H03H 11/52 — эквивалентные отрицательным сопротивлениям

Номер патента: 1184073

Опубликовано: 07.10.1985

Автор: Обод

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательных, сопротивлений

...сопротивлений содержит биполярный 1 и полевой 2 транзисторыпервый 3, второй 4 и третий 5 резисторы.Устройство для получения отрицательных сопротивлений работает сле"дующим образом.В исходном состоянии напряжениена входе таково, что биполярный 1и полевой 2 транзисторы заперты.При увеличении напряжения на входев определенный момент времени (когданапряжение на входе начинает превышать напряжение на резисторе 4,т.е. на затворе полевого транзистора 2 с учетом напряжения отсечки)биполярный 1 и полевой 2 транзисторыначинают открываться и работаютв активном режиме.Появление участка .с отрицательным сопротивлением обусловлено тЕм,что при возрастании входного токарастет ток коллектора биполярноготранзистора 1 умеш шается напряжение на...

Номер патента: 1515349

Опубликовано: 15.10.1989

Автор: Ильин

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательных, сопротивлений

...между затвором и истоком полевого транзистора 1, в результате чего полевой транзистор 1 начинает запираться, а ток базы биполярного транзистора 3 уменьшается, следовательно, начинает уменьшаться и ток, проходящий через коллекторэмиттер биполярного транзистора 3. Поскольку напряжение между коллектором и эмиттером биполярного транзистора 3 достигает значительной величины, то коэффициент передачи тока базы бипо" лярного транзистора 3 - много больше единицы, поэтому ток, протекающий через коллектор-эмиттер биполярного транзистора 3, много больше тока базы, который сравним по величине с током, протекающим через диод 4 и резистор 2. Несмотря на то,что по мере увеличения напряжения источника напряжения смещения увеличивается обратный...

Номер патента: 1704270

Опубликовано: 07.01.1992

Автор: Прокопенко

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательным, сопротивлением

...1 Г, - частоты коэффициента а переда сторов по току, 17042701 рИ БКЛКОЧЕНИИ ИСТОЧНИКа ПИТЗНИя ПОДавтСЯ тОК О ИетОЧНИКа 5 1 Ока таКОЯ ВЕЛИЧИ 11 ы, чтобы а.ы вести все транзистор, схемы в ак 1 иеный режим, При этом напрях:ение 1 лсжду выБР,;ам 1 источи 1.:а тока О - Ж 1+ .Ы+ .;.ээ+ Оъг, (1)(Обэ 1 - напРЯжение база-эмиттеР -1 Ранэистора, и составл ет примерно 2-3 В в зависимости от з,.личины тока 1 о источника тока. 1 4 ф 1 ф 4, (2) кроме того, 1+ 14 = 0,(3) Вь ражения (1), (2) и (3) определяют режим прсдлагаемОГО устройства по постоянному току.Для достижения получения отрицательного сопротивления подают некоторое малое поиращекие тока Л между полк сами а и 6 устройства, что вызывает соответствующие приращения токов баз первого и...

Номер патента: 1822509

Опубликовано: 15.06.1993

Автор: Прокопенко

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательным, сопротивлением

...- Обэб=Обэ 52 - Обэ 42. (8) Выразим в выражениях (5) - (8) баэаэмиттерные напряжения через эмиттерные токи транзисторов. Иэ (5) получим: 11 о - + 11 о -1 Э Ь + 1 ь 1 д9) 1 о 1 о 1 о - 1 1 о + 12 14 Ь 12 1 э ЬВ 1 о 2 1 о 2 1 о - 1 1 о 2 э 2 р 1 о --- 11 о - =р 1 о ЬЭ Ь - т - . (10)р 1 о 1 о оь14 + 141 Р 1 о1 Ьт Ь - . (11) 11 о 1 ь 1 о - 1 о 1 оро ф 42+ь 1 о - 1 о 1 Ь 2 - Ь 1 + 1 Ь 1 эь 152 1 э 42 В выражениях (9)-(12) у 22 - температурный потенциал, 151, 152. 153 15 б 157, агав обратные токи база-эмиттерных переходов транзисторов 1, 2, 3, 6, 7, 8; 1541, 1542,551, 1552 - обратные токи база-эмиттерных переходов соответственно первого и второго эмиттеров транзисторов 4 и 5. Вследствие идентичности транзисторов 1, 6. 3 и 2, а также 4 и 8,...

Номер патента: 1830183

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Прокопенко

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательным, сопротивлением

...является пятым выходом с отрицательным сопротивлением.(7) следует, что в е с отрицательным цч взаимно незаисят соответственависит как от 2 1,ч,.ч + 2 ач 7 а,ч -2 йоч =2 вч; 2 и,ч 11- 1 г = -2(3)Так как коллекторные токи транзисторов 3 и 6 равны току 1 коллектора транзистора 1, а коллекторные токи транзисторов 5 4 и 5 равны току 1 коллектора транзистора 2, то, учитывая (3), получаем, что через все транзисторы протекают одинаковые коллекторные токи. где цэ - эмиттерное сопротивление 1-го транзистора,Учитывая, что эмиттерное сопротивление транзистора равно пз= Ъ/1 э, где рг - температурный потенциал, 1 э - эмиттерный ток транзистора, а также принятые выше допущения, получим следующие значения отрицательных сопротивлений:2 ч,ч = -2,2 и...

Номер патента: 1830184

Опубликовано: 23.07.1993

Автор: Прокопенко

МПК: H03H 11/52

Метки: отрицательным, сопротивлением

...10,5 а токи коллектора транзисторов 2 и 4 равны половине тока 102 первого источника тока 9,Пусть между выходами "а" и "б" предложенного устройства протекает некоторый"О тОК 1 эб (СМ. фИГ.2), Этот тОК ДЕЛИТСЯ В ТОЧКЕ"а" наток 11, втекающий в эмиттер транзистора 3 и поступающий далее в точку "б", иток 2, протекающий в цепи транзистора 4,8 соответствии с первым законом Кирхгофа:151 аб =11+ 12,Согласно второму закону Кирхгофасуммы база-эмиттерных напряжений в 20 замкнутых контурах, образованных базаэмиттерными переходами транзисторов 2, 4, 3, 5, а также транзисторов 2, 4, 6, 7, равны нулю;Обэ 2 Обэ 4 Обэз + Обэб = О;(2)Об 2 - Обэ 4+ Об 6 - Об 7 = О.Выражая база-эмиттерные напряжения ЗО транзисторов через их эмиттерные токи спомощью...