Полусумматор на инжекционных элементах

Номер патента: 935947

Автор: Фурсин

ZIP архив

Текст

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТО РСКОИУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскикСоцналнстичесинкРеспублик 111935947(51) М. Кл. 6 06 Г 7/50 Рвударстеелный кемктет СССР до делам нзаеретенкй(53) УД К 681. 325. .5(088.8) Дата опубликования описания 17.06,82(71) Заявитель Московский ордена Трудового Красного Знамени Физико- технический институт(54) ПОЛУСУММАТОР НА ИНЖЕКЦИОННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ Изобретение относится к вычисли" тельной технике и может быть использовано при построении больших интег ральных схем с инжекционным питанием ИЛ).Известен инжекционный полусумматор, содержащий четыре двухколлекторных транзистора и три одноколлекторныхтрананстора 11.Недостатком его является сложность 1 конструкции.Известен также инжекционный полу" сумматор, содержащий два двухколлекторных транзистора и четыре однокол" лекторных транзистора, Базы всех транзисторов соединены с выходамиисточников тока, а эмиттеры соединены с нулевой виной 121. Недостатком его является относительная сложность конструкции полу" сумматора.Цель изобретения - упрощение полусумматора. 2Поставленная цель достигается тем, что полусумматор на инжекционных элементах, содержащий первый и второй двухколлекторные транзисторы, первый и второй одноколлекторные транзисторы, причем базы всех транзисторов подключены к выходам соответствующих источников тока, эмиттеры подключены к шине нулевого потенциала, базы первого и второго двухколлекторных .транзисторов являются входами полусумматора, первые коллекторы этих транзисторов объединены, вторые кол" лекторы соединены с базами соответственно первого и второго одноколлекторных транзисторов, коллекторы кото" рых объединены, содержит также трехколлекторный транзистор, база которого соединена с первыми коллекторами первого и второго двухколлекторныхтранзисторов,и с выходами источника тока, первый коллектор этого тракзйстора соединен с вторым кол" лектором первого двухколлекторного935947 Формула изобретения НИИПИ Заказ 4213/52 Тираж 73 ПодписновФилиал ППП "Патент", г. Ужго ектная, 4 л транзистора, второй коллектор - с вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллектор соединен с выходом переноса полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен с выходом суммы полусумматора.На чертеже представлена принципиальная схема полусумматора.Полусумматор содержит двухколлекторные транзисторы 1 и 2, одноколлекторные транзисторы 3 и 4 и трехколлекторный транзистор 5. Полу- сумматор имеет входы 6 и 7, выход переноса 8,и выход суммы 9. Базы всех транзисторов соединены с выходами инжектирующих источников тока 10.Данный полусумматор работает в инвертном коде, т.е. сигналу нуля соответствует высокий потенциал, а единице - низкий, При подаче на входы полусумматора двух логических единиц, транзисторы 1 и 2 закрыты, а транзистор 5 " насыщен током, инжектирующим в его базу, таким образом на выходе 8 будет н 1", транзисторы 3 и 4 закрыты из-за того, что их базовые цепи зашунтированы транзистором 5 и на выходе 9 будет логический "0". При подаче на входы двух логических "0" транзисторы 1 и 2 насыщены, транзисторы 3, 4 и 5 закрыты. При подаче разных кодов на входы 6 и 7, один из транзисторов 1 или 2 насыщен, следовательно, один из тран зисторов 3 или 4 закрыт, а другой насыщен, а транзистор 5 закрыт, поэтому на выходе 8 будет логический "0", а на выходе 9 - "1".Конструкция данного полусумматора упрощена по сравнению с известной, так как число используемых активных элементов уменьшено до пяти. Небольшое число выводов позволяет использовать его в виде компактной интегральной схемы,Полусумматор на инжекционных элементах, содержащий первый и второйдвухколлекторные транзисторы, первый и второй одноколлекторные тран 1 ф зисторы, причем базы всех транзисторов подключены к выходам соответствующих источников тока, эмиттерыподключены к шине нулевого потенциала, базы первого и второго двухколлекторных транзисторов являются входами полусумматора, первые коллекторы этих транзисторов объединены, вторые коллекторы соединены с базамисоответственно первого и второго од 20 ноколлекторных транзисторов, коллекторы которых объединены, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цельюупрощения полусумматора, он содержит трехколлекторный транзистор, база25 которого соединена с первыми коллекторами первого и второго двухколлекторных транзисторов и с выходом источника тока, первый коллектор этоготранзистора соединен с вторым колзо лектором первого двухколлекторноготранзистора, второй коллектор - с вторым коллектором второго двухколлекторного транзистора, третий коллекторсоединен с выходом переноса полусумматора, коллектор первого одноколлекторного транзистора соединен свыходом суммы полусумматора.Источники инФормации,принятые во внимание при экспертизе1, Заявка Франции Ь" 2088388,кл. Н 03 К 19/08, опублик. 1970,2 Электронная техника. Сер. 3

Смотреть

Заявка

2998913, 29.10.1980

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ФИЗИКО ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ФУРСИН ГРИГОРИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G06F 7/50

Метки: инжекционных, полусумматор, элементах

Опубликовано: 15.06.1982

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-935947-polusummator-na-inzhekcionnykh-ehlementakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полусумматор на инжекционных элементах</a>

Похожие патенты