Патенты с меткой «слоя»
Способ образования металлического герметизирующего слоя на поверхности уплотнительных элементов
Номер патента: 324902
Опубликовано: 10.05.2000
Авторы: Ванин, Камардин, Поляков
МПК: F16J 15/08
Метки: герметизирующего, металлического, образования, поверхности, слоя, уплотнительных, элементов
1. Способ образования металлического герметизирующего слоя на поверхности уплотнительных элементов, например, в вакуумных устройствах, отличающийся тем, что, с целью образования мелкодисперсного слоя с наименьшим возможным пределом текучести, между уплотнительными элементами размещают прокладку из материала, образующего герметизирующий слой, в зоне уплотнения создают вакуум, прокладку обжимают уплотнительными элементами, выдерживают при заданном усилии обжатия и заданной температуре некоторое время, затем уплотнительные элементы разводят и повторяют весь цикл несколько раз.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при разведении уплотнительных элементов последние отрывают от...
Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов
Номер патента: 296456
Опубликовано: 10.05.2000
Авторы: Ванин, Камардин, Поляков
МПК: F16J 15/12
Метки: герметизирующего, контактирующих, металлического, образования, поверхностях, слоя, уплотнительных, элементов
Способ образования металлического герметизирующего слоя на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов запорных и разъемных устройств, работающих в условиях вакуума или избыточного давления, заключающийся в помещении уплотнительных элементов в вакуум, обжатии их, выдержке при усилии обжатия и температуре, обеспечивающих молекулярно-диффузионное сцепление контактирующих поверхностей, разведении их с отрывом друг от друга и повторении всего цикла несколько раз, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического цикла при одновременном улучшении характеристик слоя, металлический герметизирующий слой формируют на контактирующих поверхностях уплотнительных элементов...
Способ автоматического регулирования процесса обжига в печи кипящего слоя
Номер патента: 1047257
Опубликовано: 27.07.2000
Авторы: Еникеев, Кобяков, Мирзаянов
МПК: F27B 15/18
Метки: кипящего, обжига, печи, процесса, слоя
Способ автоматического регулирования процесса обжига в печи кипящего слоя путем изменения нагрузки по серосодержащему сырью в зависимости от разности температур кипящего слоя и обжигового газа с коррекцией по расходу кислородсодержащего дутья, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности работы печи за счет повышения качества регулирования, при регулировании нагрузки по дутью и сырью вводят дополнительную коррекцию по распределению температуры по высоте кипящего слоя, температуре и концентрации серистого ангидрида на выходе печи, степени запыленности обжигового газа и уровню кипящего слоя.
Состав для наружного слоя слоистого материала
Номер патента: 1610860
Опубликовано: 20.09.2000
Авторы: Беляков, Благова, Володина, Иванова, Кравец, Лифинцев, Пайкачев, Суворов, Штейнберг
МПК: C08K 13/02, C08L 27/06
Метки: наружного, слоистого, слоя, состав
Состав для наружного слоя слоистого материала, включающий поливинилхлорид, пластификатор, стабилизатор, трехокись сурьмы, наполнитель и антистатик - метил-трис-(оксиэтил)аммонийметилсульфат, отличающийся тем, что, с целью улучшения антистатических свойств, снижение жесткости и воздухопроницаемости материала, в качестве антистатика композиция дополнительно содержит асбест при соотношении метил-трис-(оксиэтил)аммонийметилсульфата асбеста 1 : 8 - 4 : 1 при следующем соотношении компонентов. мас.ч.:Поливинлхлорид - 100Пластификатор - 60 - 130Стабилизатор - 2 - 7Трехокись сурьмы - 3 - 20Наполнитель - 5 - 30Метил-трис-(оксиэтил)аммонийметилсульфат - 5 - 20
Состав фоточувствительного слоя гибкого электрофотографического материала
Номер патента: 1393141
Опубликовано: 20.09.2000
Авторы: Бойко, Гребенюк, Костенко, Кошелев, Орлова, Перельман
МПК: G03G 5/07
Метки: гибкого, слоя, состав, фоточувствительного, электрофотографического
Состав фоточувствительного слоя гибкого электрофотографического материала, включающий органический фотопроводник - 3-бром- или 3,6-дибром-, или 1,3,6-трибром, или 3,6-дихлорполи-N-(2,3-эпоксипропил)карбазол, или сополимер 3,6-дибром-N-эпоксипропилкарбазола с бутилглицидиловым эфиром при соотношении мономеров, соответственно равном 90 - 92 : 8 - 10, и сенсибилизатор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоя для повышения его общей фоточувствительности, он дополнительно содержит сополимер винилацетата с этиленом совместно с N-алкилкарбазолом с C8-C10 или ангидридом фталевой или малеиновой кислоты при следующем соотношении компонентов, мас. %:
Композиция фоточувствительного слоя электрофотографического материала
Номер патента: 1243524
Опубликовано: 20.09.2000
Авторы: Кошелев, Лебедева, Малышев, Матасова, Орлова
МПК: G03G 5/06
Метки: композиция, слоя, фоточувствительного, электрофотографического
Композиция фоточувствительного слоя электрофотографического материала, содержащая поли-N-(2,3-эпоксипропил)карбазол, пластификатор, сенсибилизатор и растворитель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения фоточувствительности и/или уменьшения темнового спада потенциала при положительной и/или отрицательной зарядке при сохранении физико-механических характеристик материала, она содержит в качестве растворителя соединение, выбранное из группы, содержащей этилацетат, бутилацетат, метилэтилкетон, циклопентанон, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Поли-N-(2,3-эпоксипропил)карбазол - 15,60 - 25,82Пластификатор - 4,16 - 7,0Сенсибилизатор - 0,03 - 2,00Растворитель -...
Способ выделения изопрена из углеводородного слоя
Номер патента: 803342
Опубликовано: 20.12.2000
Авторы: Абрамов, Белгородский, Беляев, Бутин, Головачев, Горшков, Павлов, Сараев, Храпкова, Чуркин
МПК: C07C 11/18, C07C 7/00
Метки: выделения, изопрена, слоя, углеводородного
Способ выделения изопрена из углеводородного слоя, образующегося после расслаивания продуктов синтеза его на основе изобутилена и формальдегида, включающий отделение от углеводородного слоя путем азеотропной ректификации в качестве дистиллата смеси С4-углеводородов, метанола и воды и разделение полученного кубового остатка путем ректификации с отбором в качестве дистиллата изопрена-сырца с последующей очисткой последнего экстрактивной ректификацией с использованием в качестве селективного растворителя низших алифатических спиртов или их смесей и водной отмывкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения технико-экономических показателей процесса и повышения качества изопрена,...
Способ разделения водного слоя в процессе получения изопрена из изобутилена и формальдегида
Номер патента: 1039374
Опубликовано: 10.06.2001
Авторы: Горшков, Дульцев, Орлов, Павлов, Плечев, Чуркин
МПК: C07C 11/18, C07C 27/28, C07C 27/34 ...
Метки: водного, изобутилена, изопрена, процессе, разделения, слоя, формальдегида
Способ разделения водного слоя в процессе получения изопрена из изобутилена и формальдегида путем вакуумной ректификации с отбором в кубовом продукте высококипящих соединений, возвращаемых в процесс получения изопрена, и отбором в дистилляте водной фракции, подаваемой на извлечение органических соединений путем экстракции С4 углеводородами при повышенной температуре, с последующим возвратом полученной экстрактной фазы в процесс получения изопрена и отделением сточной воды от рафинатной фазы путем ректификации, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь органических соединений и повышения степени очистки сточной воды, вакуумную ректификацию проводят в присутствии...
Способ получения инверсного слоя в антимониде индия
Номер патента: 1005602
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Дубровская, Коршунов, Тихонов, Тихонова
МПК: H01L 21/324
Метки: антимониде, инверсного, индия, слоя
Способ получения инверсного слоя в антимониде индия, включающий облучение подложки ионами, нанесение защитной пленки и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, отжиг проводят одновременно с нанесением защитной пленки при температуре подложки от 100 до 300oC в течение времени от 10 до 30 мин.
Способ нанесения намывного фильтрующего слоя на поверхность цилиндрического фильтрующего элемента
Номер патента: 1429380
Опубликовано: 20.12.2001
МПК: B01D 37/02
Метки: намывного, нанесения, поверхность, слоя, фильтрующего, цилиндрического, элемента
Способ нанесения намывного фильтрующего слоя на поверхность цилиндрического фильтрующего элемента, включающий подачу в корпус фильтра потока суспензии порошка в направлении снизу вверх и отвод жидкой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения равномерности намывного фильтрующего слоя из суспензии полидисперсного порошка с размером частиц 40 - 200 мкм, заполняют суспензией корпус фильтра и затем подают поток суспензии в виде спирально закрученной струи под углом к горизонту со скоростьюгде H - высота подъема струи, м;D - диаметр корпуса,...
Способ намыва фильтрующего слоя
Номер патента: 1220183
Опубликовано: 20.12.2001
МПК: B01D 37/02
Метки: намыва, слоя, фильтрующего
Способ намыва фильтрующего слоя путем пропускания суспензии через фильтрующую перегородку, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работоспособности фильтра в нестационарных режимах и при кратковременных снижениях перепада давления на фильтре до нулевых значений путем упрочнения намывного слоя, в конце намыва суспензии импульсно повышают перепад давления до величины, равной рабочему давлению суспензии на входе в фильтр.
Устройство для сдува пограничного слоя с закрылка летательного аппарата
Номер патента: 274979
Опубликовано: 10.03.2005
Авторы: Емелин, Корнеев, Мазаев, Хесин
МПК: B64C 21/00
Метки: аппарата, закрылка, летательного, пограничного, сдува, слоя
1. Устройство для сдува пограничного слоя с закрылка летательного аппарата, включающее расположенный в крыле воздушный коллектор со щелевым соплом и отклоняемый закрылок, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности системы сдува пограничного слоя, в носке закрылка по всему его размаху на верхней поверхности установлен козырек и выполнена полость, в которой размещена задняя часть воздушного коллектора с подпружиненной профилированной пластиной в качестве опоры для козырька закрылка, при этом срез щелевого сопла коллектора расположен под углом 20-25° к вертикали.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью упрощения технологии сборки и ремонта системы сдува...
Способ определения глубины наклепанного слоя на поверхности электропроводящих деталей
Номер патента: 1551080
Опубликовано: 10.09.2005
Авторы: Архипов, Волков, Денисов, Нефедова
МПК: G01N 27/90
Метки: глубины, наклепанного, поверхности, слоя, электропроводящих
Способ определения глубины наклепанного слоя на поверхности электропроводящих деталей, заключающийся в том, что возбуждают с помощью вихретокового преобразователя, включенного в контур автогенератора, вихревые токи на контролируемом участке детали, получают изменение частоты автогенератора и используют ее в качестве информационного параметра при определении глубины наклепанного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, приводят вихретоковый преобразователь во взаимодействие также и с ненаклепанной деталью, плавно увеличивают начальную частоту автогенератора, определяют разность частот f, полученных при...
Способ определения границ переходной области пограничного слоя сверхзвукового потока
Номер патента: 682011
Опубликовано: 10.10.2008
Авторы: Ганиев, Мурзинов, Шкатов, Шманенков
МПК: G01M 9/00
Метки: границ, области, переходной, пограничного, потока, сверхзвукового, слоя
1. Способ определения границ переходной области пограничного слоя сверхзвукового потока, основанный на визуализации спектра обтекания оптическим методом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, вдоль исследуемой поверхности по оси потока перемещают препятствие, создающее отрывную зону, и фиксируют место положения начала отрывной зоны при изменении угла наклона отрывной зоны.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что препятствие выполняют в виде щитка, установленного под углом к исследуемой поверхности, равным критическому при ламинарном или турбулентном обтекании.
Модель летательного аппарата для определения области перехода пограничного слоя
Номер патента: 904433
Опубликовано: 10.10.2008
Авторы: Уланов, Шкатов, Шманенков
МПК: G01K 17/08, G01M 9/08
Метки: аппарата, летательного, модель, области, перехода, пограничного, слоя
Модель летательного аппарата для определения области перехода пограничного слоя, содержащая корпус и нанесенные на его поверхности слои термоиндикаторных покрытий, внешний слой которого имеет температуру перехода меньше смежного внутреннего слоя, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности определения границ переходной области пограничного слоя в ней, термоиндикаторные покрытия выполнены из пленок разного цвета, а между нижним термоиндикаторным слоем и корпусом модели размещен слой теплозащитного материала с низким коэффициентом теплопроводности.
Высокотемпературная батарея с твердым электролитом, способ ее изготовления и используемое при этом вещество электроизоляционного слоя
Номер патента: 1840819
Опубликовано: 27.01.2012
МПК: H01M 8/12
Метки: батарея, вещество, высокотемпературная, используемое, слоя, твердым, электроизоляционного, электролитом, этом
1. Высокотемпературная батарея с твердым электролитом с последовательно соединенными элементами, выполненным в виде волнообразных слоев (гофров) электролита и электродов, соединенных разделительной перегородкой, реакционные полости элементов коммутируются газовым коллектором, отличающаяся тем, что, с целью улучшения удельных характеристик, упрощения конструкции и сборки, каждый элемент выполнен в виде прямоугольного блока-пластины с прямоугольными гофрами, вдоль одной из сторон которого, перпендикулярной гофрам, на торцовой поверхности имеются отверстия газового коллектора одного из реагентов, газовые каналы другого реагента сообщаются с внешним объемом батареи через отверстия в боковой стенке, причем смежные элементы повернуты...
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел полупроводник
Номер патента: 1082253
Опубликовано: 27.05.2012
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел полупроводник
Номер патента: 1238630
Опубликовано: 27.06.2012
Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько
МПК: H01L 21/66
Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник
Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.
Способ емкостного контроля токопроводящего слоя на диэлектрике
Номер патента: 1840845
Опубликовано: 27.12.2012
Автор: Самсонов
МПК: G01B 7/32
Метки: диэлектрике, емкостного, слоя, токопроводящего
Способ емкостного контроля токопроводящего слоя на диэлектрике, заключающийся в том, что диэлектрик контактируют с электродом, измеряют электрическую емкость между этим электродом и токопроводящим слоем и по значению этой емкости определяют площадь указанного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля изменения указанной площади вследствие нарушения целостности токопроводящего слоя и фиксации координат этого нарушения, сканируют поверхность слоя составным электродом, поочередно коммутируя его компоненты, а затем один из них перемещают в пределах выявленных дефектных зон в контролируемом слое.