Источник отрицательных ионов

(56) 1. Бельченко Ю. Мкие основы поверхноститода получения пучков отнов. Препринт ИЯф 77-519772, Бельченко Ю. М. и цр. Повно-плазменный источник с разрядозамкнутого дрейфа электронов, Ппринт ИЯф 78-95, Новосибирск,иых иобирск,ерхностм безреп аю 978,г СУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ О ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И О К АВТОРСКОМУ С 57) ИСТОЧНИК ОТРИЦАТЕдрИОНОВ, содержаций газоразряцную у с катоцом и охватывакзцим его м с прямолинейной эмиссионной щевытягивакацнй электрод и систему. для создания поперечного к эмиссионной щели и направлению вытягивания магнитного поля, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения конструкции, аноц выполнен в виде двух герметично соециненных вдоль образукзцей цилиндрических трубок, размещенных оцна в другой, причем эмиссионная щель выполнена в упомя нутом месте соединений трубок, а атоц выполнен с цилиндрической наружной поверхностью.818360 Составите пь В КимРедактор Зубиетова Техрец М.Тепер, Корректор А,Поз х ф Заказ 7991/1 Тираж 703 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по цепам изобретений и открытий 113038, Москва, Ж, РФушская наб., ц, 4/8, Филиал ППП "Патент", г. Ужгород ул. Проектная, 4,. Изобретение относится к области технике получения ионов и может быть использовано при разработке источников отрицательных ионов,Известны поверхностно плазменные 5источники отрицательных ионов с планотРронной и пеининговской геометрией элект. родов Ц .Недостатком этих устройств являютсябольшие затраты энергии на генерацию 1 Оотрицательных ионов, кроме того необходимость замыкания дрейфа существенноосложняет охлаждение электродов источникаеНаиболее близким к предложенному 15является источник отрицательных ионов,содержащий газоразряцную камеру скатодом и охватывающим его анодом с.прямолинейной эмиссионной щелью,вытягивающей электрод и систему цпя, 20создания поперечного к амиссионной ще- .ли и направлению вытягивания магнитного поля 2Известный источник обладает небольшим ресурсом, что обусловлено значитель ными температурными неравномерностями,приводящими к смещению пучка ионов и распылению электродов.Целью изобретения является повышениересурса источника. ЗО. Эта цепь достигается тем, что в источнике отрицательных ионов, содержащемгазоразрядную камеру с катодом и охватывающим его. анодом с прямолинейнойемиссионной щелью, вытягивающий электрод для создания поперечного к амиссионной щели и направлению вытягивания магнитного поля, .анод выполнен в виде цвухгерметично соединенных вдоль образующей цилиндрических трубок, размещенных 40одна в другой, причем эмиссионная шепьвыполнена в упомянутом месте соединения трубок, а катод выполнен с ципинри-ческой наружной поверхностью,Сущность изобретения поясняется.чертежом, на котором представлена кон.структивная схема устройства,Предлагаемое устройство содержитгазоразряцную камеру (ГРК), образованную анодом 1, выполненным в виде цвухразного циаметра соприкасающихся цилиндров 2 и Я, расположенных один,в другомтак, что щель 4 расположена в месте ихкасания, а хлацагент подается в полость 8,Внутри анода расположен катод 6, выпопненный цилиндрическим с желобом 7,расположенным вдоль амиссионной щели. Охлаждение катода производится с помацьюполости 8. На полюсах электромагнита 9расположены пластины вытягивающегоэлектрода 10.Источник работает следующим образомПри подаче напряжения на промежутоккатод-анод зажигается разряц в зазоремежду катодом и охватывающим его анодом, В газоразряцную камеру вдоль желоба 7 подается водород и пары цезия.При диффузионном движении потока плазмы через эмиссионную щель 4, расположенную поперек магнитного поля электромагнита, электроны уходят вдоль магнитного поля на стенки щели, а поток отринательных ионов проходит через вытягивающий электрод 10. Для охлаждения анодаиспользуется полость 8, для катода - полость 8,Преимуществом предлагаемого устрой" ства является упрощение конструкции за счет выполнения рабочей поверхности апектроцов анод-катод цилиндрической, . облегчающих их технологию изготовления, юстировку, охлажцение, При атом увеличивается ресурс работы источника за счбт , улучшения охлажцения электродов ГРК. и уменьшения температурных деформаций. Как показали расчеты, прецпагаемый поверхностно-плазменный источник отрицательных ионов позволяет попучить пучки отрицательных ионов цаже с увеличенной длиной щели без локальных тепловых перегрузок и, соответствено повыше -. нный ресурс,