Устройство считывания цилиндрических магнитных доменов

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ельства 6189/18 2 1 с 7 00 51) присоединением зая осударственный комит Совета Министров ССС по делам изобретений 32) 11 риорит 53) УДК 681,325.6(088.8) тень25 открыти ия 14.11.74 а опубликования опис 72) Автор изобретения В. Е расовский Институт электро 71) Заявит ых управляющих машин ЦИЛИНДРИЧЕСКИХЕНОВ 2 ЦМД соответственно; т - толщина плена практике длину магниторезистора беавной диаметру ЦМД, отношение длины рине - равное 4 или 5 и толщину плен,02 - 0,03 мкм. Для феррит-гранатовых иалов, в которых размеры ЦМД равняединицам микрон, эффективная радиальоставляющая поля рассеяния домена величину: полюки.рутк ш матеютсянаяимее 0=0,2 4"Л, (2) где Ме - намагниченность насыщения материала домена, т. е. величину примерно до 100 гс. Учитывая это обстоятельство, можно видеть, что считывание ЦМД диаметрами, например, 8 мкм магниторезисторным элементом длиной 1 8 мкм, шириной 2 мкм и толщиной т 0,02 мкм, выполненным на пермаллоя с М,=800 гс неэффективно, поскольку размагничивающее поле элемента, как следует из выражения (1), равно 200 э. Таким образом, известное устройство не может с успехом применяться для регистрации ЦМД малых размеров. Цель изобретения - расширение области эффективного применения и повышения уровня выходного сигнала магниторезистора.Из выражения (1) видно, что минимальное размагничивающее поле имеет магнитопленочный элемент с отношением сторон 1: 1, Таким образом, для снижения размагничивающего 30(54) УСТРО й СТВО СЧ ИТЫ ВАМАГНИТНЫХ Изобретение относится к вычислительной технике.Известное устройство считывания цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) выполнено в виде магниторезисторного элемента из тонкопленочного анизотропно го магнитного материала. Технология их изготовления проста, срок службы практически не ограничен.Повышение плотности записи информации в ЦМД - устройствах усложняет регистранию ЦМД магниторезисторными датчиками. Для эффективной операции считывания поле ЦМД должно превосходить размагничивающее поле магниторезисторного элемента. В противном случае вектор намагниченности магнитной пленки поворачивается полем домена на угол, меньший 90, относительно своего первоначального положения, что приводит к ослаблению выходного сигнала.Величина размагничивающего поля тонкопленочного магниторезисторного элемента прямоугольной формы может быть определена из выражения:(1) где М. - намагниченность насыщения материала пленки; Ь (ширина элемента) и 1 (длина элемента) - стороны пленки, параллельная и перпендикулярная намагничивающему пц 435560435560 ставитель Ю. Розенталь Изд.992сударственного комитет по делам изобретенийМосква, Ж, Раушска Тираж 591 Совета Мини открытий наб., д. 4/5аказ 3101/12ЦНИИПИ Го ПодписноеР в С Типография, пр. Сапунова, 2 поля магниторезисторный элемент целесообразно составить из нескольких секций с отношением сторон 1: 1. Так для приведенного выше примера при разделении магниторезисторного элемента на секции со стороной ужо:2 мкм, размагничивающее поле каждой секции составляет всего 50 э.На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство выполнено следующим образом.Магниторезисторный элемент размещается над магнитокристаллической пластиной 1 с ЦМД 2. Секции 3 магниторезисторного элемента разделены изолирующими зазорами 4, причем длина каждой секции не меньше ширины магниторезисторного элемента. В противном случае появляется анизотропия формы магниторезисторной секции, и вектор намагниченности в исходном состоянии ориентируется перпендикулярно вектору тока. Электроды 5 служат для подключения магниторезисторного элемента к цепи питания и к мостовой схеме, регистрирующей изменение его сопротивления.Работа устройства начинается с подачи в магниторезисторные секции 3 электрического тока 1. В исходном состоянии вектор намагниченности М каждой магниторезисторной секции 3 ориентирован полем анизотропии пленки параллельно вектору тока 1. При на личии вблизи датчика ЦМД радиальная составляющая поля ЦМД, превышающая размагничивающее поле каждой магниторезисторной секции 3, ориентирует вектор намагниченности М в них перпендикулярно вектору тока 1.10 Изменение сопротивления магниторезисторного элемента АЙ регистрируется мостовой схемой, и выходной сигнал ЬУ=ЛИ подается на усилитель. 15Предмет изобретенияУстройство считывания цилиндрическихмагнитных доменов, выполненное в виде магниторезисторного элемента из тонкопленочного анизотропного магнитного материала,20 отличающееся тем, что, с целью расширения области применения и повышения уровня выходного сигнала, магниторезисторныйэлемент содержит несколько секций, разделенных изолирующими зазорами, причем дли 25 на каждой секции не меньше ширины магнигорезисторного элемента,