Патенты с меткой «микропровода»

Номер патента: 514351

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Берман, Заборовский, Иванов, Иойшер

МПК: H01B 13/06

Метки: литого, микропровода

...которые подавляют или уменьшают ее колебания. Таким образом происходит своеобразное демпфирование микрованны, Уменьшение колебаний микрованны приводит к уменьшению разброса параметров микропровода по его длине.По мере расхода металла из рабочей части микрованны его пополняют за счет уменьшения столбика жидкого металла в жаростойкой трубке или давления между стеклянной и жаростойкой трубками, Псдпитка рабочей части микрованны позволяет увеличить время литья без дозаправки.Возможно применение электродинамических методов втягивания жидкого металла внутрь жаростойкой трубки и регулирование там его уровня при помощи дополнительного индуктора, который используется также для подогрева столбика жидкого металла в жаростойкой трубке. При...

Номер патента: 514359

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Болбочан, Драбенко, Кодица

МПК: H01F 41/04

Метки: катушек, микропровода, намотки, полуавтомат

...тока 5 добиваются нулевого показания нуль-органа. При этом ток в контуре системы управления определяют из соотношения(1)сдоб + Йзад + д.т где 1 к - ток контура,Ув - напряжение питания контура,сдоб - модуль сопротивления бобины смикропроводом,Яд,т - сопротивление датчика тока,Яаад - сопротивление задатчика. Затем кнопку 4 отпускают, ее н. з, контакты замыкаются и исключают из контура системы управления сопротивление задатчика, а н, р. контакты размыкают цепь питания реле 10, контакты которого перебрасываются в начальное положение, подключая коммутируемый полюс обмотки 11 к движку потенциометра 6. На последнем током обмотки 8 трансформатора 9 создается противоположное по фазе компенсационное напряжение, часть которого Ук подключается в...

Номер патента: 523462

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Литвак, Уляницкий

МПК: H01F 41/04

Метки: изоляции, микропровода, стеклянной

...величиной геометрической составляющей, а с ней и всвм температурным коэффициентом индуктивности (ТКИ) микропроволочной катушки индуктивности,Предлагаемым опособом можно управлять величиной температурного коэффициента индуктивности катушек не толыко во время их намотки, но и после изготовления.При этом изменение отношения сечений каркаса и обмотки достигается после закрепления микропровода на оправке, т. е. во время намотки путем перегруппировки витков или после намотки путем проточки или наращивания стенки каркаса.Применение предлагаемого способа существенно повышает технологичность изготовлевия высокостабильных катушек индуктивности с требуемой величиной ТКИ, До настоящего времени единственным способом управления величиной ТКИ катушек...

Номер патента: 530360

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Виноградов, Краснов, Мирошниченко

МПК: H01C 3/00

Метки: микропровода, обмоткой, резисторов

...Составитель В. Лякишев Техред М, Ликович Корректор И. Гоксич Редактор Е. Караулова Зсказ 5275/675 Тираж 963 Подписное ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035,Москва, ЖРаушская наб., д. 45филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул, Проектная, 4 выдержкой в интервале температур 150250 С в течение 0,25-6 час,Температура сушки покрытия зависит оттемпературы рекристаллизации материалапровода. Одновременная сушка покрытия обмотки и ее термоизоляция вызывают необратимое изменение электрического сопротивления сразу от двух факторов:,от термостарения провода в результате рекристаллизации металла и от деформации провода под 10воздействием покрытия,Последующая достигаемая точностьподгонки...

Номер патента: 534799

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Литвак, Уляницкий

МПК: H01F 41/04

Метки: бескаркасных, изоляции, катушек, микропровода, стеклянной

...и повышения точности геометрических размеров.Указанная цель достигается те оправке с параллельными щечками ют ортоспиральные секции, распола между щечками оправки, затепространство между секциямиматывают оставшуюся ча ть обмот ружая микропровод в расплав и ра пои этом ортоспиральные секции до упора в щечки оправки.На чертеже изображено расположение шек оправки и спиральных секций.Вблизи ограничительных щекформируют ортоспиральные секции 2 обмот ки, пэсле чего заполняют промежуток между ними расплавом стекла 3 и домывают оста шуюся часть обмотки, погружая виткимикропровода в расплав, при этом вытесняют воздушные пузырьки из расплава и р гают свободно стоящие по краям эр пиСоставитель В. ПеревозовскийРедактор С, Титова Техред О....

Номер патента: 562009

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Беляев, Васильев, Ледэ, Подгорнов, Рязанов, Спирин

МПК: H01B 13/06

Метки: микропровода

...размеры и соответственно свойства микропровода неоднородны по его длине, что приводит к увеличению средней толщины изоляции.Целью изобретения является повышение однородности микропровода с жилой из металла платиновой группы в стеклянной изоляции и уменьшение толщины этой изоляции.Указанная цель достигается благодаря тому, что до вытяжки металл выдерживают в течение 160 в 1 сек при температуре, на 10 - 157 о превышающей его температуру плавления, и непосредственно вслед за этим проводят формирование капли в два этапа; первый - в течение 55 - 60 сек, второй - в течение 15 - 20 сек, причем на втором этапе температуры стекла вблизи капли выше температуры стекла в том же месте на первом этапе, а температура металла превышает его...

Номер патента: 580590

Опубликовано: 15.11.1977

Авторы: Аввакумов, Цветаев

МПК: H01C 17/245

Метки: изоляции, микропровода, разрушения, стеклянной

...микропровода, преимущественно при подгонке резисторов, содержащем направляющую для микропровода и вращающиеся ролики, один из которых выполнен с упругой поверхностью, а другой с твердой, ролики выполнены коническими, а направляющая выполнена с возможностью ее возвратно-поступательного перемещения.На чертеже показано предлагаемое устройство для разрушения стеклянной изоляции микропровода, общий вид.Устройство содержит вращающийся конический ролик 1, выполненный с твердой поверхностью и снабженный радиальными пазами, вращающийся конический ролик 2 с упругой поверхностью, микропровод 3, направляющую 4 для микропровода 3, подгоняемый рсзистор 5, трубку 6 для подпитки проводящей жидкостью.Устройство работает следующим образом, Микропровод 3 в...

Номер патента: 584264

Опубликовано: 15.12.1977

Авторы: Аввакумов, Мартыненко

МПК: G01R 27/02

Метки: коэффициента, микропровода, сопротивления, температурного

...и тонко 1-1 а чертеже изображена блок-схема устройства.Микропровод 1 с отдающего устройства 2 дискретно пли непрерывно поступает на приемное устройство 3 и соприкасается с емкостными датчиками 4, связанными электрически с измерителем сопротивления 5, который снабжен отсчетным устройством 6 (отсчет производится непосредственно в единицах ТКС). Воздуходувное устройство 7 воздействует потоками ненагретого воздуха 8 на смкостные датчики 4, а также попсрсменно потоком непагретого воздуха 9 и через нагреватель 10 потоком нагретого воздуха 11 па мпкропровод 1 и тонкостенную металлическую пластину 12. Для пслточенпя попадания нагретого воздуха в зону смкостных датчиков 4 предназначен короб 3.584264 Формула изобретения Составитель В,...

Номер патента: 599286

Опубликовано: 25.03.1978

Авторы: Даниленко, Марунько, Спирин

МПК: H01B 13/06

Метки: изоляции, микропровода, многожильного, стеклянной

...4 под углом 20-40 к"его оси, разогревают. Навеска расплавляется, размягчает стекло, которое при вытягивании образует капилляры, заполненные жидким металлом или сплавом исходных навесок.Капилпяры в зоне индуктора спаивают и они образуют многожильный микропровод в виде метаплических нитей, изолированных одна от другой в монопитной стеклянной изоляцииПопучающийся микропровод наматывают на приемное устройство (не показано). Расположение стекпянных трбок с навеской металла под гном 20 40 к оси индуктора обеспечивает лучшее их сйаивание, поскопьау в зоне высокочастотного индукторна каждая иэ навесок старается занять вертикапьное положение так как ось капли стремится расположиться паралпепьно оси. индуктора. 20При расположении...

Номер патента: 600620

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Климов, Насонов, Розин, Чурсин, Юрьев

МПК: H01C 13/02

Метки: микропровода, намотке, натяжения

...Вк,1102 Ощим элсктродвпгатсль ) со шки Вом 3, чсрсз который псрскинут рсмсц: 4, пду щй ца шкив 5, скрсьлсццый с галом 6, ца ко) торо.1 32 креп,1 еца катушка 1 с мцкропроводо)17. 1 схацизк регулирования натяжения состоит из размсщсш:ого в корпусе 8 иидуктштцого датчика 9 с подвижным элл 1 сцто)1, выполцсцпы.1 В Виде карс 1 п 10, иа 1.Оторои ст 2130 влси 5 патяж 3;Оц ролик 11. 1,2.)стк; 10 псрсмсИастсяВ подшипниках 1. усаповле 3 цых В корпссс 8, к котороу прпкрсплспа Всрт 1 к 2,11 иая планк 1 13 с роликами 14 и 15 и отвсрстпсм для свободного цсрсмсщспця .арс) ц 10 и мцкроц 130- вода 7, идунего с катушки 1.,1 сха 33 изм установки Всличицы заданного32 тяжснпя включаст кроцштсйц 16, ца котором закрсилсца шкала 17 с дслсццями,...

Номер патента: 603013

Опубликовано: 15.04.1978

Авторы: Зубкова, Иванов, Ланда, Пичкур, Хандожко

МПК: H01F 41/06

Метки: микропровода, намотки, процессе

...нв вапу в подшипнике 4, бесконечный упругий ремень 5, охватываю-щий приводной шкив 3, двв шпинделя 6 и 7, на которых уствиовпены бобины, лопопиитепьный шкив 8.Регупирование скорости вращения бобины обеспечивается эпектродвигвтепем в комппекте с магнитным усилителем 9, Нв ввпу эпектродвигатепя звкреи леня м пв я шестерня 10 устройства ппя отсчет ппинд микро. провода. Шестерня 10 вкоиит и: вцепиеиие3013 360 с большой шестерней 11. В шестерню 11 вмонтирован поводок, который проходя мимо датчика импульсов 12 замыкает его, обеспечивая благодаря связи с блоком управления, отсчет длины только одного микропровода. Механизм раскладки состоит из электродвигателя 13, на валу которого посажена шестерня 14, Реверсивно управляемый электродвигатель...

Номер патента: 611258

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Бугаков, Заборовский, Иванов, Ланда, Шаргородский

МПК: H01B 13/06

Метки: литья, микропровода, погонного, сопротивления, установке

...плавки металла установки 11 для литья мик20ропроводв, Вход датчика 1 текущего зна Ченияпогонного сопротивления микропровода соединенс установкой 11 для .литья микропровода,С датчика 1 сигнал, пропорциональныйтекущему значению погонного сопротивленияполучаемого на установке 11 микропровода,25поступает нв элемент 3 сравнения, где сравнивается с сигналом задатчика 2 номинального значения погонного сопротивления микропровода, Выходной сигнал элемента 3 срав 30нения поступает на входы пропорционального4 дифференциального 5 и интегрирующего 6усилителей, с выходов которых соответственнопреобразованные сигналы подаются на входысумматора 7, С выхода сумматора 7 сигналпоступает на вход блока 8 формиромнияуправляющих импульсов, которые...

Номер патента: 627547

Опубликовано: 05.10.1978

Автор: Аввакумов

МПК: H01C 17/00

Метки: изоляции, микропровода, резистора, стеклянной

...проволочных резисторов.Известен способ изготовления резистора из микропровода в стеклянной изоляции, при котором защитное покрытие наносят на часть обмотки, после чего подгоняют резистор в номинал на оставшемся непокрытом участке обмотки п,утем удаления части микропровода 1.Недостаток известного способа - трудность определения величины непокрытого участка обмотки. Так, если он слишком большой, то при подгонке, особенно однослойных резисторов, микропровоР раскручивается, и оставшаяся часть непокрытой обмотки оказывается рыхлой. Если этот участок слишком мал, резистор не подгоняется в номинал.Бель изобретения - обеспечение вы можности подгонки в зоне покрытого уча- сткае ния этой цеди при изготова, когда покрытие наносят,чает в себя...

Номер патента: 630651

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Беленький, Болгов, Клин, Ковалева, Нам

МПК: H01B 13/16

Метки: изоляции, литого, микропровода, сплошной, стеклянной

...а заполнение 20 трубки инертным газом обеспечивает защиту от воздействия атмосферы.Способ реализуется следующим способом, На внутреннюю повсрхцость стекляннойтрубки пз промышленно-выпускасмогостек ла марки С 90-1 с наружным диаметром5,4 мм и внутренним 3,8 мм наносят мслкодпспсрсный порошок пптрпда бора с размерамп частиц мецсс 3 мкм путем протягпванпя ватного тампона с нптрпдом бора, за крспленпого на конце металлическогоЗаказ 1811/11 Изд. ЪЪ 687 Тираж 922 Подписное НПО Государственного когиитста СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 стержня. На поверхность алюминиевого прутка диаметром 3,8 мм (марка алюминия А 999) нитрид бора наносят также с помощью ватного...

Номер патента: 657468

Опубликовано: 15.04.1979

Автор: Авакумов

МПК: H01C 17/26

Метки: изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, стеклянной

...2- разрез Л-Л на фиг. 1.Описываемое устройство содержит блок контроля величины сопротивления и механизм разрушения стеклянной иэопяции, выполненный в виде двух соосных дисков 1 и 2, один из которых снабжен закрепленными на нем подпружиненными плавающими вставками 3 с резиновыми вкладышами 4 и расположенными симметрично относительно вращени дисков 1 и 2, и кулачком 5 с возможностью взаимодействия плавающих вставок 3 со вторым диском и размещенным между дисками микропроводом б,Работает устройство следующим образом.14 икропрвращающимибы вставкапроизошелстекляннойрой конецрительныйразрушениязначения с овод б пропускается между ся дисками 1 и 2, так, что 3 прошла под кулачком 5 и контакт в месте разрушения изоляции. Затем через вторезистора...

Номер патента: 660106

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Литвак, Рагозина, Уляницкий

МПК: H01F 41/04

Метки: бескаркасных, изоляции, катушек, микропровода, стеклянной

...инертного вещества, например талька, сосвязующим, температура выгорания которого не выше температуры подогрева оправки, например крахмалом или поливиниловым спиртом, и высушивают,Сущность изобретения состоит втом, что защитный состав наносят наоправку в виде водной суспензии мелкодисперсного инертного вещества сосвязующим, например крахмалом илиполивиниловым спиртом, температуравыгорания которого не выше температуры подогрева оправки, после чегопокрытие высушивают и при необходимости шлиФуют. После намотки катушек,производимой обычно при температуре650-700 С, связка выгорает, и небольшого усилия оказывается достаточнодля рассыпания покрытия и легкогоснятия катушки с оправки.Применение данного способа обеспечивает четкое снятие катушек...

Номер патента: 680064

Опубликовано: 15.08.1979

Автор: Аввакумов

МПК: H01C 17/26

Метки: изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, стеклянной

...изоляции, емкблок измерении, мела олнен в внде подпастного ножа,й стенке емкоодача мнкропро абжвн приводом чевным ко вхо которого че соединен со вхоУвел 1 подачи микропровода 2 в зонуразрушения снабжен приводом 8 размоткирезистора 9, подключенным хо входу блока4 измерения, выход которого через релейный коммутатор б соединен со входом при вода 8 размотки резистора.Устройство работает следующим обраэом.Михропровод 2 обрывается с одногоиз михроподводов резистора 9. Вхлючает 10ся узел 1 подачи микропровода, привод10 ножа 7 механизма разрушения и привод 8 равмотки.Микропровод 2 запрааляетси во входное отверсгие узла подачи и при его осприкосновенийс жидкостьюемкости 3заключается блох 4 измерения, Вращающийся нож 7 осуществляет срезание...

Номер патента: 712220

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Балабан, Гришанов

МПК: B23K 31/02

Метки: микропровода, присоединения, токоподводам

...провода, .На чертеже изображена схема процессапроизводства малобазных однонитевых тензореэисторов из литого микропровода.На два токоподвода 1, расположенных на35заданном расстоянии друг от друга (в зависи.мости от базы тензорезистора) и механическискрепленных с электрическими контактами 2,наносят материал присадки 3 (припой). Затем40отрезок микропровода 4 размещают на токоподводах 1 таким образом, чтобы он былперпендикулярен им и лежал на материалеприсадки 3, Микропровод 4 защемляют в стой.ках 5 и к нему прикладывают расчетную силу(груз) Р для создания необходимого натяжения,45Замкнув кнопки-переключатели 6 и 7, по токо.подводам 1 и микропроводу 4 пропускаютэлектрический ток для их нагрева от источ;ников 8,Электрические контакты 2 на...

Номер патента: 714514

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Баранов, Копыт, Ржевский, Чебан

МПК: H01B 13/16

Метки: изоляции, микропровода, непрерывного, стеклянной

...обеспечить непрерывную подпитку расплавленноймикрованны в случае производствамикропровода из электропроводящихматериалов, обладающих плохими мер 5 ханическими свойствами.формула изобретения1. Способ непрерывного изготовления микропровода в стеклянной изоляции, заключающийся в формированииЗОстеРжня из жилообразующего материаларазмещении стержня внутри стекляннойУтрубки, их совместной подаче в зонуплавления высокочастотного индуктора,образовании микрованны из расплаважилообразующего материала, размягче 35 ноя стекла трубки и вытягивании изнего капилляра, заполненного расплавом жилообразующего материала, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения качества микропровода путем4 О уменьшения загрязнения материала жилыпродуктами...

Номер патента: 721855

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Литвак, Уляницкий

МПК: H01F 41/04

Метки: изоляции, катушек, микропровода, стеклянной, электрических

...графита, наружную поверхность ленточной спирали покрывают тонким слоем мелкодисперсного инертного вещества, например талька, 20 а заливку витков расплавом стеклоэмали производят после формирования первого слоя обмотки.Технологический процесс изготовления катушки из микропровода в стеклянной изоляции заключается в следующем.Оправку,из металла с коэффициентом термического расширения, большим коэффициента термического расширения применяемого микропровода, покрывают тонким слоем термостойкого графита и обматывают по спирали лентой из жаростойкого материала, например из никеля. Поверхность ленты покрывают тонким слоем мелкодисперсного инертного вещества, З например талька. Намотку микропровода производят на подготовленную таким образом...

Номер патента: 726418

Опубликовано: 05.04.1980

Автор: Федотов

МПК: G01B 7/12

Метки: высокочастотный, датчик, диаметра, емкостный, микропровода

...лента спиральнойнамотки имеет форму трапеции, меньшее726418гается выполнением спиральной намоткииз ленты трапецеидальной формы с пооледовательным юменением длины образующей витка от меньшей кбольшей,что обуславливает перекрытие каждоговнутреннего витка последующим. Таккак потенциалы соседних витков отличаются на небольшую величину, то,следовательно, каждый внутренний виток10 с торцовой поверхности будет также находиться под эквипотенциальной защитой. На фиг. 1 представлена конструкция индуктивного и емкостного элементов колебательного контура; на фиг, 2 схема включения колебательного контура в частотнозадающую цепь генератора.Датчик содержит, колебательный контур, выполненный в виде спиральной, намотки 1 из ленты...

Номер патента: 736191

Опубликовано: 25.05.1980

Автор: Аввакумов

МПК: H01F 41/06

Метки: изоляции, катушек, микропровода, намотки, стеклянной

...направля.ющие 8 между Выступами 19, оборачивая во.круг стержня, протягивают и заделывают накаркасе. Включают приводы 5 и 16 цамсточ.ного станка, При намотке благодари малойпостоянной времени нагрева (0,03 - 0,07 с)микропровод практически мгновенно приобре.тает температуру нагретой части стержня, врезультате чего в его стеклянной изоляцииснимаются изгибающие напряжения, Проходя 30 73613наматываемой катушки. Стержень 9 укреп.лец на поворотной вертикальной стойке 10, которая связана с автономным приводом 11 через редуктор 12. Элементы 8 - 12 укрепле.ны ца каретке 13 раскладчика, который че 5 рез ходовой винт 14 и редуктор 15 передает возвратно. поступательцое движение подачиэлектроприводу 16. На стойке 10, укрепленной ца каретке,...

Номер патента: 765888

Опубликовано: 23.09.1980

Авторы: Заборовский, Иойшер, Котрубенко

МПК: H01B 13/06

Метки: литого, микропровода

...проникновения определяется по формулеЬ-= 503йр(36где Я - удельное сопротивление полупроводникового материала, зависящее оттемпературы, Ом м;- частота электромагнитного полн Гц;ф 4 - относительная магнитная проницаемость;Рф - магнитная проницаемость вакуума.Для германия температура подогревав зависимости от формы и размеров навески 450 в 5 С. Для других полупроводниковых материалов эта температура рассчитывается, исходя из известных згвисзмостей электропроводиости от температуры, с использованием формулы (1) и эмпирически найденных оптимальных размеров и формы навесок и микрованы. Такой подогрев способствут в частноси, уменьшению количества примесей, попадающих в микрованну,Практически подогрев прекращают после начала плавления навески,...

Номер патента: 767847

Опубликовано: 30.09.1980

Автор: Шнайдерман

МПК: H01B 13/06

Метки: литья, микропровода

...общеизвестным.Навеска 2 металла разогревается в ВЧ- поле индуктора 3 и передает тепло стеклянной трубке 1, после размягчения которой производится вытяжка микропровода 4 и его намотка приемным механизмом 5. Придание стеклянной трубке 1 Ч-образной формы позволяет при подаче в нее инертного газа полностью вытеснить из трубки 1 воздух и заменить его инертным газом; непрерывно обновлять газовый состав в трубке 1, унося газообразные продукты, возникающие при расплавлении металла; изменять газовый состав в трубке 1 в процессе литья, что позволяет влиять на химсостав и структуру жилы микропровода 4; регулировать температуру в зоне навески 2 металла за счет предварительного нагрева (охлаждения) подаваемого в трубку 1 газа.767847...

Номер патента: 773747

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Аввакумов, Цветаев

МПК: H01C 17/26

Метки: изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, стеклянной

...с возможностью встречного вращения747 фрезистора. После этого производитояокончательное измерение сопротивлениярезистора.На чертеже показан вариант исполнения механизма разрушения, в которомдиск из ворсистого материала установленна одном валу с приводом 6, обеспечивающим вращение верхнего диска 1,Этот вариант выполнения привода.ворсис/10 того диска является оптимальным, однако возможно расположение автономногопривода ворсистого диска в любом другом месте, обеспечивающем его установку между дисками 1 и 2. Возможно также выполнение ворсистого дискавогнутым с полостью в сторону нижнегодиска.Обеспечение постоянной очистки рабочей поверхности устройства позволяетзначительно повысить срок службы инадежность работы устройства,3 773и...

Номер патента: 788185

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Гришанов, Заборовский, Иойшер, Котрубенко, Миргородский, Радауцан, Самусь

МПК: H01B 13/06

Метки: литого, микропровода

...расплава покрывают слоем окислов металла из бункера 3, для чего открывают заслонку 4 при помощи магнита 8. Окислы при 45 тепловом контакте с микрованной спекаются, образуя вязкий стеклообразный слой 9 окислов.Далее из размягченного конца стеклянной трубки вытягивают капилляр, 50 который заполняется расплавом перитектического соединения из микрованны, образуя после кристаллизации жилу литого микропровода 10, Мощность в индукторе поддерживают в процессе из готовления микропровода такой, чтобы пондеромоторная сила, действующая на расплавв микрованне, была в 1,5- 2,5 раза больше веса этого расплава.частотного генератора), описывается формулойР А РоР 2 угде ,Оо - магнитная проницаемость вакуума;- удельное сопротивление материала навески...

Номер патента: 788189

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Алексеев, Русанов

МПК: H01C 17/24

Метки: автоматической, изоляции, микропровода, подгонки, резисторов, сопротивлений, стеклянной

...1 с подгоняемого резистора б на механизм разрушения изоляции поступает через согласующееустройство, которое состоит иэ жестко связанных рычага 11 натяжения, оси12 и рычага 13 управления, на концекоторого расположена направляющаявилка 14.Рычаг 11 натяжения располокен относительно рычага 13 управления под Оуглом 300 а последний ближе к роликам 2 и 3, чем рычаг 11 натяжения.Устройство работает следующим образом.Подгоняемый резистор 6 устанавли-вается в контактные стойки 7 и свободный конец микропровода 1 пропускается под рычаг 11 натяжения, сквозьвилку 14 в зазор между коническимироликами 2 и 3. Срабатывает электромагнит 8, ролики 2 и 3 разрушаютстеклоизоляцию и обеспечивают электрический контакт с микропроводом 1.Далее включают блок...

Номер патента: 819823

Опубликовано: 07.04.1981

Авторы: Гольштейн, Заборовский, Зотов, Иойшер, Михайлов, Чеботарь

МПК: H01B 13/06

Метки: изоляции, литья, лянной, микрованныдля, микропровода, формирования

...с диаметром жилы более 10 мкм из никеля и его сплавов.Эта цель достигается тем, что по предложенному способу, включающему первоначальный перегрев микрованны на 8 - 16 й выше температуры плавления навески, осу 15 ществляют локальное прободение оболочки микрованны на 0,5 - 2 сек, которое прекрашают кратковременным (1 - 2 сек,) повышением на 1 - 2 порядка скорости подачи стеклянной трубки в зону высокочастотного 20 индуктора, после чего перед вытяжкой микро- провода снижают температуру микрованны до температуры, которая на 40 - 90 С выше температуры плавления навески.Применение вышеуказанных операций, в частности кратковременное прободение оболочки микрованны, которое осуществляют путем прикосновения к ней стеклянного штабика, приводит к...

Номер патента: 860143

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Бугаков, Заборовский, Иойшер, Ланда, Михайлов, Мухортов, Савранчук, Стрельников, Хандожко, Шихман

МПК: H01B 13/06

Метки: литья, микропровода, погонного, сопротивления, установке

...обмотку трансформатора 15 накала лампы автогенератора и тиристоры14,Устройство работает следующим образом.С датчика 1 сигнал, пропорциональный измеряемому текущему значениюпогонного сопротивления микропровода, получаемого на установке 16,поступает на элемент 3 сравнения,где сравнивается с опорным сигналом,поступающим от задатчика 2 номинального значения погонного сопротивления микропровода. При отклонениитекущего значения измеряемого погонного сопротивления от заданного вовсем контролируемом диапазоне частот(1 О -10 Гц) в устройстве 3 сравнения формируется выходной управляющийсигнал, скоррелированный с величиной отклонения (рассогласования),Выходной сигнал с элемента 3сравнения поступает на входы пропорционального 4,...

Номер патента: 862242

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Бугаков, Заборовский, Зотов, Иойшер, Ланда, Любер, Михайлов, Пеженков, Шаргородский, Шихман

МПК: H01B 13/06

Метки: литья, микропровода, погонного, сопротивления, установке

...от задатчика 2 номинального значения погонного сопротивления микропровода. При отклонении текущего значения измеряемого погонного сопротив 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 ления от заданного во всем контролируемом диапазоне частот (10 - 10 Гц) в элементе 3 сравнения формируютея два выходных управляющих сигнала, скоррелированных с величийой отклонения (рассогласования). Один выходной сигнал с элемента 3 сравнения ноступает на входы первого пропорционального 4, дифференциального 5 и интегрирующего 6 усилителей, с выходов которых соответственно преобразованные сигналы подаются на входы сумматора 7.С выхода сумматора 7 сигнал поступает на вход блока 8 формирования управляющих импульсов, которые подаются на управляющие электроды...