Устройство согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного пользования

сОюэ СОВетскихФМ мЮюеииРесйуь лик ае и 11 НО 3 К 190 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ЕТЕЛ АВТОРСКОМ госуддрствекный комитет ссср делдм изот:.Тений и откРытий(56) 1, Аваев Н,А. и др. Большие интегральные схемы с инжекционным питанием. М., "Сов,радио", 1977, с.187,рис.5,20,2. Авторское свидетельство СССРУ 837290, кл. Н 03 К 19/08, 1980(54)(57) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯИНТЕГРАЛЪНЫХ ИНЖЕКЦИОННЬ 1 Х СХЕМ С ЛИ-НИЯМИ ПЕРЕДАЧИ КОЛЛЕКТИВНОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ, содержащее управляемый источник тока, выход которого соединенс базой первого транзистора первоготипа проводимости и через первый резистор - с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллектор подключен к выходуустройства и эмиттеру второго транзистора первого типа проводимости,коллектор которого соединен с шинойпитания, а база - с коллектором транзистора второго типа проводимости,база которого через второй резисторсоединена с его эмиттером н шиной питания, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью уменьшения потребляемоймощности и расширения функциональныхвозможностей, управляемый источниктока выполнен на третьем транзисторепервого типа проводимости, коллекторкоторого через третий резистор соединен с шиной питания, эмиттер подклю"чен к выходу управляемого источникатока, а база подключена через четвертый резистор к шине питания, к входууправления состоянием и базе многоэмиттерного транзистора первого типапроводимости, коллектор которого через пятый резистор соединен с базойтранзистора второго типа проводимости, а эмиттеры соединены с информационными входами устройства.1 О 3 092Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для использования в микроэлектронных систе.мах цифровой автоматики и вычислитепьной техники,Известно устройство согласованияпо выходу интегральных схем с инжекционным питанием, содержащее выходнойкаскад на транзисторах первого ивторого типа проводимости 13,Недостатком устройства являетсябольшая потребляемая мощность и отсутствие организации состояния "Выключено на выходе устройства.Наиболее близким к предложенномуявляется устройство согласования интегральных инжекционных схем с линиями передачи коллективного пользования,содержащее управляемый источник тока,первый ныход которого соединен с 2 О(базой первого транзистора первоготипа проводимости, и через резистор -с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, аколлектор подключен к выходу устройства и эмиттеру второго транзисторапервого типа проводимости, коллекторкоторого соединен с шиной питания,а база - с коллектором транзисторавторого типа проводимости, база ко- ЗОторого через первый резистор соединена с эмиттером и шиной питания и подключена через второй резистор к первому коллектору многоколлекторноготранзистора первого типа проводимости, второй коллектор которого подключен к первому входу выходного каскада, эмиттер соединен с общей шиной,а база подключена к информационномувходу и второму выходу управляемогоисточника тока, состоящего из многоколлекторного транзистора второго типа проводияости, первый коллектор которого является первым выходом, а второй коллектор - вторым выходом источника тока, эмиттер через третийрезистор подключен к шине питания,а база через четвертый резистор подключена к шине питания и соединена с входом управления состоянием 2 .Недостатками известного устройстваявляются большая потребляемая мощность и узкие функциональные возможности, т.е. отсутствие логической55обработки нескольких входных информационных сигналов и отсутствие состояния "Выключено" на информационномвходе. Цель изобретения - уменьшениепотребляемой мощности и расширениефункциональных возможностей,Поставленная цель достигается тем,что в устройстве согласования интегральных инжекционных схем с линиямипередачи коллектинного пользования,содержащем управляемый источник тока,выход которого соединен с базой первого транзистора первого типа проводимости и через первый резистор - с общей шиной, эмиттер первого транзистора соединен с общей шиной, а коллекторподключен к выходу устройства и ,змиттеру второго транзистора первоготипа проводимости, коллектор которогосоединен с шиной питания, а база - сколлектором транзистора второго типапроводимости, база которого черезвторой резистор соединена с его эмит"тером и шиной питания, управляемыйисточник тока выполнен на третьемтранзисторе первого типа пронодимости, коллектор которого через третийрезистор соединен с шиной питания,змиттер подключен к выходу управляемого источника тока, а база подключена через четвертый резистор кшине питания, к входу управлениясостоянием и базе многоэмиттерноготранзистора первого типа проводимости, коллектор которого через пятыйрезистор соединен с базой транзистора второго типа проводимости, аэмиттеры соединены с информационными входами устройства,На чертеже представлена принципиальная схема предложенного устройства,Устройство содержит управляемыйисточник тока 1, выход которого соединен с базой первого транзистора 2первого типа проноднмости и черезпервый резистор 3 - с общей шиной,эмиттер первого транзистора 2 соединен с общей шиной, а коллектор под- .ключен к выходу 4 устройства и эмиттеру второго транзистора 5 первоготипа проводимости, коллектор которого соединен с шиной питания, а база -с коллектором. транзистора второготипа проводимости 6, база которогочерез второй резистор 7 соединена сэмиттером и шиной питания, управляемый источник токавыполнен натретьем транзисторе 8 первого типапроводимости, коллектор которого через третий резистор 9 соединен с шиной литания, эмиттер подключен к ны092726 И з 1 х а т; НФилиал ПШП Патент, г. Уагород,ул.Проектная, 4 ходу управляемого источника тока 1, а база подключена через четвертый резистор 10 к шине питания, к нходу управления состоянием 11 и базе многоэмиттерного транзистора 12 первого типа проводимости, коллектор которого через пятый резистор 13 соединен с базой транзистора второго типа проводимости 6, а эмиттеры соединены с информационными входами 14 устройст ва.Устройство работает следующим образом.Когда на вход 11 управления состоянием подается высокий уровень напряи ижения 1 (т.е, управляющий этим входом инжекционный транзистор закрыт), устройство работает в состоянии "Включено". Если теперь на все информационные входы 14 поступят сигна и йлы 1 (инжекционные транзисторы предыдущего каскада закрыть;), то многоэмиттерный транзистор 12 закрывается, вызывая прекращение тока через пятый резистор 13 и последующее за пирание транзисторов второго типа проводимости 6 и второго транзистора 5, Потенциал базы многоэмиттерного транзистора 12 повышается и при достижении уровня 11 ф + Пф5 В ЗОЗ 8 б - ф происходит отпирание третьего и первого транзисторов 8 и 2, при этом третий транзистор 8, работая в режиме насыщения, обеспечинает насыщение первого транзистора 2, на выходе 435 устройства формируется низкий уровень сигнала. Если на один из информационных входов 14 приходит низкий уровень напряжения "0", ( Б- напряжения насыщенного инжекционного транэистора), то происходит открывание многоэмиттерного транзистора 12, потенциал его базы понижается до уровня Б+ П - 0,8 В, вызывая запирание третьего и первого транзисторов 8 и 2, при этом обеспечивается наиболее низкоомная цепь устройства: шина питания, третий резистор 9 - третий транзистор 8 - первый транзистор 2 - общая шина, Ток, протекающий через четвертый резистор О, ответвляетсян базу многоэмиттерного транзистора12, который насыщается и его коллекторный ток через пятый резистор 13открывает транзистор второго типапроводимости 6, который н свою очер-.дь отпирает второй транзистор 5.На выходе 4 устройства Формируетсявысокий уровень напряжения, ,нысокои нагрузочной способностью,определяемой низким выходным сопротивлением транзистора нторого типапроводимости 6 и второго транзистора 5Отключение тока третьего резистора9 н этом режиме обеспечивает уменьшение потребляемой мощности в состоянии "Включено",При подаче на вход управления состоянием 11 низкого уровня напряжения,О", устройство устанавливается всостояние "Выключено на выходе. Третий и многоэмиттерный транзисторы8 и 12 закрываются, отключаются токитретьего и пятого резисторов 9 и 13,вызывая запирание транзистора второготипа проводимости 6, и второго и первого транзисторов 5 и 2, при этомобеспечивается незначительный уровеньпотребляемой мощности в состоянии "Вы"иключено на выходе. Вместе с тем иэза того, что в этом режиме заэемляются базы третьего транзистора 8управляемого источника тока 1 и многоэмиттерного транзистора 12, исключаются втекающие и вытекающие токиинформационных входон, чем обеспечивается состояние пВыключено" на входах и воэможность включения информационных входов подобных устройствна линии коллективного пользованияннутри БИС.Технико-экономический эффект устройства заключается в уменьшении потребляемой мощности и расширении функ"циональных возможностей, что позволяет реализовать логическую функциюна входе и увеличить коэФфициент разветвления по входам.