Устройство для получения отрицательных сопротивлений

ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 65 А 28 Пноз ЕНКЫЙ КОМИТЕТ СС ЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЬ ГОСУД АРС ПО ДЕЛА БРЕТЕНИ ЕЛЬСТВ авт щ е 9 34.8) во 972 етельс3/28,ДЛЯ ПОЛУЧЕНТИВЛЕНИИ . п ВЫ ОПИСАНИЕ И Н АВТОРСКОМУ СВИД(54)(57) УСТРОЙСТВОТРИЦАТЕЛЬНЫХ СОПР св. 9 425304, о т л и ч а ю -е с я тем,.что, с целью расширения пределов регулировки отрицательных сопротивлений, в него введены дополнительные транзистор и резистор, при этом база дополнительного транзистора соединена с коллектором биполярного транзистора, эмиттер - с базой биполярного транзистора, а .коллектор через дополнительный резистор - с общей шиной.1642165 у, (кэ 5) бэьыкл см нас. 3+"к+ г +й +г 35 кэ 5 бэгде В 3 - сопротивление резистора 3;В 5 - сопротивление резистора 5;г - сопротивление участкаКээмиттер - коллектор насыщенного дополнительноготранзистора б;г " сопротивление участка ба.оэза - эмиттер включенногои насыщенного биполярноготранзистора 2;45г - сопротивление канала вклюкченного полевого транзистора 1;3 ас ток насыщения биполярногонастранзистора 2,Таким образом, анализ неравенствапоказывает, что изменение напряжения.выключения устройства может управляться и изменением сопротивлениядополнительного резистора, что существенно отличает предложенноеустройство от прототипа, кроме того,оно характеризуется большим диапаэо"ном изменения наклона вольт-ампернойхарактеристики путем изменения сопро-тивления того же резистора, что позволяет управлять величиной отрицатель".ного дифференциального сопротивления в больших пределах.Тираж 936 Подписное,ород, ул. Проектная, 4М Пзобретение относится к радиотехнике и может быть использованодля получения отрицательных сопротивлений.По основному авт. св. Р 425304известно устройство для получения5отрицательных сопротивлений, содержащее полевой транзистор с. диффузионным затвором ь типа, сток кото-рого через первый резистор подключен к положительному полюсу источника смещения, и биполярный транзистор о- Р -и типа, коллектор которогочерез второй резистор подключен кположительному полюсу источниканапряжения питания, а эмиттер соединен с.общим выводом источников,база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора,затвор которого подключен к общейточке соединения второго резистораи коллектора биполярного транзистора 1 .Однакоизвестное устройство имеетнедостаточный диапазон пределов регулировки.Цель изобретения - расширение пре-.делов регулировки отрицательныхсопротивлений.Для достижения цели в устройстводля получения отрицательных сопротивлений, содержащее полевой траизистор ЗОс диффузионным затвором и типа, стоккоторого через первый резистор под-.ключен к положительному полюсу источника напряжения смещения, и биполярный транзистор и- р -и типа,коллектор которого через второй резистор подключен к положительномуполюсу источника напряжения питания,а эмиттер соединен с общим выводомисточников, база биполярного транзистора соединенас истоком полевого транзистора, затвор которого подключен к общей точке соединения второго резистора.и коллектора биполярного транзистора, введены дополнительные транзистор и резистор, приэтом база дополнительного транзистора соединена с коллекторомбиполярного транзистора, эмиттер - сбазой биполярного транзистораа коллектор через дополнительный резисторс общей шиной.На чертеже приведена электрическая принципиальная схема предложенного устройства.Устройство для получения отрица" 55тельных сопротивлений содержит полевой транзистор.1:с диффузионнымзатвором и типа, биполярный транзистор 2 и-р-и типа, первый и второй ре- .зисторы 3 и 4,дополнительный резистор 6 О5 и дополнительный транзистор 6.Устройство работает следующимобразом.ВНЙИПИ Заказ 7146 56Филиал ППП "Патентф, г. Ужг В исходном состоянии напряжение на входной шине Е таково, что полевой транзистор 1 й биполярный тран-. зистор 2 заперты. Вследствие этого заперт и дополнительный транзистор 6.По мере возрастания напряжения смещения в определенный момент времени, когда напряжение между затвором и стоком полевого транзистора 1 равно напряжению отсечки, полевой транзистор 1 начинает отпираться. Это ведет к,отпиранию биполярного транзистора 2. Напряжение на его коллекторе, к которому подключен затвор полевого транзистора 1, начинает падать, что ведет к дальнейшему отпиранию полевого транзистора 1. Развивается лавинообразный процесс отпирания полевого транзистора 1 и биполярного транзистора 2, и на вольтамперной характеристике появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Отпирание биполярного транзистора 2 приводит к отпиранию и насыщению дополнительного транзистора б.Это приводитк тому,что часть тока базы биполярного транзистора 2 отбирается в цепь эмиттер - коллектор дополнительных транзистора б и резистора 5.. В результате выключение полевого транзистора 1 и биполярного транзистора 2 произойдет при напряжении на входной шине