Устройство для управления силовым транзистором

ОП ИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Ресиублик(45) Дата опубликования описания 30,03.80 сударствеииык квмите СССР(088.8) елам изобретеии и открытий артынов ой ССР Авторыизобретения. Комаров и В Ю. И. Драбович,ститут электродинамики АН Украинск(71) Заявител СТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ .ТРАНЗИСТОРОМ ОВЬ дующим обраам вторичныхи 2 (обозна- соответствует напряжения.6 открыты, а Изобретение относится к электротехнике, и может быть использовано при построении импульсных стабилизаторов, транзисторных инверторов и других устройств, в которых применяются силовые переключающие транзисторы.По основному авт. св,574845 известно устройство для управления силовым транзистором, содержащее два трансформатора со средней точкой, первичные обмотки которых подключены к двум источникам сдвинутых по фазе на регулируемый угол прямоугольных напряжений, выходные клеммы и два транзистора, база-эмиттерные переходы которых шунтируют вторичные обмотки одного из трансформаторов со средней точкой, подключенной к первой выходной клемме устройства, а ко второй выходной клемме устройства подключен средний выход вторичных обмоток другого трансформатора, включенных в коллекторные цепи указанных транзисторов.Целью изобретения является повышение КПД. Для этого предлагаемое устройство дополнительно снабжено двумя резисторамии двумя транзисторами, каждый из которых эмиттером подключен к коллектору, а коллектором - к эмиттеру основных транзисторов, причем базы дополнительных транзисторов через дополнительные резис 472 И 9 О торы подключены к точкам соединенияосновных резисторов со вторичной обмоткой соответствующего трансформатора,На чертеже представлена схема данного5 устройства.Устройство для управления силовымтранзистором содержит два трансформатора 1, 2 со средней точкой, первичные обмотки которых подключены к двум источникам10 сдвинутых по фазе на регулируемый уголпрямоугольных напряжений. Концы вторичной обмотки трансформатора 1 подключенык коллекторам основных 3 и 4 и эмиттерамдополнительных 5 и 6 транзисторов, а ее15 средняя точка подключена к выходнойклемме 7. Концы вторичной обмотки трансформатора 2 подключены через основные 8и 9 и дополнительные 10 и 11 резисторык базам основных 3 и 4 и дополнительных20 5 и 6 трайзисторов, а ее средняя точка подключена к эмиттерам основных 3 и 4 и коллекторам дополнительных 5 и 6 транзисторов и к выходной клемме 12.Устройство работает сле25 зом,Предположим, что началобмоток трансформаторои 1ченным на чертеже точкой)отрицательнаяполярность30 При этом транзисторы 4 и725190 пография, пр. Сапунова,3 .транзисторы 3 и 5 заперты. Режим запирания обеспечивается выбором величины напряжения на вторичной обмотке трансформатора 2, которое должно быть не меньше удвоенной величины напряжения на обмотке трансформатора 1.Через нормально открытый 6 и инверсно открытый 4 транзисторы на выходную клемму поступает минус источника питания, причем базовый ток силового транзистора в этом случае обеспечивается двумя транзисторами, у которых равны базовые токи, а коллекторные распределяются пропорционально отношению нормального В и инверсного В коэффициентов усиления,При изменении полярности напряжения на вторичной обмотке трансформатора 2 транзисторы 4 и 6 запираются, а транзисторы 3 и 5 отпираются, обеспечивая смену полярности напряжения на выходных клеммах 7 и 12. При этом базовый ток силового транзистора снова обеспечивается одним нормально открытым 3 и одним инверсно открытым 5 транзисторами, После изменения полярности напряжения на обмотке трансформатора 1 процессы повторяются с той разницей, что в нормальном режиме в этом случае в зависимости от полярности напряжения на обмотке трансформатора 2 будут работать транзисторы 4 и 5, а в инверсном режиме - транзисторы 3 и 6,Такимобразом, при изменении фазы двух исходных прямоугольных симметричных напряжений на выходе устройства нолучается двухполярное несимметричное напряжение, коэффициент заполнения которого д= - (где 4 - длительность положиттельного напряжения на нагрузке, Т - период следования импульсов) может изменяться от О до 1 в соответствии с измене пнями фазы, причем и в режиме насыщенияи в режиме рассасывания избыточного заряда формирования базового тока силового транзистора участвует нормально открытый транзистор, что позволяет за счет условия 15 ВВг существенно снизить затраты мощности в цепи управления транзисторами и повысить КПД устройства,Формула изобретения 20 Устройство для управления силовымтранзистором по авт. св.574845, отличающееся тем, что, с целью повышения КПД, оно снабжено дополнительно двумя резисторами и двумя транзисторами, каж дый из которых эмиттером подключенк коллектору, а коллектором - к эмиттеру основных транзисторов, причем базы дополнительных транзисторов через дополнительные резисторы подключены к точкам со единения основных резисторов со вторичнойобмоткой соответствующего трансформатора. НПО Поиск Заказ 530/13 Тираж 798 Изд,236 Подписное