Патенты опубликованные 27.12.2012
Устройство для непрерывного литья круглых заготовок
Номер патента: 1780237
Опубликовано: 27.12.2012
Автор: Тимохин
МПК: B22D 11/14
Метки: заготовок, круглых, литья, непрерывного
Устройство для непрерывного литья круглых заготовок, содержащее сквозной кристаллизатор, дозатор для подвода расплава в его входную зону и барабан, выполненный с возможностью вращения и установленный торцовой поверхностью со стороны входа в кристаллизатор, отличающееся тем, что, с целью повышения качества заготовок, барабан выполнен водоохлаждаемым с возможностью вращения вокруг продольной оси кристаллизатора и установлен в рабочую полость кристаллизатора с перекрытием его поперечного сечения, при этом кристаллизатор установлен с возможностью возвратно-поступательного перемещения, а дозатор для подвода расплава встроен в его верхнюю стенку.
Машина непрерывного литья круглых полых заготовок
Номер патента: 1832595
Опубликовано: 27.12.2012
Автор: Тимохин
МПК: B22D 11/14
Метки: заготовок, круглых, литья, непрерывного, полых
Машина непрерывного литья круглых полых заготовок, содержащая сквозной кристаллизатор с дорном, дозатор для подвода расплава во входную зону кристаллизатора, установленную относительно дорна с зазором, полую затравку и тянущее устройство с шаговым приводом для вытягивания затравки, при этом дорн выполнен с посадочной и консольной частями, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности процесса литья и качества заготовок, дорн выполнен водоохлаждаемым и установлен с возможностью вращения вокруг продольной оси машины, при этом посадочная часть дорна сопряжена с рабочей полостью кристаллизатора, а его консольная часть - с внутренней полостью затравки.
Устройство для непрерывного литья заготовок
Номер патента: 1781922
Опубликовано: 27.12.2012
Автор: Тимохин
МПК: B22D 11/14
Метки: заготовок, литья, непрерывного
Устройство для непрерывного литья заготовок, содержащее металлоприемник, сквозной кристаллизатор, дозатор для подвода расплава в его входную зону и барабан, выполненный с возможностью вращения и установленный цилиндрической поверхностью со стороны входа в кристаллизатор, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, барабан выполнен водоохлаждаемым с возможностью вращения вокруг оси, перпендикулярной продольной оси кристаллизатора, и установлен в рабочую полость кристаллизатора с перекрытием его поперечного сечения, при этом кристаллизатор выполнен с возможностью возвратно-поступательного перемещения, а дозатор для подвода расплава встроен в его верхнюю стенку.
Устройство для непрерывного литья заготовок
Номер патента: 1785137
Опубликовано: 27.12.2012
Автор: Тимохин
МПК: B22D 11/14
Метки: заготовок, литья, непрерывного
Устройство для непрерывного литья заготовок, содержащее сквозной кристаллизатор, дозатор для подвода расплава в его входную зону и барабан, выполненный с возможностью вращения и установленный цилиндрической поверхностью со стороны входа в кристаллизатор, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, барабан выполнен водоохлаждаемым с возможностью вращения вокруг оси, перпендикулярной продольной оси кристаллизатора, и установлен с перекрытием поперечного сечения кристаллизатора, при этом дозатор для подвода расплава встроен в верхнюю стенку кристаллизатора, а торцевая поверхность его рабочих стенок со стороны входа выполнена с радиусом кривизны, равным радиусу кривизны...
Способ емкостного контроля токопроводящего слоя на диэлектрике
Номер патента: 1840845
Опубликовано: 27.12.2012
Автор: Самсонов
МПК: G01B 7/32
Метки: диэлектрике, емкостного, слоя, токопроводящего
Способ емкостного контроля токопроводящего слоя на диэлектрике, заключающийся в том, что диэлектрик контактируют с электродом, измеряют электрическую емкость между этим электродом и токопроводящим слоем и по значению этой емкости определяют площадь указанного слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля изменения указанной площади вследствие нарушения целостности токопроводящего слоя и фиксации координат этого нарушения, сканируют поверхность слоя составным электродом, поочередно коммутируя его компоненты, а затем один из них перемещают в пределах выявленных дефектных зон в контролируемом слое.