Заметин

Ротативная установка для исследования гидродинамического сопротивления элементов судовой обшивки

Загрузка...

Номер патента: 1341514

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Амфилохиев, Бесядовский, Заметин, Мазаева

МПК: G01M 10/00

Метки: гидродинамического, исследования, обшивки, ротативная, сопротивления, судовой, элементов

...предприятие, г. Уж Изобретение относится к судостроению, в частности к установкам для экспериментального определения сопротивления элементов судовой обшивки и управления пограничным слоем.Цель изобретения - повышение точности измерения и удобства эксплуатации.На фиг. 1 изображена ротативная усО тановка, Вид спереди; на фиг. 2 то же, вид слева (вдоль оси вала).Ротативная установка содержит заполненный водой резервуар 1, в котором размещен вал 2 с исследуемым образцом 3. Вал кинематически связан с электродвигателем 4. В заполненный водой резервуар 1 помещен дополнительный резервуар 5, также заполненный водой и, закрепленный на раме 6. Рама имеет опоры 7 и 8, позволяющие дополнительному резервуару вместе с рамой...

Ротативная установка для исследования гидродинамического сопротивления элементов судовой обшивки

Загрузка...

Номер патента: 1163176

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Амфилохиев, Герловин, Заметин, Мазаева

МПК: G01M 10/00

Метки: гидродинамического, исследования, обшивки, ротативная, сопротивления, судовой, элементов

...и заполненный водой резервуар, в котором размещен конец вала с возможностью закрепле 30 ния исследуемого образца, причем этот вал кинематически связан с электродвигателем, снабжена шкивом с ободо.ф, ступицей и спицами, насаженными на вал, а на его спицах закреплены датчики крутящего момента, при этом обод шкива выполнен с возможностью закрепления на нем исследуемого образца.На фиг.1 изображена ротативная установка, вид в плане 1 на фиг.2 -40 шкив с датчиками крутящего момента и исследуемым образцом.Ротативная установка содержит заполненный водой резервуар 1, в котором размещен вал 2 с исследуемым45 образцом 3 и кинематически связанный с электродвигателем ч. Исследуемый образец 3 крепится к шкиву с ободом 5, ступицей 6 и спицами 7, на...

Синхронный микровольтметр

Загрузка...

Номер патента: 834544

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Заметин

МПК: G01R 19/02

Метки: микровольтметр, синхронный

...фильтра и последовательно соединенных оконечного усилителя, синхронного детектора и индикатора, дополнительно введены первый и второй усилители, измерительный блок, блок сравнения, корректирующее звено и источник опорного напряжения (тока), причем первый усилитель включен между предварительным усилителем и синхронным фильтром, второй усилитель включен между синхронным фильтром и оконечным усилителем, вход измерительного блока соединен с выходом, первого усилителя, его выход соединен с первым входом блока сравнения, второй вход блока сравнения соединен с источником опор 45 ного напряжения (тока), а выход блока сравнения через корректирующее звено соединен с управляющими входами первого и второго усилителей, при этом...

Устройство для определения темпе-ратуры сегнетоэлектрического фазовогоперехода

Загрузка...

Номер патента: 817545

Опубликовано: 30.03.1981

Автор: Заметин

МПК: G01N 21/00

Метки: сегнетоэлектрического, темпе-ратуры, фазовогоперехода

...по-тока;пропускание.кристалла приданной энергии кванта подающего потока излучения,где СК - постоянная Кюри-Вейсаф6 К -температура Кюри-Вейса.Тай как Ъ и со константы, а величину ( я(и соответственно 3 ) легко сделать константой соответствующим выбором условий эксперимента, то подставив (3) в (2) и обозначив неизменную часть коэффициентов полученного выражения А1 (3 ТТ д(ЬЧ) получим а = д(-6 - 1 г Откуда следует, что величина Г связана с температурой кристалла 6 линейной зависимостью и равна нулю при температуре образца, равной темпера:туре Кюри-Вейса Ок, что и позволяет из температурной зависимости Г определить бк . В случае отличия температуры фазового перехода от Ок, последняя, как обычно, может быть определена путем...

Устройство для регулирования температуры

Загрузка...

Номер патента: 710031

Опубликовано: 15.01.1980

Автор: Заметин

МПК: G05D 23/19

Метки: температуры

...к данному изобретению является устройство, содержащее блоксравнения, первый вход которого соединен с выходом измерительного блока,второй вход - с выходом генераторапилообразного напряжения, а выход -с первым входом исполнительного бло Ока, второй вход которого подключенк источнику питания (2).Недостатком такого устройства является низкая точность.Целью изобретения является повьхаение точности устройства.Это достигается тем, что предлагаемое устройство содержит квадратор,вход которого подключен к источникупитания, а выход - к управляющему входу генератора пилообразного напряжения.Устройство для регулирования температуры представлено на чертеже.Устройство содержит блок сравнения 1, первый вход которого соединен с выходом измерительного...

Устройство для регулирования температуры

Загрузка...

Номер патента: 646321

Опубликовано: 05.02.1979

Автор: Заметин

МПК: G05D 23/19

Метки: температуры

...вход второго широтно-импульсного преобразователя 8, синхронизированного по каждому полупериоду источника 7 переменного напряжения.Импульс, фронт которого совпадает с Зоначалом каждого полуериода переменногонапряжения, а длительность пропорциональна выходному сигналу элемента 12 сравнения, с выхода второго широтно-импульсногопреобразователя 8 подается на второй блок9 управления, формирующий импульс в момент времени, совпадающий с окончаниемимпульса с выхода второго широтно-импульсного преобразователя 8. Этим импульсом замыкается второй ключевой элемент 10, пропуская оставшуюся часть полупериода пере менного напряжения на вход преобразователя1 напряжения,При отклонении, например увеличении, амплитуды переменного напряжения,...

Координатно-чувствительный приемник излучения

Загрузка...

Номер патента: 636487

Опубликовано: 05.12.1978

Авторы: Адонин, Греков, Заметин, Рабкин

МПК: G01J 5/44

Метки: излучения, координатно-чувствительный, приемник

...предлагаемого приемника излучения; на фиг. 2 - схема включения.Координатно-чувствительный приемникизлучения содержит сегнетоэлектрический 5 кристалл 1 с областью сосуществованиявстречных доменов, электроды 2 на торцовых поверхностях кристалла, электроды 3 на ооковых поверхностях кристалла и усилитель 4.Устройство работает следующим образом При воздействии зондирующих импульсов потока электромагнитного излучения 5 на участок поверхности сегнетоэлектрического кристалла 1, содержащего область сосу,цествования встречных доменов, возникает изменение величины поляризации сегнетоэлектрического кристалла на данном участке, что приводит к освобождению части компенсируюгцпх поляризацию зарядов пропорционально величине изменения поляризации, т. е....

Регулятор температуры

Загрузка...

Номер патента: 590717

Опубликовано: 30.01.1978

Автор: Заметин

МПК: G05D 23/19

Метки: регулятор, температуры

...зависимости (например, квадратичной) от,величины сетевого напряжения, подается на вход ли 20 нейного аналогового ключа 4, управляемого выходным импульсом т 1 второго широтно-импульоного преобразователя б. Этот же импульс, пройдя через блок управления 7, включает силовой ключ 8, который пропускает им 25 пульс, сетевого напряжения в нагреватель 9.Таким образом, длительность импульса на выходе ключа 4 равна времени включения нагревателя 9, а амплитуда Р 1 импульса нахо дится в заданном соотношении с величиной напряжения источника питания 12, Выходное напряжение Ь,п,т интегрирующего усилителя 10, сигнал на вход которого поступает с выхода блока сравнения 3, равно 35 Уип = -К,КУ,й --КзКЧ,Ж = где Кз и Кго - коэффициенты передачи блока...

Способ и устройство для определения температуры сегнетоэлектрического перехода

Загрузка...

Номер патента: 585431

Опубликовано: 25.12.1977

Автор: Заметин

МПК: G01N 21/00

Метки: перехода, сегнетоэлектрического, температуры

...температуры фанового перехода как в объеме образцатак и в тонком слое на его поверхности. Объясняется это тем, что приизмерении глубины модуляции прошедшегочерез образец потока излучения, в 6процессе модуляции участвует весьобъем находящегося на пути потокаизлучения вещества, т. . измеряетсятемпература, Фазового перехода объема.Прй измерении же глубины модуляции 1отраженного потока излучения в процессе модуляции участвует (взаимодействует со светом) лишь поверхностный слой, причем толщина слоя с 11(глубина проникновения потока электраглагнитного излучение в вещество)зависит от длины волны падающего потока излучения как д= + (см), гдесс - коэффициент поглощейия. Так каког.(оэ)может изгленяться от единиц довеличин порядка 10 см , то и...