Устройство для получения отрицательных сопротивлений

Номер патента: 1345976

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Красножон, Смирнов

МПК: H01L 21/82

Метки: затвором, интегральных, мдп-транзисторов, микросхем, поликремниевым

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ПОЛИКРЕМНИЕВЫМ ЗАТВОРОМ, включающий создание на монокремниевой подложке полевого окисла, подзатворного окисла и поликремниевого затвора, формирование областей истока и стока, создание межслойной изоляции, вскрытие контактов и создание металлизации, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе, после создания поликремниевого затвора проводят его окисление при 800 - 900oС, травление окисла кремния по всей поверхности структуры до удаления его над участками формирования областей истока и стока и через полученную маску проводят ионное легирование монокремния для...

Номер патента: 1335047

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Егудин, Лихтман, Полянов, Смирнов

МПК: H01L 21/338

Метки: барьера, виде, затвором, полевого, транзистора, шоттки

...соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание...

Номер патента: 1565292

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Григорьев, Ильичев, Инкин, Липшиц, Шелюхин

МПК: H01L 21/335

Метки: затвором, полевых, самосовмещенным, транзисторов

1. Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором, включающий формирование на подложке арсенида галлия затвора из ниобия либо нитрида ниобия и маскирующего затвор покрытия, формирование маскирующего покрытия под изготовление областей истока и стока, формирование областей стока и истока, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости величины зазоров между истоком, стоком и затвором, после формирования покрытия под изготовление областей стока и истока проводят окисление подложки в атмосфере "сухого" кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, затем отжигают подложку в среде водорода при 640 700oС в течение 10 50 мин, а после формирования областей истока и стока удаляют маскирующее...

Номер патента: 1742993

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Никулина, Сильченков

МПК: H03K 19/094

Метки: затвором, испл-типа, логический, полевых, транзисторах, шотки, элемент

...соответственно, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с. целью повышения быстродействия логического элемента; в него введены два резистора, причем затворы транзисторов соединены со стоком третьего транзистора, исток и затвор которогоподключены к отрицательной шине источника питания, к которой подсоединены иистоки шестого и седьмого транзисторов, 5стоки первого и второго транзисторов под-.ключены к затворам четвертого и пятоготранзисторов соответственно, а через резисторы нагрузки токового ключа соответственно соединены с общей шиной, к которойподключены стоки четвертого и пятого транзисторов, истоки четвертого и пятого транзисторов через первый и четвертый диодысдвига уровня соединены с выходными ши.нами логического элемента и...

Номер патента: 1042165

Опубликовано: 15.09.1983

Автор: Обод

МПК: H03K 3/28

Метки: отрицательных, сопротивлений

...а эмиттер соединен с.общим выводом источников,база биполярного транзистора соединена с истоком полевого транзистора,затвор которого подключен к общейточке соединения второго резистораи коллектора биполярного транзистора 1 .Однакоизвестное устройство имеетнедостаточный диапазон пределов регулировки.Цель изобретения - расширение пре-.делов регулировки отрицательныхсопротивлений.Для достижения цели в устройстводля получения отрицательных сопротивлений, содержащее полевой траизистор ЗОс диффузионным затвором и типа, стоккоторого через первый резистор под-.ключен к положительному полюсу источника напряжения смещения, и биполярный транзистор и- р -и типа,коллектор которого через второй резистор подключен к положительномуполюсу источника...