Патенты с меткой «транзистором»

Номер патента: 1513597

Опубликовано: 07.10.1989

Автор: Зайцевский

МПК: H02M 7/537

Метки: преобразователя, силовым, транзистором

...Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,101 3 1513Изобретение относится к области электротехники, может быть использовано при проектировании вторичных источников питания, и является усовершенствованием известного устройства по авт. св. Р 599319.Цель изобретения - повышение надежности за счет организации оптимального пуска.На чертеже представлена схема устройства.Устройство содержит коммутирующий ,трансформатор 1, первый вывод вторичной обмотки которого соединен с эмиттером силового транзистора 2, а вто,рой вывод через базовый резистор 3 соединен с базой силового транзистора 2. Дополнительный транзистор имеет тип проводимости, противоположный силовому транзистору 2. Его эмиттер...

Номер патента: 1577008

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Дычко, Николаев

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...1,Под воздействием напряжения обмотки4 заряжается конденсатор 12,При исчезновении напряжения на обмотке трансформатора 4 конденсатор 12 отдает накопленный заряд в цепь - резистор14, переход эмиттер-база транзистора 2,вторичная обмотка трансформатора 4, резистор 6, конденсатор 7, переход эмиттер-база транзистора 8, Включается транзистор 8и форсирует базовый ток транзистора 2.20 25 30 35 40 резисторы, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения .быстродействия, введены пятый и шестой резисторы, второй кон денсатор и транзистор прямой 50 5 10 15 Транзистор 2 включается и обеспечивает рассасывание избыточных зарядов в области базы транзистора 1 по цепи - конденсатор 12, резистор 14, транзистор 2, резистор...

Номер патента: 1599951

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Кононов, Максименко, Мишин, Пчельников, Фелькер

МПК: H02M 1/08

Метки: индукцией, силовым, статической, транзистором

...по цепи 13 - переход исток - затвор транзистора 6 переход эмиттер - база транзистора 9-11-13, формируя на переходе затвор - исток отрицательное запирающее смеще 5 ние по цепи 13 - переход исток - затвор транзистора 6 - эмиттер-коллектор транзистора 9-12-13. Положительный выходной импульс 14 (фиг,2) формирователя 1 на первичной обмотке 2 трансформатора 3 индуцирует в дополнитель. ной обмотке 8 ток, отпирающий транзистор 7 по цепи 8-10 - база-эмиттерный переход транзистора 7 - 8, при этом транзистор 9 закрыт обратным напряжением база-эмиттерного перехода транзистора 7. Отпирание транзистора 7 по цепи 4 - переход коллектор - эмиттер транзистора 7 - переход зат" вор - исток транзистора 6 " 4 приводит к отпиранию транзистора 6. Смена...

Номер патента: 1651366

Опубликовано: 23.05.1991

Автор: Никаноров

МПК: H03K 17/60

Метки: силовым, транзистором

...относится к областиэлектроники, в частности к устройствам управления ключевыми элементами,работающими в преобразователях вторичных источников питания.Цель изобретения - увеличение надежности и К 1 ЩеНа чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.Устройство содержит силовой тран, зистор 1, отпирающий и запирающий .транзисторы 2 и 3 соответственно, управляющни трансформатор 4, диод 5,резистор 6 и два конденсатора 7 и 8 .Первые обкладки конденсаторов 7 и8 подключены к среднему выводу 9 источника постоянного напряжения, край, ние выводы 10 и 11 которого соедине.ны с вторыми обкладками конденсаторов7 и 8 Эмиттер отпирающего транзистора 2 соединен с вторым выводом выходной обмотки управляющего...

Номер патента: 1443729

Опубликовано: 23.06.1991

Автор: Шестаковский

МПК: H02M 7/538

Метки: ключевых, преобразователей, силовым, транзистором

...транзистора, ограничительный резистор 7 и диод 8 со" 2 О единяют источник 5 с коллектором силового транзистора, а стабилитрон 9 шунтирует ключ 3Для запирания васьценного транзистора 1 одновременно (момент вре мени с на фиг.,2) размыкают ключи 2 (К 1), 3 (К 2) и замыкают ключ А, (КЗ), что обеспечивает соответственно отключение цепи отпирающего тока базы и подачу запирающего напряжения на эмиттерный переход от источника 6 запирающего напряжения (О ),Кро" ме того, вследствие запираиия ключа 2 по коллекторно-эмиттерной цепи транзистора 1 и,через диод 8 протеает дополнительный ток от источника отпирающего напряжения 5 О 3), ограниченный сопротивлением 7, В ре" зуяьтате обеспечивается форсирован" ное рассасывание избыточных носителей...

Номер патента: 1684884

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Кондаков, Котельников, Митрофанов

МПК: H02M 7/00

Метки: преобразователя, силовым, транзистором

...и диод 12 годключена к коллекторупервого транзистора 1, являющемуся выкодом усилителя отпирающего сигнала, Точкасоединения катода дополнительного диода12 с конденсатором 11 через резистор 13подключена к общему проводу.База второо транзистора 2 через резистор 14 подклк)чена к коллектору тра)зисгорд 3 и через третий резистор 15 соединенас источникол отрицательного напряженияпитания и злиттером второго транзистора2. Вход силового ключа 4 соединен с коллектором первого транзистора 1 и через четвертый резистор 1 Г к коллектору второготранзистора 2, Выход силого О ключа 4 соединен с выходом устроиствэ и катодомпервого диода 17. анод которого подключенк эмиттеру первого трднзигторд 1.Предлэгдегое устройство расин д) следующим образом,При...

Номер патента: 1690116

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Артюшенко, Малохатка

МПК: H02M 1/08

Метки: мощным, полевым, транзистором

...импульс управляющего сигнала амплитудойОз, В результате вычитания отрицательногонапряжения заряженного конденсатора 7 иимпульса положительной полярности Оз аточке а схемы устройства управления формируется отпирающий импульс положительной полярности амплитудой Оа=Оз-От.Входная емкость Свх транзистора 4 заряжается и на время действия положительногоимпульса транзистор 4 открыт и насыщентоком, ограниченным резистором 6. Напряжение между стоком и истоком Оси открытого транзистора 4 достигает остаточногонапряженияОос 1 - В си 1 н,где Бси - сопротивление открытого транзистора; 1 н - ток через транзистор. В момент прихода очередного импульсаположительный полупериод запирает диод8, при этом конденсатор 7 незначительно разряжается, так как его...

Номер патента: 1690119

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Игумнов, Королев, Фомишкин

МПК: H02M 1/08

Метки: индукцией, статической, транзистором

...Резистор 5 обеспечивает необходимый режим работы транзистора 4, оба р-и-перехода которого в этом случае оказываются смещенными в прямом направлении, Транзистор же 3 при этом закрыт, Особоотметим, что отрицательное напряжсние на затворе СИТ 1 заряжает его емкость затвор- исток. В результате и по окончании действия отрицательного импульса управления СИТ 1все еще находится в закрытом состоянии(до прихода следующего положительного импульса).Основная особенность устройства состоит в обеспечении запирания СИТ 1 вслучае, когда к клеммам (между стоком и истоком СИТ 1) приложено напряжение, ана вход устройства (первичную обмотку трансформатора 2) еще не поступают сигналы управления. Такие условия часто наблюдаются в начальный период времени при...

Номер патента: 1707706

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Дудина, Мельников

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...45 50 % нго э,и чс нта 1 О и бдзй сн стсссо трипи. тора 1, з тдкже сессь полнитки, обра;н нуо резистордчп6, 17, сия дннцчи с с т с. ником постоянного ндпряж нин (, ссл ные выводы которых плселнсны в бло. кс 1 О к вхолночу выволу здлдкнцсго резне. тора и к обцц й точке лнола подпора с транзистором (показано пунктиром).Узел 12 подзаряла предназначен лля подпитки накопительного конленсаторз 6 и нужен в основном для первого пуска клю ча 8 после включения устройства. В приве. ленной на схеме реализации он содержит конденсатор в послеловзтелысом соединении с резистором и лиол, подключаюпсвй нх об. щую точку к второму еыволу конденсатора 6. В простейшем случае он может быть реали. зован только на резистореВ качестве управляющего ключа 8 может...

Номер патента: 1709474

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Кондаков, Котельников, Митрофанов

МПК: H02M 1/08

Метки: ключа, силового, транзистором

...напряжение с частотой, котораяне менее, чем на порядок выше частотыосновного импульсного напряжения, суммируют указанные импульсные напряжениятаким образом, что отпирающее управляющее напряжение получаютпри положительных полярностях, а запирающееуправляющее напряжение - при противоположных и отрицательных полярностях основного и дополнительного импульсныхнапряжений.На фиг,1 изображена схема устройствауправления транзистором силового ключа;на фиг.2 - диаграммы, поясняющие его работу.Устройство содержит источник.1 основного импульсноо напряжения, источник 2дополнительного импульсного напряжения,элемент И-НЕ 3, первый и второй транзисторы 4 и 5, силовой транзистор 6 и нагрузку. Устрой тво работает следующим образом,В исходном...

Номер патента: 1725333

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Артюшенко, Давиденко, Малахатка

МПК: H02M 1/08

Метки: мощным, полевым, транзистором

...и коллектор отпирающего транзисторов предназначены для подключения к затвору мощного полевого транзистора снабжено источником положительного отпирающего напряжения, запускающим резистором и опережающим источником отрицательного напряжения, минусовой вывод которого подключен к коллектору запирающего транзистора непосредственно и к эмиттеру через запускающий резистор, а плюсовой вывод подключен к эмиттеру отпирающего транзистора и к плюсовому выводу источника положительного отпирающего напряжения, . минусовой вывод которого предназначен для подключения к истоку мощного полевого транзистора, развязывающий трансформатор снабжен дополнительной вторичной обмоткой, а источник положительного отпирающего напряжения выполнен на...

Номер патента: 1750048

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Болотов

МПК: H03K 17/60

Метки: силовым, транзистором

...тока нагрузки, что предотвращает насыщение дросселя и снижение индуктивного. сопротивления, благодаря чему ток разрядаконденсатора не увеличивается по этойпричине (нарастает с меньшей линейнойскоростью), что также увеличивает надежность способа из-за сокращения потерьНа чертеже представлена схема, поясняющая предложенный способ управлениясиловым транзистором,Способ характеризуется следующимиоперациями.При запирании силового транзисторазадерживают нарастающий фронт коллекторного напряжения путем заряда конденсатора для снижения динамических потерьпутем снижения коллекторного тока до нуляпри отсутствии йапряжения,В момент отпирания силового транзистора формируют импульснапряжения длительность о примерно 20 мкс. В течение длительности...

Номер патента: 1750049

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Болотов, Волкомирский, Гордовой

МПК: H03K 17/60

Метки: силовым, транзистором

...следующим образом,Когда на выходе транзистора 2 низкий уровень сигнала, он и транзистор 1 открыты. В этом случае конденсатор 8 заряжен, При повышении уровня входного сигнала тран-. зистор 2 запирается и ток базы транзистора 1 прекращается, транзистор 1 выходит из режима насыщения, а эмиттерный ток (ток нагрузки) уменьшается,1750049 Составитель Л.СкобелеваРедактор С.Патрушева Техред М,Моргентал Корректор Э,Лонча аз 2604Тираж ПодписноеОИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ СССР Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул,Гагарина,После запирания транзистора 2 конденсатор 8 разряжается по цепи: резистор 6, источник 10, переход эмиттер-база транзистора 1. При...

Номер патента: 1767642

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Бельский, Коробков

МПК: H02H 7/12, H02M 1/08

Метки: замыкания, защитой, короткого, мощным, перегрузок, транзистором

...питания и общей шиной, эмиттер однопереходного транзистора соединен со средней точкой делителя напряжения, первая база соединена через шестой резистор с первой клеммой для подключения источника питания, вторая база - с общей шиной через последовательно соединенные седьмой и восьмой резисторы, точка соединения которых подключена к базе шунтирующего транзистора, эмиттер которого подсоединен к общей шине, а коллектор подключен к базе задающего транзистора, При этом катоды диодов соединены со средней точкой делителя напряжения, анод первого диода предназначен для соединения с коллектором мощного транзистора, а анод второго диода соединен с коллектором задающего транзистора.Известных технических решений с такими отличительными...

Номер патента: 1815757

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Арутюнян, Петросян

МПК: H02M 1/08

Метки: силовым, транзистором

...величине сопротивлений резисторов 4 и 5, а Окээ - падение напряжения на участке коллектор-змиттер транзистора 3.В момент 12 происходит смена полярности входных, управляющих импульсов, в результате чего закрывается транзистор 1(практически мгновенно) и базовый ток силового транзистора 8 уменьшается до нуля.Одновременно отпирается транзистор 2, а транзистор 3 переходит в режим отсечки, так как потенциал базы резко снижается практически до нуля, т.е. ток через транзистор 3 резко снижается и сопротивление коллектор-эмиттер увеличивается, При этом создается контур для активного запирания силового транзистора 8. Положительный полюс источника: участок коллектор-эмиттер транзистор 3, участок эмиттер - база транзистора 8, резистор 5 и...

Номер патента: 1818665

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Овчинников, Фильцер

МПК: H02M 1/08, H03K 17/60

Метки: блока, каскад, мощным, переключательным, предоконечный, транзистором

...цепи внешней нагрузки, в нормальных условиях,На схему предоконечного каскада по отношению к эмиттеру мощного переключательного транзистора 1 подается два низковольтных напряжения питания +Е и -Е. В режиме ожидания все транзисторы схемы, кроме второго транзистора 3, закрыты. На базе мощного переключательного транзистора 1 поддерживается отрицательное запирающее напряжение вследствие действия эмиттерного повторителя, выполненного на втором транзисторе 3. Ток, потребляемый по цепям питания, в этом режиме равен тепловым токам утечки транзисторов схемы, При поступлении входного отрицательного импульса открывается третий транзистор 10. Второй и третий диоды 13 и 34 обеспечивают ненасыщенный режим открытого третьего транзистора 10. Ток...

Номер патента: 1818667

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Игумнов, Королев, Соломатова

МПК: H02M 1/08

Метки: индукцией, статической, транзистором

...условия частонаблюдаются в начальный период временипри включении всей системы, в которую может входить заявляемое устройство (и прототип), например, ВИЭП,40 В заявляемом устройстве появление питающего напряжения между стоком и истоком СИТ 1 приведет к появлениюположительного напряжения на стоке закрытого МДП-транзистора 11, а, следова 45 тельно, на затворе МДП-транзистора 12, Врезультате МДП-транзистор 12 будет открыт и через дополнительную вторичную обмотку трансформатора 2.потечет ток.Резистор 14 образует отрицательную обрат 50 ную связь по току в МДП-транзисторе 12,обеспечивая его надежную работу; Ток дополнительной обмотки трансформатора 2будет обеспечивать возникновение отрицательного напряжения на первом выводе ос 55 новной...

Номер патента: 1835118

Опубликовано: 15.08.1993

Автор: Болдырев

МПК: H02M 1/08

Метки: высоковольтным, силовым, транзистором

...источника опорного напряжения 16 выбирается большей величины, поэтому четвертый компаратор 15 каскада защиты 4 остается во включенном состоянии. Если режим работы силового транзистора не меняется, то процессы повторя ются,Если управляющий сигнал приходит в момент времени, когда через обратный диод, параллельный силовому транзистору, еще протекает ток, потенциал его коллектора относительно эмиттера становится отрицательным. При этом, потенциал напряжения на неинвертирующем входе. третьего компаратора 14, каскада блокировки 5, становится меньше, чем на его инвертирующем входе, На выходе компаратора 14 устанавливается отрицательный уровень напряжения. который накладывает блокировку по вторым входам компараторов 12, 13 на прохождение...

Номер патента: 895260

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Колесник

МПК: H02M 1/08

Метки: постоянного, преобразователя, силовым, транзистором

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СИЛОВЫМ ТРАНЗИСТОРОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА, содержащее управляющий транзистор, импульсный трансформатор, трансформатор тока с первичной обмоткой, включенной в цепь эмиттера силового транзистора, вторичной обмоткой, включенной в цепь базы силового транзистора, и дополнительной обмоткой, первый конец которой подключен к эмиттеру управляющего транзистора, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено тремя дополнительными диодами, первичная обмотка импульсного трансформатора включена между одним полюсом источника питания и коллектором управляющего транзистора, его вторичная обмотка подключена через два последовательно соединенных дополнительных диода к цепи эмиттер -...