Пистряк

Пленочное мишенное устройство

Загрузка...

Номер патента: 1281139

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Батвинов, Зац, Левченко, Пистряк, Якунин

МПК: H05H 6/00

Метки: мишенное, пленочное

...в нем рабочим веществом 2 в жидком состоянии и мишенедержателя в виде диска 3 с окнами 4,являющимися элементами фиксации мишени в виде пленки, Края окон 4 выполнены из материала, сиачиваемого веществом 2 мишени, Диск 3 расположентаким образом, что по крайней мереодно из окон 4 в низшем положениинаходится ниже уровня рабочего вещества и одно иэ окон, находящихсянад поверхностью рабочего вещества,пересекает траекторию активного пучка. В качестве рабочего вещества 2можно использовать, например, жидкости, применяемые в пароструйных вакуумных насосах или легкоплавкие металлы в жидких состояниях. Диск 3 уста-.новлен с возможностью вращения относительно его оси с цомощью привода 5,При необходимости изменения температуры рабочего вещества в...

Электростатический анализатор

Загрузка...

Номер патента: 602005

Опубликовано: 15.05.1979

Авторы: Бондарев, Зац, Козлов, Пистряк, Чеканов

МПК: G01T 1/14

Метки: анализатор, электростатический

...фиг. 3 - разрез Б-Б фиг.1,Основание 1 состоит из двух по форме зеркально отображающих друг друга параллельных полос дугообразной форьв,которые соединены в единую пространственную конструкцию при помощи болтов 2 и втулок 3. 0Круговые полосы основания состоят из кругового участка со средним радиусом В р и средней длиной дуги ВА и концевых прямолинейных участков, образованных прямыми, параллельными 15 касательным к круговым участкам по" лос. Прямолинейные участки обеих полос имеют утолщения с цилиндрическими заточками на которых устанавливаются и центрируются внутренними заточками концевые Фланцы 4 вакуумной камеры 5, Корпус камеры выполнен из тонкостенной (0,15-0,3 мм) гофрированной трубы. В качестве корпуса использованы стальные...

Источник отрицательных ионов

Загрузка...

Номер патента: 543306

Опубликовано: 15.08.1978

Авторы: Зац, Козлов, Пистряк, Чеканов

МПК: H01F 3/04

Метки: ионов, источник, отрицательных

...случае происходит за счет повышения плотности тока пучкапервичных ионов при одинаковых площадках распыления.+яре.цщ 38 А.ь пдОТ 1 30ястпараметры дляпрототипа,параметры дляпредложенного устройства. 15В свою очеРедь,п е, бУдтбольшепри прочих равных условиях эа счет увеличения площадиионизаторар тогца2 ЯИ МпзВД 2 яротУгде й: и 1=соответственно радиус ивысота ионизатора в предложенном источник ЪИ-радиус иониэатора В прототипе.На еертеже показан предлагаемыйисточник, общий нид,Катод 1 предлагаемого источникавыполнен н виде цилиндра с конусом; БОизготовленного из материала, ионыкоторого необходимо получить.Концентрично катоду расположен источник первиеннх положительных ионов, содержащий иониэатор 2, представляющий собой 35кольцен;,.3...