Датчик для считывания цилиндрических магнитных доменов

О П И С А Н И Е (и) 43 ьы 6ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Соввтскик Социалистическими Уеслубликвид-в 3 5430/18-24 51) М. Кл. С 11 с 11/О заявки асуавратванимй камнтетСаватв Миниатраа СССРаа делам иаааратенийн аткрмтий(088. 8) исавия 2 Ъ 11. 7 Ь) Дата опубликования Авторыизобретения Е, Красовски(71) Заявител нститут электронны 54) ДАТЧИК ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ ЦМ Предлагаемое изобретение относится к вычислительной технике.Известно устройство, предназначенное для считывания цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и содержащее в качестве считывающего датчика тонкопленочный пер,- маллоетиый магнитореэистор, состоящий из нескольких соединенных последовательно магниторезистивных эттементов, расположенных в плоскости поверхности магнитного носителя, Такие датчики получили наибольшее распространение для-считыванияД, Их отличает простая технология, малая потребляемая мощность, высокие ча";стотные свойства и практически неограни ,ченный срок службы.Однако возможное количество магниторезистивных элементов в таких датчиках весьма ограничено и уровень выходного сигнала, соответственно мал. Это объясняется тем, что магниторезистивные эле менты можно располагать только в области, где;радиадьвая составляющая поля ЦЖД заметно изменяет состояние намагниченности пермаллоевой пленки, т. е. не далее как на расстоянии, равном радиусу дамена от границ последнего, Ширина отдельного магнито-реэистивного элемента выбирается на практике равной примерно 0,5 1 , где т - радиус домена. С учетом этих фактов количество магниторезистивных элементов возможно не более 6-8.Цель предлагаемого изобретения - повышение уровня выходного сигнала магнитсфезистивного датчика.Для этого магнитореэистор выполнен в виде многослойной структуры, в которой магнитопленочные элементы, легкие оси которых параллельны, расположены друг под другом, разделены изолирующими слоями и через контактные окна в изолирующих слоях последовательно соединены проводящим материалом, причем первый и последний магнитопленочные элементы, . подключены к контактным выводам.На фиг. 1 изображено распределение поля домена; на фиг. 2 - предлагаемыймагниторезистивный датчик. Попе домена имеет напряженность, до 25; статочную для, намагничивания магнито485800 45пленочного элемента, размещенного нетолько в непосредственной бдизости у по-,верхности магнитного носителя, но и удаленного от нормали от этой поверхности примерно в пределах радиуса домена (см.фиг.Х,5где- радиус домена Я - расстояние:по нормали от плоскости носителя; Н, напряженность поля д 6 менк 4% М З - на-магниченноеть насыщения носителя).Датчики содержат магниторезистивные 16элементы, расположенные в. плоскости наповерхности магнитного носителя; таким:образом, значительная часть поля рассеяния.домена не используется. Эффективное,использование поля ЦМД и, как следствие,15возрастание уровня сигнала достигаетсяппИменением магнитрезистивного датчика,показанного на фиг. 2. Если учесть, что.толщина магниторезистивных элементов зна-чительно (в 100 и более раЦ меньше его 20размеров в плоскости магнитного носителя, расположение магниторезистивных элементов, показанное на фиг. 2, позволяетсоздать датчик, содержащий во много разбольшее число элементов, чем это возможно при размещении их в одной плоскости.Соответственно увеличивается амплитудавыходного сигнала датчика,Предлагаемый датчик выполнен следующим образом,ЗОМагниторезистивные элементы 1 расположены друг под другом таким образом,что легкие оси их параллельны, разделеныизолирующими слоями 2 и через контактные окна в изолирующих слоях соединенымежду собой последовательно проводящимматериалом 3. Магниторезистивные элементы 1 размещены над магнитным носителем4 с ЦМД 5, Отдельный магниторезистив: ный элемент 1 представляет собой магнит40ную пленку различной конфигурации толщи- .ной несколько сотен ангстрем,Юl 4Работа устройства начинается с подачи в магниторезистивные элементы 1 электрического тока. В исходном состоянии вектор намагниченности магниторезистивных ,элементов 1 ориентирован полем анизотропии пленки параллельно вектору тока и со , противление каждого магниторезистивного элемента 1 равно определенной ветчинеИри наличии вблизи датчика ЦМД 5, который располагается таким образом что 1отклоннет своим полем вектор, намагничен- ности магниторезистивных элементов 1 е направлении, перпендикулярном вектору тока, сопротивлеиие каащого магниторезистив-; ного элемента 1 изменяется на величину Й.Й . Соединенные последовательно магии-торезистивные элементы 1 дают изменениесопротивленияЬйс-ЬЙ . Размещение:1э рабочем объеме большого числа магнитэфезистивных элементов приводит к сущест. венному увеличению выходного сигнала.Суммарный сигнал регистрируется мостовой схеМой и подается на усилитель. Предмет изобретения Датчи для считывания цилиндрическихмагнитных доменов, содержащий магниторезистор и контактные выводы, о т л ичающийс я тем, что, с целью повы-:шения уровня выходного сигнала, магнитб-,резистор выполнен в виде многослойнойструктуры, в которой магнитопленочныеэлементы, легкие оси которых параллельны,расположены: друг под другом, разделеныизолирующими слоями и через контактныеокна в изолирующих слоях последовательнбсоединены проводящим материалом, причемпервый и последнкй магнитопленочные элементы к контактным выводам,485500 Фи 8 1 Составитель В,ГордонедакторА,Морозова Техред Н,Ханеева ректор И.Позннковск Подпнс ЦНИИП Предприятие сПатент, Москва, Г.59, Бережковская наб.,Заказ ЯЗфИзд. И осударственногопо делам изо Москва, 11303 ф раж 648комитета Совета Министровретений и открытийРаушская наб., 4