Устройство для управления силовым транзистором

Номер патента: 1277313

Автор: Славинский

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИА ЛИСТ ИЧЕСНИ(5 Я САНИ ТЕЛЬС АВТОРСНОМУ С 5 ВЛЕНИЯ СИЛОУСТРОЙСТВО ДЛЯРАНЗИСТОРОМзобретениеке и может б(57) Итехнидля управлеми автономныхров постояннизобретениясогабаритныхожидания траствие создав носится к электроь использовано нзисторными ключа нверторов и р напряжения,яется уменьше лято ние ма ежиме вслед показателеи. В зистор 6 открь емого смещения а его ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ(56) Авторское свидетельство СИф 951589, кл. Н 02 М 1/08, 198Авторское свидетельство СССУ 970588, кл. Н 02 М 1/08, 198 базе источником питания 5 через резистор 7. При поступлении от источника 12 переднего фронта управляющего импульса отрицательной полярности транзистор б закроется. При закрывании транзистора 6 на базе транзистора 2 появится напряжение, котороеоткроет транзистор 2. Ток транзистора 2 откроет транзистор 1. Появитсяток в цепи коллектора транзистора 1и в цепи внешней нагрузки. По заднему фронту входного импульса на базе транзистора б появится смещение,которое приводит к открыванию транзистора 6. Транзистор 2 закрывается.Транзистор 1 удерживается в закрытомсостоянии благодаря току, протекающему через транзистор б, До поступления следующего входного импульсаустройство находится в этом состоянии. 1 ил.12773 13 5 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ВНИИПИ Заказ 6756/53 Тираж 631 Подписное Произв, полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул . Проектная, Г Изобретение относится к электротехнике и может быть использованодля управления транзисторными ключами автономных инверторов и регуляторов постоянного напряжения.Целью изобретения является уменьшение массогабаритных показателей.На чертеже приведена принципиальная схема устройства.Устройство для управления силовымтранзистором 1 содержит первый транзистор 2, база которого через первыйдиод 3 подключена к коллектору транзистора 1, через первый резистор 4к положительному источнику 5 питаФния и непосредственно в . к коллекторувторого транзистора 6, база которого через второй резистор 7 подключена к источнику 5, а эмиттер - к ис,точнику 8 отрицательного напряжения,имеющему с источником 5 общую шину,к которой подключен эмиттер транзистора 1 и через третий резистор9 - эмиттер транзистора 2, подключенный через второй диод 10 к коллектору транзистора 6, база которогочерез третий диод 11 подключена кисточнику управляющего напряжения 12.Устройство работает следующим образом,В режиме ожидания транзистор 6открыт вследствие создаваемого смещения на его базе источником 5 питания через резистор 7. На базахтранзисторов 1 и 2 поддерживается отрицательное запирающее напряжение,которое поступает с источника 8 питания через резистор 9, диод 10 иоткрытый транзистор 6, При поступлении от источника 12 переднего фронта управляющего импульса отрицательной полярности транзистор 6 закрывается, так как смещение на его базестановится недостаточным для его отпираний. Величина напряжения входного импульса, при котором начинаетзакрываться транзистор 6, равна сум"ме напряжений, состоящих из напряжения источника 8 и падения напряженияна база-эмиттерном переходе транзистора 6. При закрывании транзистора6 на базе транзистора 2 появляетсянапряжение, которое открывает транзистор 2. Через транзистор 2 течетток, который попадает на базу транзистора 1, что приводит к его открыванию. Появляется ток в цепи коллек тора транзистора 1 и в цепи внешней нагрузки. Диод 3 обеспечивает ненасыщенный режим транзистора 1. По заднему фронту входного импульса на базе транзистора 6 появляется смещение, которое приводит к открыванию транзистора 6, что в свою очередь приводит к форсированному процессу рассасывания неосновных носителей база-эмиттерных переходов транзисто" ров 1 и 2. После закрывания транзистора 2 транзистор 1 удерживается в закрытом состоянии благодаря току, протекающему через транзистор 6, До поступления следующего входного импульса устройство находится в этом состоянии.Таким образом, благодаря сокра" щению числа радиотехнических элементов схемы достигается уменьшение массогабаритных показателей устройства. Формула изобретения Устройство для управления силовымтранзйстором, содержащее первыйтранзистор, эмиттер которого предназначен для подключения к базе силового транзистора, а база подключена к точке соединения первого резистора и анода первого диода, катодкоторого предназначен для подключения к коллектору силового транзистора и к коллектору второго транзис"тора, база которого подключена к од"ному выводу второго резистора, аэмиттер - к отрицательному источникупитания, имеющему с положительнымисточником питания общую шину, предназначенную для подключения к эмиттеру силового транзистора, источникуправляющего напряжения, третий резистор, второй и третий диоды, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, сцелью уменьшения ма.ссогабаритных показателей, другие выводы первого ивторого резисторов подключены к положительному источнику питания и кколлектору первого транзистора, междуэмиттером и базой которого включен,второй диод, а между эмиттером иобщей шиной - третий резистор, причемисточник управляюшего напряженияподключен к базе второго транзисторачерез третий диод,

Смотреть

Заявка

3893779, 11.05.1985

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ М-5068

СЛАВИНСКИЙ ВИКТОР ВЛАДИМИРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

Опубликовано: 15.12.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1277313-ustrojjstvo-dlya-upravleniya-silovym-tranzistorom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для управления силовым транзистором</a>

Похожие патенты