Устройство управления транзистором

Номер патента: 630752

Авторы: Каменев, Новиков

ZIP архив

Текст

Гг,. ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ 1 п 1-бСа 1 ез Советских Социалистических Республик(51)Л.Кл.г Н 93 К 76 18 присоединением заявки Ле сударственнык ко 1 зитеКаменев и Е овико 54) УСТРОЙСТВО УП РАНА г Е 11 Я. ТРА 113 ИСТОРОМ 2 Изооретение от 1 носи тро тех ники, 1 в ч а отност образования элокт 1 риче РРазначеР 1 о для дс 1 польз вателях постоянного менное, в ключевых у Р 1 Т. Д. тся к области элеки к устройствам преской энергии, ц предования,в п 1 реобразонапряжения в пересилителях юощностР 1 15 т большую уменьшение лотстягается тем, что транзисторэм, сония, транзистор,и лрансформатор одна из которых о с транзистором, еходу база - эмит 25На фцг. 2, аные дцаграммьнапряжение нана.,ряженце нЗо,наиряжен 11 е на смечпрцведеныуслройств ранзистэра ранзсестора 6). он враоотывходе тбазеоомотке 8; о -6 в -Известно устроиство управления транзистором, содержащее блок у 1 пра 1 вления, транзнстор, уп 1 равляющий транзР 1 стор ц Т 1 рагнсформатор тока с тремя обмотками, одна из кото 1 рых в 1 ключена 1 последовательно с лранзисторэм, вто 1 рая подключена к ле 1 реходу база - эмиттер транзиото 1 ра, а третья вкл 1 очена между 1 коллекторо 1 м управляющего транзистора и допол 1 нителыным источником питания, база упразляю 1 цего тра 1 нзистора подключена к:выходу блока уп 1 равленю 11. Такое усвроиство полребл мошно,сть. Цель из,обретения ребления мощности. Поставленная цель до в устройст 1 во управлесния де 1 ржащее бло 1 к уп 1 равле упра 1 зляющий транзистор тока с тремя обмотками,включенапоследо 1 вательн вторая под(ключена к пертер транзсстсра, а третья зкл 101 ю 11 между коллектором управляющего транзисторац дополнительным источником пцта 1 ния, база у 1 травляюшего транзистора подкл 1 очена к выходу блэка у 11 равления, введены дополн 11 тельный транзистор, уснлитель,и резцстэз, с 1 р;Рчем база допогннцтельноло лранзистора соединена с другим выходом блока управления, коллектор - с ноллекторэм управляющего транзистора, о 1 ним из вы 1 водов резистора и 1 входом усилителя, выход 1 которого соедзонен с д 1 руп 1 м,выводом резистора.На фцг. 1 ярсоведена принципиальная элеклрцческая схема устройст 1 ва у 1 пра)вленця транзистором, где 1 - транз 11 стор, 2 - пе 1 рзая обмотка трансфэрматора тэка, 3 - трансформатор тока, 4 - втэрая оомотка транс 111 орматора тока, 6 - третья обмотка трансформатора тэка, 6 - удразляющцР 1 транзистор, 7 - блок у 1 правленця, 8 - до 1 полнитсльный транзистор, 9 - диод, 10 - резистор, 11 - усилитель, 12, 13 - транзисторы, 14 - диод.В ыомент Бремени (, с выхода схемы управления 7 на базу транзисщрапосту. пает,импульс, насыщающий этот транзистор, в результате чего оппираются транзисторы 12 и 13.,После:вьпключения транзи стара б в момент времени (, транзисторы 12 и 13 остаются включенными до момента обремени г когда в,результате увеличения тска через самотку 5 прансформатора 3 напряжение на коллекторе пранзистора 6 станет равным напряиению +Е,.После этого пранзисторы 12 и 13,вы. включаются, и -пок намагничивания трансформатора 3 замьпкается через диод 9 на транзистср 8, насыщенный имлульсом, поступающим в это время с дополнительного выхода схемы управления 7, К обмотке 5 трансформатора 3,в это время прикладывается напряжение, приблизительно равнае Е - Е поэтому ток намапнлчивания увеличивается, но,ненамного, так как разность Е, - Е, выбирается малой. В мамент времени г, пранзистрр 8 запирается, и так яамагничдвания трансформатсра 3 замыкается через эмиттерно-,базовый, переход 2 В транзистора 1. В результате действия полсжительной обрапной связи из коллекториой цепл пранзистора 1 в базовую через прансфсрматор 3 тска базовый ток, необхо. димый для насыщения пранзистора 1, поддержвваепся независимо от величины его коллекториого тока,Вьпключен,ие тра,нз,исгора 1,происходит при включении транзистора 6 импульсов, поспупающих в момент времени (4 с выхода блока 7 управления. Если за то время, когда пранзистор 1 был включен, намапниченность трансформатора 3,изменила знак, то после включения транзистора 6 так намапничизания замьпкается через диод 14. Необходлмые знак и уровень намагничи. вания восстанавливаются за то время, пока включены транзисторы,12 и 13, Посколыку транзистар 6 мажет отпираться лишь на караткое время, необходимое для вьпключения транзистсра,(,и включения пранзисторов 12,и 13, так как,запирание транзпстора 1 обеспечивается дополнителыным транзисторам,8, то ток намагничивания трансфсрматора 3 не определяется временем включения транзистора б. Благодаря этаму можно вырать оптимальное вначение этого тока, обеспечивающее надежное включение пранзистора (, и в то же время малое потребление энергии от источника питания соопветствующим выбором сопротпвления резистора 10 и наспряжевия +Е 2.Ф о р м ул а и з о б р е те ни яУстройспво уцравленния транзистором, содержащее блок управления, траязистэр, управляющий транзистор, трансформатар тска с тремя обмотками, одна,из которых включена последовательно с транзистором, втср ая подключена,к,переходу база - эмиттер Пранзистора, а третья включена между коллектор ам,упр авлияющего пр анзистар а,и дополнителыным,источником литания, база управляющего пранзистора,подключена к выходу блока;уаравления, о тл,и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью уменышения потреблениа:мощностив него введены дополнительный ъранзнстср, уаилитель и резистор, причем база дополнительного пранзистора соединена с друпии (выходом блока управления, лйаллектор - с (ксллектсдОм упдаВ- ,ляющего траиз,ис пара, олндм из выводов резистара и входом усилителя, выход которого соединен с другим выводом резистора.Источник,инфармации, принятый во энимание дри экспертиве;1. Палупроводниковые:приоры в темнике элекпроавязи, Под ред. И. Ф. Нвколаевокапо. Вып. 13. М Связь, 1975, с. 119.

Смотреть

Заявка

2498796, 23.06.1977

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7162

КАМЕНЕВ ОЛЕГ СЕРГЕЕВИЧ, НОВИКОВ ЕВГЕНИЙ ФЕДОРОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 17/60

Метки: транзистором

Опубликовано: 30.10.1978

Код ссылки

<a href="https://patents.su/3-630752-ustrojjstvo-upravleniya-tranzistorom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство управления транзистором</a>

Похожие патенты