Патенты с меткой «отрицательных»

Номер патента: 437992

Опубликовано: 30.07.1974

Авторы: Каганов, Привин

МПК: G01W 1/11

Метки: влажности, воздуха, отрицательных, температурах

...проводить надежные измерения дистанционно. правлении, соответствующем охла ченных и нагреванию сухих спае Способ заключается в том, что перед измерением через термобатарею пропускают постоянный ток, Направление тока выбирают таким, чтобы спаи, покрытые слоем воды (льда), 5 охлаждались, а сухие спаи нагревались, Параметры термобатареи и величину питающего ее тока рассчитывают так, чтобы температура смоченных спаев во время пропускания тока понизилась на величину порядка 15 С, Если 0 до включения тока на смоченных спаях термобатареи вода за счет эффекта переохлаждения не замерзла, то после пропускания тока через термобатарею можно быть уверенным, что на смоченных спаях образовался лед, Та ким образом, пропускание тока избавляет...

Номер патента: 439859

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Зандберг, Палеев

МПК: H01J 3/04

Метки: ионов, источник, отрицательных

...Л. Цветкова Изд.1901 Гираь 760 ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Подписное Заказ 5540 Обл. тип, Костромского управления издательств, полиграфии и кпизкной торговли этом пути электроны понпзируют газ илп пар и образуют положительные ионы. Образующиеся в пространстве между электродом 4 и мишенью положительные ионы ускоряются в направлении мишени и выбивают из пленки адсорбированного на ней газа илп пара отрицательные ионы. Выбитые отрицательные ионы ускоряются в направлении электрода 4, проходят сквозь щель в нем и затем используются по назначению. Они могут быть направлены в масс-анализатор для разделения по теЧем ближе потенциал 1/, к потенциалу С...

Номер патента: 293529

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Мосенков, Орловский

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, источник, отрицательных

...относительноВ таких ис.точниках невание неаксдапьных пучонд обладают огра 1 е. си токов отрицательных заметное увенене отионов в связс захватал ти ведет к резкому у веонной нагрузки,аемого изобретения - уве ти д величины тока отри при низкой цпотптором с зазором установлена коническаявтулка,На чертеже изображен предлагаемыйионный источник, содержащий оксидныйкатод 1, промежуточный электрод 2, например стальной, прижимную гайку 3, фигурную вставку 4, пробку 5, твнтвловуюанодную вставку 6, анод 7, вытягиввющийэлектрод 8.фигурная вставка 4 представляет собойусеченное коническое тело с диаметрами уоснований 2 и 1,5 мм. Вставка у основания диаметром 2 мм имеет две диаметрально расположенные плоские секторные опо.ры, с помощью...

Номер патента: 543151

Опубликовано: 15.01.1977

Автор: Мартин

МПК: H03K 3/15

Метки: дифференцированного, одновременного, отклонений, отрицательных, положительных, пороговое, уровня

...и клемме ои коллектору транзистора 1 можно подключить сепаратные индикаторы для групповойобработки сигналов.Устройство работает следующим образом.25 Контролируемое напряжение подается наклемму б. В состоянии покоя устройства транзистор 1 является проводящим, а транзистор2 - закрытым. При минимальном напряже543151 Составитель М. АудрингТехред Е. Петрова Редактор Н. Коган Корректор А. Степанова Заказ 448/18 Изд.122 Тираж 1054 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 нип, т. е. после достижения нижней пороговой величины схема триггера опрокидывается, транзистор 1 обесточивается и с помощью транзистора 2 срабатывает...

Номер патента: 574793

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Белков, Корниенко, Слободкин, Шелевская, Эйдман

МПК: H01M 4/23

Метки: аккумулятора, отрицательных, отформированных, свинцового, сушки, электродов

...энергоподвода с ограниченным доступом воздуха,Однако этот способ длителен, и высушенные электроды имеют довольно большой процент окисленности. первой стадии и 180 вС в течение 1 - 3 мин на второй стадии.Сушка происходит при повышенном давлении паровоздушной смеси, Последнее получается естественным путем благодаря помещению электродов в щелевидный канал, образованный снизу греющей кондуктивной поверхностью (поверхностью движущегося конвейера) и сверху. излучающей поверхностью. В этом случае испаряющаяся влага электродов в ограниченном объеме поддерживает давление паровоздушной среды выше атмосферного на 0,1 - 10 мм вод, ст., тем самым препятствуя проникновению кислорода воздуха к химически активной поверхности электродов.П р и м е р....

Номер патента: 554781

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Бацких, Кушин, Мурин

МПК: H05H 9/02

Метки: водорода, ионов, линейный, отрицательных, протонов, резонансный, ускоритель

...содержит начальную часть , расшепляюший магнит 2, сумматоры 3 и 4, предназначенные соответственно для сложения сгустков протонов и отрицательных 15 ионов водорода, суммирующий магнит 5 и основную часть 6, Начальная часть выполне на в виде многолучевого резонатора с трубками дрейфа, в каждой из которых размещено параллельно пять квадрупольных линз, 20 В каждом из сумматоров 3 и 4 предусмотрены участки ионопроводов 7 с различной длиной которые обеспечивают сдвиг фазы между сгустками на величину 2 Й/р, фиксирующая линза 8 и ВЧ резонатор 9 с кру говой поляризацией электрического поля на частоте, начальной части ускорителя, В ос-. новной части предусмотрен ускоряюше-фокусируюший канал, в котором ускорение ве- дется на частоте в пять...

Номер патента: 603846

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Красильников, Ларионова, Тарасов

МПК: G01B 19/16

Метки: деформативности, исследования, отрицательных, строительных, температурах

...12, Нв шлифованной пластине3 установлены вертикальные цилиндрическиеперегородки 13 и опрэкинутые стаканы 14, 45образующие кольцевые гидрозатвэры 15,Шток 6 выполнен в виде кварцевой трубки,снабженной горизонтальными шлифованными перегородками 16 и 17, размещенными,соответственно, ня верхнем ее торце и вбли зи нижнего торца 18, выпэлненнэго в видеопрокинутого стакана образующего с вертикальной цилиндрической перегородкой 19,расположенной по центру пластины 3, кольцевой гидрозатвэр 20, Шток 6 снабжен 55направляющим приспэсоблением в виде кварцевой трубки 21, расположенной снаружиштока, Между трубкой 21 и кварцевой трубой 2 установлены теплэизоляционцые прокладки 22. Снаружи княрцевэй трубы 2 и 60 кэнцентричнэ ей установлена...

Номер патента: 543306

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Зац, Козлов, Пистряк, Чеканов

МПК: H01F 3/04

Метки: ионов, источник, отрицательных

...случае происходит за счет повышения плотности тока пучкапервичных ионов при одинаковых площадках распыления.+яре.цщ 38 А.ь пдОТ 1 30ястпараметры дляпрототипа,параметры дляпредложенного устройства. 15В свою очеРедь,п е, бУдтбольшепри прочих равных условиях эа счет увеличения площадиионизаторар тогца2 ЯИ МпзВД 2 яротУгде й: и 1=соответственно радиус ивысота ионизатора в предложенном источник ЪИ-радиус иониэатора В прототипе.На еертеже показан предлагаемыйисточник, общий нид,Катод 1 предлагаемого источникавыполнен н виде цилиндра с конусом; БОизготовленного из материала, ионыкоторого необходимо получить.Концентрично катоду расположен источник первиеннх положительных ионов, содержащий иониэатор 2, представляющий собой 35кольцен;,.3...

Номер патента: 550052

Опубликовано: 25.12.1979

Автор: Лазарев

МПК: H01J 37/08

Метки: газоразрядный, ионов, источник, отрицательных

...корпус и установленные в нем отсасывающий электрод, катод, анод и электрически изолированные диафрагмы между ними 2. Однако в этих устройствах сложно укрепить диафрагмы в камере при помощи диэлектрических материалов,Цель изобретения - упрощение конструкции источника ионов .Это достигается тем, что диафрагмы по всему периметру электрически соединены с корпусом.На чертеже изображен предлагаемый источник ионов .Газораэрядный источник отрицательных ионов содержит катод 1, анод 2 с отверстием эмиссии 3, диафрагмы 4, отсасывающий электрод 5, корпус 6,рубашку 7 охлаждения, патрубки 8 для ввода и вывода охладителя и электро- изолятор 9,При подаче напряжения на катод 1 и анод 2 между ними, через отверстия в диафрагмах 4, проходит электрический...

Номер патента: 669982

Опубликовано: 30.12.1979

Автор: Лазарев

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, отрицательных

...б 5 анод 4, электрод с эмиссионным отверстием 5, вытягивающий электрод б и источники тока 7, 8,и 9.Камера 1 предназначена для получения газоразрядной плазмы, диафрагма 3 и анод 4-для поддержаний газового разряда, диафрагма с отверстием 2-для фиксирования плазменного образования 10, стенка электрода 5 выполнена из материала, обеспечивающего вторичную электронную эмиссию для создания благоприятных условий при образовании отрицательных ионов в области отверстия для отбора отри-, цательных ионов, вытягивающий электрод б-для нытягивания отрицательных ионов из камеры 1 и ускорения их в направлении от указанной камеры.Дляосуществления предложенногоспособа отбора отрицательных ионов изкамеры 1, н которой с помощью источника тока 7 между...

Номер патента: 732439

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Паринский, Семеняк, Тимофеев

МПК: E02B 7/06

Метки: возведения, земляных, отрицательных, сооружений, температурах

...связные грунты не будут растекаться в стороны от насыпи. При этом приконтактная засоленная зона способствует упрочнению грунтов после отсыпки в процессе их консолидации, препятствует образованию трещин, пучин и других деформацийгрунтов насыпи при не оттаивании. Содержание твердой соди от 0,5 до 1,5% в приконтактной зоне зависит от влажности талого грунта, т.е. чем ниже влажность талогогрунта, тем меньше расход соли.Избыточное содержание легкорастворимых солей на контакте слоев грунта, например, в количестве 5% от веса талого грун та может привести впоследствии к растворению солей фильтрационным потоком вод, фильтрующихся через плотину из водохранилищ, а затем к уменьшению прочности контактов слоев и потере устойчивости плотины....

Номер патента: 771551

Опубликовано: 15.10.1980

Авторы: Ларионова, Тарасов

МПК: G01N 33/38

Метки: исследования, отрицательных, строительных, температурах, федормативности

...На образец устанавливают .нижний торец кварце- вого штока 13. К верхнему его торцу с помощью микрометрического механизма 14 подводят электронный датчик 15 деформаций до соприкосновения штока 13 с подвижным индикаторньм штоком датчика 15, далее, внутрь стаканчиков 11 (на днище 7 трубы 5 размещают несколько, например, два стаканчика 11 поц углом 120 один к другому) помещают образец для дифФеренциально-термического анализа (ДТА), надеваемый непосредственно на термодатчик 17. Стаканчики 11 также предварительно заполняют гептаном. Затем стаканчики 11 закрывают кридками 12.После этого закрывают подвижную крышку 4 кожуха 2 н включают охлаждение морозильной камеры по заранее заданной программе, например, со скоростью охлаждения 25 оС/ч, В...

Номер патента: 843021

Опубликовано: 30.06.1981

Автор: Татаринова

МПК: H01J 19/44

Метки: отрицательных, устройств, электро-дов, электровакуумных

...соответствует повьппению электрической прочности вакуумного промежутка.На фиг. 2 показана схема устройства для реализации предлагаемого способа,Схема содержит электроды 3 и 4, 15расположенные на расстоянии О другот друга, Кроме того, в устройство могут быть введены дополнительные электроды 5 и б.При проведении очисткина, электроды 3 - 5 подают отрицательный потенциал, а на электрод 6 положительный, что приводит к осаждению на поверхность электрода б загрязненного поверхностного слоя металла электродов 3-5. Очистка элек- д 5тродов необходима для полного удаления пленок окислов и неметалличес-,ких включений, что обеспечивает необходимое качество сцепления напыля-емого слоя с металлом электрода. ЭОПосле очистки электрод 3...

Номер патента: 855990

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Аргов, Зарицкий

МПК: H03K 13/02

Метки: аналогового, измеритель, отрицательных, приращений, сигнала, цифровой

...8 с контролируемымсигналом 01 фй) превышает последний,нуль-орган 8 срабатывает, и блок10 управления закрывает ключ 7, прерывая тем самым поступление тактовых импульсов на компенсатор 4 иреверсивный счетчик 3, При этом число, оставшееся после вычитания вреверсивном счетчике, равно величине отрицательного приращения контролируемого сигнала, выраженнойв процентах от первоначального уровня сигнала.При необходимости можно повыситьточность определения относительной 1 звеличины приращения путем увеличения количества разрядов реверсивного счетчика и числа десятичных декад компенсатора, что позволяетпроизводить измерения с точностьюдо десятых, сотых и т.д. долей процента,Б качестве блока запоминания. уровня можно использовать,...

Номер патента: 881975

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Обод

МПК: H03F 3/16

Метки: отрицательных, сопротивлений

...дополнительного биполярного транзистора, база которого соединена с шиной управления, подключенк коллектору биполярного транзистора,На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства,Устройство содержит биполярный1 и дополнительный биполярный 2транзисторы, полевой 3 и дополнительный полевой 4 транзисторы, первый 5и второй б резисторы, Обьединенныестоки полевых транзисторов 3 и 4 через резистор 5 подключены к входнойшине 7. Объединенные коллекторы биполярных транзисторов 1 и 2 черезрезистор 6 подключены к шине питания8. База транзисторов 2 соединена сшиной управления 9.Устройство работает следующимобразом,В исходном состоянии напряжениена шине 7 таково, что транзисторы 3и 4 заперты. Вследствие этого заперти транзистор...

Номер патента: 818365

Опубликовано: 23.02.1982

Автор: Лазарев

МПК: H01J 27/02

Метки: водорода, ионов, отрицательных

...фотонов или электроэнергией, превышающей энергию диции, но меньшей энергии ионизацииводорода,оциацияна как р ки, Рром.ство изобретения заключавместо указанных выше пйствия электронов с молв разряде осуществляютэлектронов с возбужденньН возб Н зозбыло показано в рядеработ, этот процесс хатвенно более высокимектрона.периментах диссоциация водородалялась введением в поток молекуводорода, подводимого в разряди-диссоциатора при температур818365 Составитель В. ОбуховРедактор С. Титова Техред А. Камышникова Корректоры: Н. федорова н Т, Трушкина Подписное Изд.114 Тираж 758 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 1286 Загорская типография Упрполиграфиздата...

Номер патента: 919053

Опубликовано: 07.04.1982

Авторы: Звягинцев, Лассаль, Обод, Щипков

МПК: H03H 11/44

Метки: отрицательных, сопротивлений

...нолевых 1 Отранзистора 1 и 2 с диффузионным затвором и -типа, два биполярных транзистора 3 ц 4 и -р- -типа, первый ивторой резисторы 5 и 6,Устройство работает следукпцщл образом,Напряжение питания подается наклемму 7, Биполярный транзистор 4 работает в режиме эмиттерного повторителя, поэтому напряжение от источника 2 Оуправляющего напряжепи Ои подаетсяв затвор полевого транзистора 2. Еслив исходном состоянии напряжение навходе у.стройства меньше, чем на затворе полевого транзистора 2, то биполярный транзистор 4 выключен. При увеличении входного напряжения канал: пслевого транзистора 2 начинает открываться, по нему начинает протекать ток,Зтот ток усиливается биполярным тран- ЗОзцстором 3. Напряжение на коллекторебиполярного транзистора 3...

Номер патента: 980729

Опубликовано: 15.12.1982

Авторы: Лившиц, Мелькумова, Румянцев

МПК: A61N 1/44

Метки: воздуха, ионов, кислорода, легких, отрицательных

...16 размещены круглый электрод, коллектор 8,шесть игольчатых электродов, неоновая лампа и два неподвижных диска из оргстекла 40с отверстиями против игольчатых электродов. При помощи диска 18 закрываются всеотверстия после окончания работы устройства, а также при использовании устройствадля группового действия с применением электрода в виде струны. Шнур 19 соединяетрезистор 7 с игольчатыми электродами. Клемма 15 и гнездо 20 служат для включения контрольных измерительных приборов. На панели 14 имеется фигурное отверстие для подрога открывания диодного тиристора 3 и разряжается через первичную обмотку высокочастотного трансформатора 4 с частотой порядка 1000 Гц. При этом стабилизация напряжения в первичной обмотке трйнформатора...

Номер патента: 995309

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Аргов, Демидов, Зарицкий, Светник

МПК: H03K 13/02

Метки: аналогового, измеритель, отрицательных, приращений, сигнала, цифровой

...в преобразователь 4, при этом преобразование начинается с появлением импульса с генератора 1,выполняющего Роль синхронизации. Преобразователь 4 преобразовывает входной аналоговый сигнал Ово временной интервал (т.е. в импульс, длительность которого пропорциональна величине преобразуемого аналого.- вого сигнала). Одновременно импульсы с генератора 1 через открытый ключ 2 поступают на реверсивный счетчик б, который собран по стандартной схеме двоично-десятичного счетчика и имеет коэффициент деления, кратный 10, на пример 100. Поэтому на управляющий вход перестраиваемого делителя 8 частоты поступает каждый сотый импульс из тех,которые проходят через ключ 2.После окончания преобразования в преобразова 60 теле 4 блок 7 управления размыкает...

Номер патента: 999130

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Войтех, Иржи, Мирослава

МПК: H01M 4/30

Метки: герметически, двухслойных, закрытых, источников, отрицательных, электродов, электрохимических

...призматических герметически закрытых электрохимических источниковтока целесообразно за второй стадиейнакатки расположить механические ножницы или у электродов дисковой формывысекатель, что позволит применять автоматизацию при производственном процессе.С экономической точки зрения выгодны и другие углеродные материалы,также как сажа или графит, которые, кроме того, обладают большой стойкостью против коррозии. в щелочном электролите с потенциалом на кадмиевом электроде.. Для ускорения редукции кислорода целесообразно установить на газообразующей стороне отрицательного электрода дополнительный электрод, работающий с иаксииально расширенной границей раздела трех фаз, поэтому 0 повиаают максимальную площадь соприкосновения газа с...

Номер патента: 1030551

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Киржнер, Монастырев, Плеснивцев, Скуба

МПК: E21C 41/04

Метки: зонами, кровлей, мерзлоты, островной, отрицательных, положительных, температур, условиях

...Ж, Раушская набд. 4/8 Заказ 8188/36 Филиал ПЙП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектнви, 4 1 10308Изобретение относится к горной промышленности и может сЪсть использованодля управления кровлей при подземнойразработке пластовьас месторождений в ус-ловиях островной мерзлоты с зонами положигепьных и отрицательных температур.Известен способ ) управления кровлейОднако данный способ недостаточно1 Оэффективен,Известен,способ управления кровлейв условиях островной мерзлоты с зонами положительньзй и отрицатепьньк тем. ператур, включаккций проведение подго- цтовительных выработок, разрезной печии первичную посадку кровли путем воэдействия на нее положительными температурами 2Однако известный способ характеризуется значительными затратами науправление...

Номер патента: 1042165

Опубликовано: 15.09.1983

Автор: Обод

МПК: H03K 3/28

Метки: отрицательных, сопротивлений

...а эмиттер соединен с.общим выводом источников,база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора,затвор которого подключен к общейточке соединения второго резистораи коллектора биполярного транзистора 1 .Однакоизвестное устройство имеетнедостаточный диапазон пределов регулировки.Цель изобретения - расширение пре-.делов регулировки отрицательныхсопротивлений.Для достижения цели в устройстводля получения отрицательных сопротивлений, содержащее полевой траизистор ЗОс диффузионным затвором и типа, стоккоторого через первый резистор под-.ключен к положительному полюсу источника напряжения смещения, и биполярный транзистор и- р -и типа,коллектор которого через второй резистор подключен к положительномуполюсу источника...

Номер патента: 1044910

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Вайсгант, Ежова, Киселевич, Назаренко, Пиевский, Приятель

МПК: F26B 3/04

Метки: аккумуляторов, отрицательных, пластин, свинцовых, сушки

...Повышение же температуры материаласущественно ускоряет процесс егоокисления. Для первой эоны указанинтервал 210-220С.Окисленностьпластин при таких температурахсоответственно равна 4,9 и 3,5.Если же по прототипу снизить температуру теплоносителя до 170 С,оокисленность составит 6,7, поскольку в этом случае процесс сушки начинается в первом периоде,Необходимо отметкть, что сравнение влияния температур на качествоиэделий в этом случае проводилосьпри одной и той же относительнойвлажности теплоносителя, равной 4.Если же, следуя прототипу, принять( й 1 (например, 9, что соответствует реальной работе сушильных установок на заводах: ), тоокисленность материала при той жетемпературе теплоносителя составит 8,4,Те же закономерности наблюдаются для...

Номер патента: 1046402

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Кроник, Погосян

МПК: E02B 7/06

Метки: возведения, грунтов, грунтовых, мерзлых, отрицательных, сооружений, температурах

...возведения грунтовых сооружений иэ мерзлых грунтов при отрицательных температурах, включающий рыхление, транспортирование и укладку мерзлых грунтов в сооружение 2,Однако известный способ достаточно трудоемок и малопроизводителен.Цель изобретения - снижение трудоемкости возведения соорукения.Указанная, цель достигается тем, что перед укладкой разрыхленный мерзлый грунт измельчают до порошкооб- З 5 разного состояния с одновременным удалением из него частиц льда, после чего мерзлый грунт уплотняют до проектной плотности.Кроме того, при укладке мерзлого 40 грунта в него добавляют жидкость,П р и м е р. В карьере производят рыхление мерзлого грунта направленным взрывом или механическим способом, Затем грунт транспортируют в холодное помещение...

Номер патента: 818360

Опубликовано: 07.10.1983

Авторы: Мазурова, Удальцова

МПК: H01J 3/14

Метки: ионов, источник, отрицательных

...поперечного к амиссионной ще- .ли и направлению вытягивания магнитного поля 2Известный источник обладает небольшим ресурсом, что обусловлено значитель ными температурными неравномерностями,приводящими к смещению пучка ионов и распылению электродов.Целью изобретения является повышениересурса источника. ЗО. Эта цепь достигается тем, что в источнике отрицательных ионов, содержащемгазоразрядную камеру с катодом и охватывающим его. анодом с прямолинейнойемиссионной щелью, вытягивающий электрод для создания поперечного к амиссионной щели и направлению вытягивания магнитного поля, .анод выполнен в виде цвухгерметично соединенных вдоль образующей цилиндрических трубок, размещенных 40одна в другой, причем эмиссионная шепьвыполнена в...

Номер патента: 1067132

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Биянов, Кроник, Кудояров, Погосян

МПК: E02B 7/06

Метки: возведения, грунтов, грунтовых, отрицательных, подготовки, сооружений, температурах

...В районах с частыми дождями на поверхность гряд укладывают покрытие иэ светопрозрачного водонепроницаемого материала, например полиэтиленовую пленку. Затем в течение несение-летнего периода осуществляют аккумуляцию тепла в грунте, а осенью его дополнительно теплоизолируют или проводят зимой снегоэадержание на откосах гряд.Натурные наблюдения и теплотехнические расчеты показывают, что откосы южной экспозиции оттаивают и прогреваются быстрее и больше чем северные на 0,5-1,5 м и более, промерзают на ту же примерно величину меньше и аккумулируют н весеннелетнее.время тепла на 20-50 больше Для районов средней полосы и сезонного промерэання южные откосы гряд при проведении на них снего- задержания могут промерзать в суровые зимы только не...

Номер патента: 1108161

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Будин, Иванова

МПК: E02B 7/06

Метки: возведения, гидротехнического, отрицательных, сооружения, температурах

...воздуха включает установку лицевой стенки 1, отсыпки щебня 2 в пазуху 3 на бережной 4. Одновременно с отсыпкой щебня 2 в пазуху 3 набережной 4 отсыпают негашеную известь 5.Практически эксперимент бып проведен при температуре наружного воздуха и щебня - 22 С.Количество извести, добавленной в щебень составляет 0,027. от массы щебня. При одновременной отсыпке смеси щебня с негашеной известью в воду20 экзотермическая реакция протекает равномерно во всем объеме засыпки. После окончания реакции щебень извлекают из воды и на его поверхности и между кусками щебня льда не было обнаружено.Таким образом,при добавке в шебенчатую засыпку негашеной извести выделяющееся тепло предотвращает образование льда на поверхности камней и между кусками щебня,...

Номер патента: 1134660

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Белан, Хохлов

МПК: E02B 1/00, E02B 7/06

Метки: возведения, гидротехнического, грунтового, отрицательных, сооружения, температурах

...В. СметанинРедактор М Дылын Техред Л.Коцюбняк Корректор М. Леонтюк Заказ 10047/27 Тираж 649 Подписное ВНИИПИ.Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 1134Изобретение относится к строительству в условиях Крайнего Севера иможет быть использовано при возведе-нии грунтовых сооружений, в частности плотины.Известен способ возведения грунтовых плотин при отрицательных температурах путем послойной укладкипредварительно засоленного грунта споследующим уплотнением каждогоотсыпаемого слоя грунтоуплотняющимимеханизмами 1 3.Недостатками этого способа являются периодические остановки процессаукладки грунта уплотняющими мехайизмами, малан...

Номер патента: 1184073

Опубликовано: 07.10.1985

Автор: Обод

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательных, сопротивлений

...сопротивлений содержит биполярный 1 и полевой 2 транзисторыпервый 3, второй 4 и третий 5 резисторы.Устройство для получения отрицательных сопротивлений работает сле"дующим образом.В исходном состоянии напряжениена входе таково, что биполярный 1и полевой 2 транзисторы заперты.При увеличении напряжения на входев определенный момент времени (когданапряжение на входе начинает превышать напряжение на резисторе 4,т.е. на затворе полевого транзистора 2 с учетом напряжения отсечки)биполярный 1 и полевой 2 транзисторыначинают открываться и работаютв активном режиме.Появление участка .с отрицательным сопротивлением обусловлено тЕм,что при возрастании входного токарастет ток коллектора биполярноготранзистора 1 умеш шается напряжение на...

Номер патента: 854197

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Бельченко, Деревянкин, Дудников

МПК: H01J 27/04

Метки: ионов, источник, отрицательных

...Источник работает следующим образом. В газоразрядную ячейку по каналу 6 в катоде или аналогичному каналу в аноде подается газообразное рабочее вещество, а из кон.тейнера 7 - пары цезия. Между катодом 3 и корпусом газоразрядной камеры 1 прикладывается напряжение, поджигающее и поддерживающее разряд.,При достаточно малых зазорах (О, 5-1 мм) между катодом и анодом разряд локализуется в полуцилиндрической канавке 5 примыкающей к эмиссионной щели 2,При глубине канавки 2 мм сильноточный тлеющий разряд, генерирующий отрицательные ионы, зажигается и без магнитного поля, но без магнитного поля вместе с отрицательными ионами извлекается интенсивный поток сопутствующих электронов, который формируется в пучок. В этом режиме из источника можно...