Устройство управления транзистором

. Союз СоветскикСвцие вил ически кРеспублик 1) ополнительное(22) Заявлено 30,05;7 2467532/1 ЗК 17 исоединением заявк осударственный комитетовета Министров СССРно делам изобретениИн открытий 23) Приоритет(45) Дата опубликования описания 05.12.78 72) Автор изобретения Гле УСТРОЙСТВО УИРАВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОМ последовательно соединенны перехода эмиттер-коллектор ра; первичная обмотка тран включена последовательно с эмиттер транзистора, ключе ограничивающим элементами питания, а вторичная обмот чена к переходу база-эмитт тора через соединенные пар диод и управляемый ключевоНа чертеже приведена пр ная электрическая схема усУстройство содержит тра общую шину питания 2, изол шину питания 3, нагрузку 4 источник питания 6, ключез 7, токоограничивающий рези трансформатор 9 с первично 10 и вторичной обмоткой 11 управляемый ключевой элем ие быст б ство работает следующн Устройразом,При включении ключевого эле7 ток через него нарастает дония, меньшего, чем то, которымзистор 1 поддерживается в режисыщения, Это обусловлено тем,напряжения источника 6 цепи у.ния вычитается в начале отпира ента знач тра е на то и равл Изобретение относится к импульсной технике, может найти применение в устройствах Формирования импульсов скрупными Фронтами.Известно Устройство управления транзистором, содержащее источник питания, включенный последовательно с переходом база-эмиттер транзистора через токоограничивающий элемент, шунтированный конденсатором )1 .Известно также устройство управления транзистором, содержащее транзистор, соединенные последовательно с переходом база-эмиттер транзистора, источник питания, ключевой и токоограничивающий элементы, а также элемент форсирования переключения 21 .Известные устройства обладают недостаточным быстродействием.Цель изобретения - повышен родействия устройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее соединенные последовательно с переходом база-эмиттер транзистора источник питания, ключевой25 и токоограничивающий элементы, а также элемент Форсирования переключения транзистора, введены трансформатор, диод и управляемый ключевой элемент, выполненный, например, з виде цепи х диодов илитранзистосформаторацепью базавым, токои источникомка подклюер транзисаллельной элемент,инципиальтройства.нзистор 1,ированнуюдиод 5,ой элементстор 8,й обмоткойдиод 12,ент 13.636802 Формула изобретения Составитель Трубниковедактор Б. Федотов Техред О.Андрейко Корректор П. Макареви ж 1044ного комзобретекЖ - 35 р Заказ 6968 рР 49 Тир ЦНИИПИ Государстве по делам 113035, МосквПодпискота Совета Ми открытийшская наб.,истров СС Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная напряжение на первичной обмотке 10 трансформатора 9.Вместе с тем в базовую цепь транзистора 1 дополнительно к току обмотки 10 задается ток вторичной обмотки 11 через диод 12. При этом, если число витков обмотки 11 меньше 5 чисЛа витков первичной обмотки 10, ВЕЛИЧИна СУМмаРНОГО ТОКа ДВУХ ОТМОТОК р задаваемого в базу транзистора в начале процесса его отпирания, превышает величину тока базы транзистора Ю в состоЯнии насыЩениЯ тРанзистоРар когда этот ток определяется ЭДС ис точника 6 и сопротивлением резистора 8, так как трансформатор 9 к этому времени переходит в режим насыще- д ния сердечника, и напряжение на обмот- .ке 10 снижается До БУЛЯВ начале процесса отпирания транЗИСТОРа НаПРЯЖЕНИЕр ВОЗНИКаЮЩЕЕ На, обмотках трансформатора, вызывает Рост тОка намагкнЧиванияр и этО нРИ водит к снижению во времени тока вторичнОЙ обмОтки 11 КогДа этот ток спадает до нуля и запирается диод 12, в базовой цепи транзистора устанав-ливается ток, равный току первичной обмотки трансформатора причем к этому моменту времени напряжение на первичной Обмотке скижаетсЯ ДО кулЯ, В это время управляемый ключевой элемент 13 нахОДитсЯ В разОмкнутОм сос тоянии, и через него ток не протекаетфТаким образом, в предложенномустройстве ОдновременнО действуют два Фактора, способствующие сокращению длительности процесса отпирания тран. зистора, Первый из них - уменьшение тока, отбираемого от цепи управления в начальный момент (т.е. во время Формирования Фронта нарастания тока 40 транзистора) по отношению к току- задаваемого цепью управления в базу транзистора, когда последний работает в режиме насыщения. Второй фактор - наоборот, увеличение тока, задаваемого в базу транзистора во время Формирования Фронта нарастания тока коллектора, по сравнению с током базы, поддерживающим режим насыщения транзистора. Устройство управления транзистором, содержащее транзистор, соединенные последовательно с переходом баэаэмиттер транзистора источник питания, ключевой и токоограничивающий эле- менты, а также элемент Форсирования переключения транзистора, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены трансформатор, диод и управляемый ключевой, элемент, выполненный, например, в виде цепи последовательно СОЕДИНЕННЫХ:ДИОДОВр ПРИ ЭТОМ ПЕРВИЧ- ная обмотка трансформатора включена последовательно с. цепью база-эмиттер транзистора, ключевым .такоограничивающим элементом и источником питания, а вторичная обмотка подключена к переходу база-эмиттер транзистора через соединенные параллельно диод и управляемый ключевой элемент.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1 Степаненко И. П, Основы теории тракзисторов и транзисторных схемр Мрр Энергия, 1973, с. 445, рис. 14-21, с. 454, рис. 15-1.2. Сборник статей Электронная техника в автоматике под ред. Ю.Т. Конева, Мрр Сов. радиоррр вып. 7, 1975, с. 19. рис. 3.Р