Устройство управления силовым транзистором преобразователя

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респубпик(4 Б) Дата опубликования описания 06,03,78. М, Кл,Н 02 М 1/08Н 02 М 7/537 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делан изобретений н открытий(54) УСТРО ЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ового транзистораазы оказывается в такой схеме цеп дополнитель у вторичной форматора,ключена чере второму вывод нруюшего транс предложенхтактногогося преобпоказана схемаа на примере дву амовозбуждаюи коммутирую-, ным обмоткам тель содержи к втори тор Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано впреобразователях и ключевых усилителяхмощности для управления силовыми тран-.зисторами, работаюшими в режиме переключ ения,Известны устройства управления силовыми транзисторами, содержащие коммутируюший трансформатор, вторичная обмотка которого связана со входной цепью силового . Отранзистора через выпрямитель и базовыйрезистор11,После запирания сил разомкнутой, что вызывает дополнительные 15потери в транзисторе,Известны также схемы с насьпдаюшимсякоммутирующим трансформатором, вторичная обмотка которого соединена со входом силового транзистора через базовый 20резистор 121, В этой схеме при насьпдениисердечника трансформатора транзистор выключается н условия залирания улучщеныпо отнощению к ранее указанной схеме,Однако время рассасывания избыточных носителей в базе силового транзистора остается достаточно больщим так как запирание происходит пассивно,Цель изобретения - повышение КПД преобразователя путем уменьщения длительности процесса выключения силового транзистора.Это достигается тем, что в предложенном устройстве параллельно входу силового транзистора, управляемого от коммутируюшего трансформатора через базовый резистор, включен дополнительный транзистор противоположного тйпа проводимости, эмиттер которого соединен с базой силового транзистора, а коллектор - с эмиттером силового транзистора, База дополнительного транзистора поный резистор кобмотки коммуНа чертеженого устройствполумостовогоразователя,Преобразова1 дий трансформ3которого эмиттерами непосредственно, абазами через базовые резисторы 2 и 3подключены силовые транзисторы 4 и 5преобразователя, На выходе преобразователяустановлен силовой ненасьпааюшийся трансформатор 6, к вторичной ф обмотке которогоподключен выходной выпрямитель 7, Междубазой и эмиттером каждого из транзисторов преобразователя подключены соответственно эмиттером и коллектором дополнительные транзисторы 8 и 9 противоположного типа проводимости, соединенные базами через дополнительные резисторы 10 и11 с обшей точкой соответствующей обмотки коммутирующего трансформатора и баэовых резисторов 2 и 3,Процесс выключения каждого из транзисторов 4 и 5 начинается когда сердечниккоммутирующего трансформатора насьпцается.Напряжение на обмотках коммутирующего 20трансформатора становится практически равным нулю, В насьпценном транзисторе начинается процесс, разряда избыточного зарядав базе. В процессе разряда напряжение набазе транзистора мало изменяется, вплоть 25до момента выхода его из насьпцения, когда оно, также как и на обмотке коммутирующего трансформатора, меняет знак,При отсутствии дополнительных транзисторов 8 и 9 разряд происходит через со- -0противление базового резистора и соответсъвующей обмотки, Эти сопротивления ограничивают ток разряда и увеличивают времярассасывания, Разница во времени рассасывания в смежные полупериоды и асимметрия З 5этих полупериодов оказываются значительными,Дополнительный транзисторподключенныфк насьпценному транзистору преобраэователя при уменьшении напряжения на обмотке1коммутирующего трансформатора насьпдает 4ся, Образуется дополнительная цепь дляразряда избыточного заряда в базе насыщенного транзистора преобразователя, Сопротивление насьпценного дополнительноготранзистора во много раэ меньше сопротивления базового резистора, Поэтому токразряда увеличивается, а время рассасывания избыточных носителей уменьшается, Разница во времени рассасывания всмежные полупериоды, а следовательно, иасимметрия полупериодов уменьшаются,Благодаря этому исключается одностороннееподмагничивание трансформатора 6 и повы-:шается, КПД преобразователя,Формула изобретенияУстройство управления силовым транзистором преобразователя, содержащее коммутирующий трансформатор, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с эмиттером силового транзистора, а второй вывод через базовый резистор соединен с базой силового транзистора, о т л и ч а -ю щ и й с я тем, что, с целью повышенияКПД преобразователя, путем уменьшениядлительности переходного процесса выключения силового транзистора, введен дополнительный транзистор противоположного типапроводимости, эмиттер которого соединен сбазой силового транзистора, коллектор соединен с эмиттером силового транзистора, абаза через дополнительный резистор соединена со вторым выводом вторичной обмоч.ки коммутирующего трансформатора.Источники информации, принятыево внимание при экспертизе;1, Авторское свидетельство Мо 275126,кл, Н 03 к 17/56, 1969,2, Патент США Мо 2774878,кл, 331-113, 1956,иал ППП Патент", г, Ужгород, ул, Проектная Тираж 892 ственного комитета Сове по делам изобретений иО 35, Москва, Ж, Рау подписноеМинистров СССРкрытийкая наб д, 4/5