Патенты с меткой «мощным»

Номер патента: 515243

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Брайловский, Жемеров

МПК: H02P 13/16

Метки: выпрямителем, двенадцатифазным, каскадномостовым, мощным, трехфазным

...ражденному углу уп ние вентилямн в вным в япря и имф 1ри этом управлея производится оми. ночными узким пуО Способдующем. О инусоидаль заключается в слев ый сигнал 1 (например, кой) вузле сравнения 2 сравнеощим сигналом 3 и в мосгва получают скачкообраэваюг с управля;мент их равенное изменениесравнения 2,одного сигнала ла Целью изобретения является дежности преобразователя в мичности системы управлени повышениеработе и эк5 ц гна.м Изобретение относится к преобразовательной технике и может использоваться для управления мощными выпрямителями в режимевынужденных углов управления,Известен способ управления мощным выпрямителем узки.1 и управляю 1 цими импульсами в режиме вынужденных углов управления,состоящий в:том, что в течение...

Номер патента: 641603

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Кинеев, Рыбак

МПК: H02M 1/08

Метки: инвертором, мощным, транзисторным

...обмотке, а его база-эмиттерный переход через второй выпрямитель подключен ко второй дополнительной обмотке выходного трансформатора н через резистор смещения - к питаюцему. конденсатору усилителя мОщности.641603 Формула изобретения Ьу 4) е УУйиУ Составитель О ехргд О, Луго краж 36 ректор А. ВасилинаПринципиальная схема предлагаемого устройства приведена на чертеже.Устройство содержит генератор биполярных импульсов (ГБИ) 1, усилитель мощности (УМ) 2, источник постоянного напряжения 3, конденсатор 4 усилителя мощности, выходной трансформатор Ь усилителя мощности, его дополнительные обмотки 6 и 7, выходной трансформатор 8 генератора биполярных импульсов, дополнительный транзистор 9, резистор смещения 10, диоды 11 -- 18, образующие два...

Номер патента: 864565

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Васильев, Ильин, Костылев

МПК: H03K 17/567

Метки: ключом, мощным, транзисторным

...при этом параллель но первому резистору включен обратныйДИОДНа чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройствадля управления мощным транзисторным 2 ОключомУстройство для управления мощнымтранзисторным ключом содержит трансформатор 1 с первичной обмоткой 2 ивторичной - 3, подключенной к переходу база-эмиттер мощного транзисторного ключа 4, токоограничивающие резисторы 5 и 6, диоды 7 и 8, дроссель9 и транзистор 10.Устройство работает следующим образом,При подаче запускающего импульсана вход транзистора 10 происходит еговключение, в результате чего по первичной обмотке 2 трансформатора 1течет ток. Фронт опирающего тока мощ- З 5ного транзисторного ключа 4 определяется в основном соотношением междуиндуктивностью...

Номер патента: 911032

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Казаков, Колесник, Мясников, Пуго, Свинаков

МПК: E21C 39/00

Метки: взрывом, моделирования, мощным, образованную, перемещения, полость, породы

...сыпучий материал, Это движение характеризуется изменением положения контрастных слоев, фиксируемых на кинопленку фиг. 2).Предлагаемое устройство являетсяпростым в конструктивном отношениии позволяет получить достоверные данные о перемещении породы в полостЬ,образованную мощным взрывом. з 9110Наиболее близким к предлагаемомуявляется устройство для определениялиний тока сыпучего материала, применяемого для моделирования выпускаруды. 5Устройство содержит заполненнуюсыпучим материалом камеру, в дне которой имеется отверстие. Масса сыпучего материала размечена тонкимислоями контрастного цвета. После открытия отверстия сыпучий материалприходит в движение, которое регистрируется киносьемкой21,Недостаток этого устройства заключается...

Номер патента: 970588

Опубликовано: 30.10.1982

Авторы: Киселев, Найвельт, Фильцер

МПК: H02M 1/08

Метки: блока, каскад, мощным, переключательным, предоконечный, транзистором

...подключен анод диода 11, а к коллектору - анод диода 12. Катоды диодов 11 и 12 че реэ резистор 13 соединены с клеммой для подключения источника управляющего напряжения, Коллектор транзистора 14 соединен с базами транзисторов 2 и 3, а эмиттер - с клеммой для подключения минусового вывода второго источника питания. Между базой транзистора 14 и входом устройства последовательно включены резистор 16 и конденсатор 1. Между базой и эмитером транзистора 14 подключен резйс тор 17 утечки. Коллектор транзистора 1 подключен к внешней нагрузке.На схему предоконечного каскада по отношенжо к эмиттеру транзистора 1 подается два низковольтных напряже 60 ния питания +Е и -Е. В режиме ожидания все транзисторы схемы, кроме транзистора 3, закрыты. На базе...

Номер патента: 1183687

Опубликовано: 07.10.1985

Авторы: Бирюков, Векслер, Калмыков, Кариллин, Шакиров

МПК: E21F 5/00

Метки: борьбы, внезапными, выработок, горных, мощным, пластам, почвы, проведении, разломами, сложного, строения

...чают скважины гидроразрыва и скважину С для нагнетания воздуха.1183687 Составитель М. Га гул ин Редактор Н. Бобкова Техред И. Верес Корректор В. Бутяга Заказ 6246/35 Тираж 445 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР до делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано приразработке мощных пластов сложного строения, опасных по газодинамическим явлениям.Цель изобретения - повышение эффективности борьбы с внезапными разломамипочвы за счет интенсификации процесса дегазации угольного пласта.На чертеже показана схема расположения горных выработок и скважин,На схеме обозначены скважины 1 и...

Номер патента: 1262669

Опубликовано: 07.10.1986

Автор: Ловчиков

МПК: H02M 7/5395

Метки: мощным, транзистором

...транзистора снижается, и в момент равенства базового и коллекторного потенциалов мощного транзистора диод 8 смещается в прямом направлении, включая цепь авторегулирования базового тока. Это приводит к тому, что в схеме устанавливается состояние равновесия при котором канал обратной связи по напряжению коллектор-база 4 ограничивается на безопасном уровне, Частотные свойства Д 3 определяют время выключения Т 1, Д 3 работает в низковольтной цепи и поэтому является быстродействующим. 1 ил,2транзистора 1 дифференциальным усилителем 4 воздействует через диод8 на вход управления величиной базо, вого тока транзистора 1, поддержи 5 вая близким к нулю указанное напряжение,Это гарантирует отсутствие накопления избыточных носителей в базе мощного...

Номер патента: 1343515

Опубликовано: 07.10.1987

Автор: Филиппов

МПК: H02M 1/08

Метки: высоковольтным, ключом, мощным, транзисторным

...соединенные высоковольтные транзисторы 2 - управляющий транзистор 5 - первая выходная клемма 6 ключаПри изменении полярности сигнала на выводах 13 и 14 генератора 12 (полярность указана в скобах) управляющий транзистор закрывается (для уменьшения времени рассасывания он может быть ненасыщенным), отключая эмиттеры высоковольтных транзисторов 2 от выходной клеммы 6. Вследствие того, что высоковольтные транзисторы более инерционны и имеют большее время рассасывания, чем низковольтный и высокочастотный управляющий транзистор 5, они остаются в насыщенном состоянии. Ток нагрузки начинает протекать через база-коллекторные переходы высоковольтных транзисторов 2, диоды 11 цепочек 9, конденсатор 8 и выходные клеммы 6 и 3, В результате под...

Номер патента: 1504751

Опубликовано: 30.08.1989

Авторы: Филиппов, Фоминых

МПК: H02M 1/08

Метки: высоковольтным, ключом, мощным, транзисторным

...выходная клемма 4 - параллельно соединенные высоковольтные транзисторы 2 - управляющий транзистор 7 - вторая выходная клемма 8При изменении полярности сигнала на выводах 14 и 15 генератора 13 управляющих импульсов (полярность на фиг. 1 указана в скобках) управляющий транзистор 7 закрывается (для уменьшения времени рассасывания он может быть ненаущенным), отключая эмиттеры высоковольтных транзисторов 2 от выходной клеммы 8, Вследствие того, что высоковольтные транзисторы более инерционны и имеют большее время рассасывания,чем низковольтный высокочастотный управляющий транзистор 7, они остаются в насыщенном состоянии. Ток нагрузки начинает протекать через база-коллекторные переходы высоковольтных транзисторов 2, диоды 11 цепочек 10,...

Номер патента: 1598069

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Васильченко, Елисеев, Иванов, Крылов

МПК: H02M 1/08

Метки: запираемым, мощным, тиристором

...максимальная длительность импульса тока определяется параметрами , С и напряжения линии 8. При этом параметры ,С подобраны так, чтобы удовлетворялось условие яг(ас - характеристическое сопротивление линии, яв импеданс управляющий электрод - катод в открытом состоянии тиристора 1).В процессе выключения тиристора 1, т.е. после подачи отрицательного импульса управления в момент времени тз, начинает расти импеданс перехода управляющий электрод - катод тиристора 1, растет также и падение напряжения на переходе О, а ток управления 4 соответственно уменьшается,10 15 За счет выбора параметров линии обеспечивается необходимая длительность фронта нарастания, а за счет количества звеньев обеспечивается требуемая длительность вершины импульса. За...

Номер патента: 1690116

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Артюшенко, Малохатка

МПК: H02M 1/08

Метки: мощным, полевым, транзистором

...импульс управляющего сигнала амплитудойОз, В результате вычитания отрицательногонапряжения заряженного конденсатора 7 иимпульса положительной полярности Оз аточке а схемы устройства управления формируется отпирающий импульс положительной полярности амплитудой Оа=Оз-От.Входная емкость Свх транзистора 4 заряжается и на время действия положительногоимпульса транзистор 4 открыт и насыщентоком, ограниченным резистором 6. Напряжение между стоком и истоком Оси открытого транзистора 4 достигает остаточногонапряженияОос 1 - В си 1 н,где Бси - сопротивление открытого транзистора; 1 н - ток через транзистор. В момент прихода очередного импульсаположительный полупериод запирает диод8, при этом конденсатор 7 незначительно разряжается, так как его...

Номер патента: 1725333

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Артюшенко, Давиденко, Малахатка

МПК: H02M 1/08

Метки: мощным, полевым, транзистором

...и коллектор отпирающего транзисторов предназначены для подключения к затвору мощного полевого транзистора снабжено источником положительного отпирающего напряжения, запускающим резистором и опережающим источником отрицательного напряжения, минусовой вывод которого подключен к коллектору запирающего транзистора непосредственно и к эмиттеру через запускающий резистор, а плюсовой вывод подключен к эмиттеру отпирающего транзистора и к плюсовому выводу источника положительного отпирающего напряжения, . минусовой вывод которого предназначен для подключения к истоку мощного полевого транзистора, развязывающий трансформатор снабжен дополнительной вторичной обмоткой, а источник положительного отпирающего напряжения выполнен на...

Номер патента: 1767642

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Бельский, Коробков

МПК: H02H 7/12, H02M 1/08

Метки: замыкания, защитой, короткого, мощным, перегрузок, транзистором

...питания и общей шиной, эмиттер однопереходного транзистора соединен со средней точкой делителя напряжения, первая база соединена через шестой резистор с первой клеммой для подключения источника питания, вторая база - с общей шиной через последовательно соединенные седьмой и восьмой резисторы, точка соединения которых подключена к базе шунтирующего транзистора, эмиттер которого подсоединен к общей шине, а коллектор подключен к базе задающего транзистора, При этом катоды диодов соединены со средней точкой делителя напряжения, анод первого диода предназначен для соединения с коллектором мощного транзистора, а анод второго диода соединен с коллектором задающего транзистора.Известных технических решений с такими отличительными...

Номер патента: 1778886

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Иванов

МПК: H02H 7/12, H02M 1/08

Метки: высоковольтным, ключом, мощным, транзисторным

...5, а вторым к эмиттеру транзистора 7, катоду диода 8 и первому выводу резистора 9. Коллектор транзистора 7 и его база через резистор 10 и с абилитран 11 подключены к второй выходной клемме 5, Параллельно база-эмиттерному переходутранзитара 7 включен резистор 12, Генератор 13 управляющих импульсов первым выводом 14 соединен со второй выходнойклеммой 5, вторым выводом 15 через резистор 16 - с базой управляющего транзисто. ра 4, а через диод 17 и токаограничительный резистор 18 с базой высоковольтного тран:зистора 1.Устройство работает следующим образом,В нормальном режиме работы, т.е. приисправном высоковольтном транзисторе 1, в интервалах проводимости, когда сигнал на выходных выходах 14 и 15 генератора 13управляющих импульсов имеет...

Номер патента: 1791926

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Иванов

МПК: H02M 1/08

Метки: высоковольтным, ключом, мощным, транзисторным

...решения, не совпадающим со свойствами известных технических решений, является надежная защита выходного силового транзистора, что обеспечивает устройству для управле 5 10 дом стабилитрона 19 и первым выводом резистора 20, второй вывод которого соеди нен с эмиттером транзистора 10 и катодом 40 50 15 20 25 30 ния мощным высоковольтным транзисторным ключом надежную работу,Учитывая наличие новой совокупности отличительных признаков и нового свойства, можно сделать вывод о том, что заявляемое техническое решение обладает "существенными отличиями" по сравнению с известными в науке и технике.На фиг. 1 изображена функциональная электрическая схема устройства; на фиг, 2 -эпюры напряжений, поясняющие работуустройства.Устройство для уп равления...

Номер патента: 1818665

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Овчинников, Фильцер

МПК: H02M 1/08, H03K 17/60

Метки: блока, каскад, мощным, переключательным, предоконечный, транзистором

...цепи внешней нагрузки, в нормальных условиях,На схему предоконечного каскада по отношению к эмиттеру мощного переключательного транзистора 1 подается два низковольтных напряжения питания +Е и -Е. В режиме ожидания все транзисторы схемы, кроме второго транзистора 3, закрыты. На базе мощного переключательного транзистора 1 поддерживается отрицательное запирающее напряжение вследствие действия эмиттерного повторителя, выполненного на втором транзисторе 3. Ток, потребляемый по цепям питания, в этом режиме равен тепловым токам утечки транзисторов схемы, При поступлении входного отрицательного импульса открывается третий транзистор 10. Второй и третий диоды 13 и 34 обеспечивают ненасыщенный режим открытого третьего транзистора 10. Ток...

Номер патента: 1818672

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Бутаков, Гольштейн

МПК: H02M 7/12, H02M 7/537

Метки: замыкания, защитой, короткого, мощным, транспортом

...форсирующего конденсатора 9 задается таким образом, что форсирующий ток протекает всего несколько микросекунд, т.к, на обкладке конденсатора 9 подключенного к резистору 2, нарастает положительный потенциал; препятствующий протеканию форсирующего тока. Этого временидостаточно, чтобы транзисторы открылись, Потенциал на нагрузке 12,. а следовательно и на катоде защитного диода 1 возрастает, диод 1 запирается и не оказывает влияния на работу устройства управления, а транзисторы 3 и 8 при. неэакороченной нагрузке удерживаются в открытом с о с т о я н и и т о к о м, и р о т е к а.- ющем по цепи: резистор 2, ограничительный резистор 10, дополнительный диод 11, база-эмиттер задающего транзистора 3 и диод 6.При коротком замыкании на...