да н открытии(72) Авторы изобретения Ю. И. Драбович, Н, С. Комаров и В. В. Яро нститут электродинамики АН Украинской С 1) Заявител 54) УСТРОЙСТ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫЬРАНЗИСТОРОМ 2 Изобретение относится к области электротехники и может быть испсльзовано при построении импульсных стабилизаторов, рсгуляторов, транзисторных реле и других силовых устройств при повышенных требованиях к 5 М 1 Д данных устройств.Известны устройства управления силовым транзистором на составных транзисторах, позволяющие осуществить согласование низкоомной входной цепи силового транзистора с вы о сокоомными цепями управления.Недостатками цодооных устройств управления являются низкий Я 1 Д, а также плохая форма импульсов управления. 11 оследнцй нсдостаток приводит к увеличению времени за б пирания и потерь мощности на переключение силового транзистора.Указанные недостатки в значительной ъере уменьшаются в известных устройствах, где формируются два симметричных прямоуголь О ных напряжения с регулируемым фазовым сдвигом, которые затем трансформируются до требуемого уровня и с помощью выпрямителей преобразуются в несимметричное двухполярное напряжение, управляющее силовым 25 транзистором.Из известных устройств управления силовым транзистором наиболее близким к изобретению по технической сущности является устройство, содержащсе два трансформатора, ЗО цервцчныс обмотки которых подключены к двум источникам сдвинутых по фазе на регулируемый угол прямоугольных напряжений, а втори шыс оомоткц трансформаторов подключсцы к двум двухполупериодным выпрямителям на полупроводниковых диодах, причем выходы выпрямителей соединены между собой встречно ц подключены и нагрузке. Однако прц необходимости получить на выходе устройства управления импульсы управления силовым транзистором с амплитудой, превыша 1 ощей велигцну прямого падения напряжения на полупровод 1 шковых диодах, КПД устройства управления рсзко падает. Указанный недостаток связан со встречным включением выпрямителей в рассматриваемом устройстве.Целью изобретения является повышение К 11 Д устройства путем улучшения формы импульсов управления. Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены два транзистора, базаэмиттерные переходы которых шунтируют вторичные обмотки одного из трансформаторов со средней точкой, подключенные к первой выходной клемме устройства, а ко второй выходной клемме устройства подсоединен средний вывод вторичных обмоток другого трансформатора, включенных в коллекторные цспц у казан 11 ых транзисторов.11 а чертеже привсдспа схема данного устройства.с стРОистВО )пРс 1 влспп 51 силовым 1 эапзпстором содержит два трансформатора 1 р 1 и 1 р 2, псрвичныс Обхоткп которых подключспы к ДВ)21 ПСТОЧП 1 КсМ СДБПП)"ЫХ ПО Эсчзе Па 1 ЭСГ)- лиэ) смыи )10;1 пр 51 Ь 10) Оэыых пап 1 э 5 хспИ и Т 21 ЖС ДБа ТРсПЛПС 101 ЭаИ 12, 1, ПС 1 ЭБОП ВЫХОДНОЙ КЛЕ 1;51 С . УСТЭОПСГва ПОДКЭПОСПЫ ЗМПТ- тсры транзисторови 2, а такэкс С 1 эсдп 551 точка В 101 эичпых ООхОток Ы1 Р с 1 псфоэ.12ОРс р 2, через резисторы Й 1 и 1( подклОсышых к базам ) казанных транзисторов. Ко Второй вы- ходноЙ клемме )стропства подслючспа ср д- П 51 Я ТО 1 Ка ВТ 01 ЭИП 1 ЫХ ОО.10 ОХ ТРаиеЭО,ЭасчО- ра 11 Э 1, Г 10 д 1 ь 110 ЧЕПЫХ К КОЛ.;СК 101 ЭНаизисторов 11 и 2,РСДПОГОЧ;ПХ, сто Псчас. Б О:ЭППЫ Х 00 МОТОК Йра 10 рор Ь,аОрир1 оооз, "С 111на чсргсжс точкоь) соогысвусг отрпца, ьпа 5 по 511 энос 1 ь псаэ 5 эс 1 И 5.Э ТО Л 1 С Л )с 1 СКО ГДс 1 1 Ол 5 Р П 0 С 1 Ь П а 11 51 сК С- с 51 Нс Нас 2 Лах В 01 ЭИс 111 ЫХ ООМООХ1 ЭсПС - рорат 01 Эс 1 р 5: ТНКЭКС ОтрЦс 11 С.1 ЬПая Гранзистороткрыт, а транзистор 2 заперт. сжим зашрани ьоссс иНасте 1 выоором ьсличины пагряксш;я на оомотках й, коорос долэ 1 П 10 Оы 1 ь пс эснес Эд 30 сппои Бслпчипы НаР 51 ЖСППЯ Пс 00.101102 Х с,ьерсз открыьи транзпс 01 э 1к выходным клеммам )стросва прикладывается отпира- ЮЩЕЕ СПЛОВОИ ТРасПЗПСТОР ПНПР 5 ЖСППС, СШ- маемос со В 101 эиПОИ 00 сОткп11 эи измснснпи полярпосЛ 1 нспэяэ.спп 51 пс 1 Вт 01 эпчных ООХ 1011;с 1 х 9 11 эанзпс 01 э 1Запп 1 эс 1 стся а рапсс запсрть 1 п 1 рспзпсор2 01 пирастся и переход;т Б шБсрспый режим раоо- ТЫ (аКТПБПЫЙ 1 ЛИ рсКПМ ПаСЬ 1 ЦСП 151) . а 101 ЕЗ открыгыи гранзпстор 2 к ьыходу )стропства П 1 ЭП 1 ЛНДЫВаСТСЯ Заии,Э 210 ШСС СИЛОБО 1 ТРБ 13 П- стор на 1 р 5 экс 1:1 с, 110 скольку п 1 эп зсп:1;эаппп СИЛОВОГО ТР 2 ПЗИС 0 Эа 3 аЧПЕЛЫЬЙ 1 Ок 1 СРЕЗ ВЫХОД 1 ЫС КЛСММЫ )СГ 1 ЭОЙСГВс ПРОТСКсС 1 1 ОЛЬКО ВО В 1 эсм 5 Рассасывсши силового Р 2113 пстора, работа трапзпсора в ппвсрспо режиме пе спиэкаст заметно ,11 устро сгва.1 Осле измснснп 51 гОл 51 эностп пап 155 жспп 51 На ВТ 01 ЭИЧПЫХ ООМОТКах 1 Г 1 ЭаСРОРМаОРа 1 э 1 п 1 эоцсссы ПОВт 01 э 5 потс 51, с тои эазппцси, что функцш транзистора 1 Бьшолп 5 Ст транзистор 2, и наоборот,аким ооразом, при изменении фазы двухисходных прямоугольных симметричных на- П,"Э 5 Ксив 1 Па ВЫХОДС )Стройствсаа ПОЛ)Ч 2 ЕТС 51 двухпо;1511 энос пссимст 1 эис 1 нос нап 1 эякенпс дкозр 1 эп,;,спз Огпспи которогоТгде 1 - дштсльпость положительного им;) ЛЬС; ПаРЯЭ,СППЯ Пс ПаГРУЗКЕ; 1 - ПЕ 1 ЭИОД С.совсП 51 ПМПУ.ЬСОБ) ЭОЖЕТ ИЗМЕН 5 ТЬСЯ ОТ О О ДОБ СООТЭС СПИ С ПЗ.1 СПСП 115115 ф 23 Ы.) сэопства, так ак в данном устроистьс мак- С .312,ШОС БЫХОДПОС Пси 1 Э 5 ЖСНИЕ ОГРансКваса с 1 О.ОБППОДОпус 13100 напр 5 Экснп 5 ПсСХОДа ЗЬПСЭбагаза ГРан 351 С 01 ЭОБИ О ОБЫ-,с 11 с,",11,.э, ОО) словлсно тем, ч 1 О падеП 1 с пап,э 5 ЖСНП 51 па открытом транзисторе Да ШОГО )СРОИСва спаИТЕЬНО МСНЬШЕ, ЧЕМпсэл) роводппковом диоде. 1 э данномро; ствс огсЭствуют потери мощности, харак- Л тсрпыс дл 51 ПЗВССПОГО )ст 1 эоистВа и Ооуслов.1 спныс эст 1 эс 1 пым БК,1101 еписм вып 151 митслей.1 эп с 001 БотсБ)0 цеэ Подкл 10 с 1 снии Быходных лемм )строиства к си.оиому транзистору инБС 1 эспы рсжим раоо Гы 1 ранзист 0130 В )строи сна длится то 1 ЬКО ВО Брсм 51 эассасывания сиЛОНО 0 1 Р а ПЗПС 10 Э а 51 НЕ ОКБЗЫВ 2 СТ С)ЩЕСТ- ьспнОГО Бли 1 пиЯ па Ь,11 Д )ст 1 эоиства.Формула изооретения)С 1 ЭО 1 С 1 БО Д.51 )П 1 ЭаВЛСППЯ СИЛОВЫХ Т 1 ЭаНзпсороэ 1, содсркацсс два трансформатора со срсдпси точкой, пс 1 эвичныс ООХОтк 1 которых подкл осны к двум исто никам, сдвин)- РСГУ,ПРУСМЫЙ-О )Ольпых па 15 кснп 11 и Выходные клеммы,0л и ч и О щ с с с я гсэ 1, что, с цель:О повышен 51 ,1., )СТ 10 С 1 па П)ТЕ 1 )Л)ЧШЕНИ 51 фоЭМЫ Пп) ЛЬСОВ УГРс БЛСПИ 51, ОНО Сна ОЖЕНО ДВУМЯ т)Эапц,СтОРИЭИ, О 23 а-ЭХ 1 ГГГСРНЫС ПЕРЕХОДЫ КО орых ш)ппруют вторичныс обмотки одногопз трапсформагоров со средней точкои, под,ПО 1 снпыс к пс 1 эвои выходной клемме )стРОПСпс с 1 КО Б 01 ЭОИ ВЫХОДНОИ КЛСММС ) СТ 1 ЭОИ- ства подк,почсп срсднии вывод Вторичных об моток др) гого трансформатора, включенных вкотЛскторпыс цспп указанпых транзисторов,574845 оставитель О. Наказна Техред И. Михайлова едакт евят Тираж 917а Совета Министроний и открытийаушская наб., д. 4 омит брет-35,ипография, пр, Сапунов аказ 2201/15 Изд. М 7 НПО Государственного по делам и 113035, Москва, орректор Е, Хмелсва Подписное СССР