Устройство для продвижения магнитных доменов

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик) Дополнительное к авт, свид 51) М, КлР Я 11 С 11/16 22) Зая 24.09.73 (21) 1961353/18-24 с присоединением заявкисударственныи комитетавета Министров СССРпо делам изобретенийи открытий(43) Опубликовано 05,02,78, Бюллетень 5 (45) Дата опубликования описания Л. 02,78. 53) УДК 681,325 .66 (088.8)(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ Изобретение отчосится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения и переработки дискретной информации.Известны устройства для продвижения цилиндрических магнитных доменов (ЦМД), содержащие магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ЦМД,Одно из известных устройств для продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную феррит О гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ЦМД, ограниченные с двух сторон зонами, подвергнутыми имплантации ионами водорода 1.Однако изготовление такого устройства 1 бпредставляет значительную трудность.Наиболее близким по технической сущностик изобретению является устройство для продвижения ЦМД, содержащее магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения цилиндрических 20 магнитных доменов, ограниченные с двух сторон непрерывными направляющими элементами с волнообразными краями 21.Недостатком этого устройства является егонизкая технологичность. Цель изобретения - повышение технологичности устройства - достигается тем, что в устройстве для продвижения ЦМД, содержащем магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на которой расположены каналы продвижения ЦМД, ограниченные с двух сторон непрерывными направляюшими элементами с волнообразными краями, указанные элементы выполнены в виде тонкого поверхностного слоя магнитоодноосной феррит-гранатовой пленки, в котором часть ионов железа замещена октаэдрическими ионами. Конфигурация направляюших элементов при этом остается такой же, как в известном устройстве. Однако они оказываются выполненными в виде тонкого поверхностного слоя внутри монокристалла. Химический состав этого поверхностного слоя отличается от состава материалов непосредственно в зоне канала продвижения, Реализация подобной продвигаюшей структуры предполагает использование метода диффузии. Помимо упрощения технологии еше одним преимуществом предложеной структуры каналов продвижения в сравнении со структурой, получаемой методом ионной имплантации, является отсутствие ограничения в выборе материала монокристаллической среды.59959 Формула изобретения Составитель 30. РоаентаТекрел О.,Г 3 уговая Корректор 31. Макаревич Тираж 71 т Иолписиое Редактор И.МарковскаяЗаказ 6333/47 331331 ИПИ 1 осуаарсгненно о коонтета г,он га Министров (,г:Г 3 о лелям нвобрегеннй н огкрнггнй 13 ЗОЗ 5, Мгч ква. Ж З 5, Раугнская на 5, л. 4/5 Филиал 113111 13 агенг, . Ужгорол, ул 3131 оекгнан, 4э11 а чертеже схематически изображено устройство для продвижения ЦМД.Устройство содержит магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку 1, на которой расположены каналы продвижения ЦМД 2, ограниченные с двух сторон непрерывными направляющими элементамн 3 с волнообразными краямн, которые выполнены в виде. тонкого поверхностного слоя, имеющего повышенную в сравнении с зоной канала намагниченность насыщения. Благодаря изменению намагниченности насыщения и наличию определяемых направляющими элементами периодических сужений, в канале создаются последовательные стабильные позиции для ЦМД 4, отделяемые друг от друга энергетическими барьерами, Преодоление доменами энергетических барьеров может быть осуществлено с помощью токовых импульсов, подаваемых, например, по однопроводной токонесущей цепи 5, проходящей черй каждую из зон стабильного положения доменов со смещением относительно центра зоны, Разновидностью предложенного технического решения каналов продвижения является структура, по. лученная в результате понижения намагниченности насыщения магнитоодноосной пленки в зоне самого канала при замещении части ионов железа тетраэдрнческими ионами, например ионами Аа+ или баз+.Технология изготовления предложенного устройства отличается простотой и может быть реализована в условиях массового производства. Формирование каналов продвижения в монокристаллической пленке феррит-граната заключается в напылении через маску на поверхность пленки (для всех ее участков одновремен- % но) металлов или окислов металлов соответствующих элементов и последующей выдержке монокрасталла в печи при температуре 200 1300 С,Устройство для продвижения цилиндрическихнх магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную феррит-гранатовую пленку, на ко.торой расположены каналы продвижения ци 1 линдрических магнитных доменов, огранйчен.ные с двух сторон непрерывными направляю.щими элементами с волнообразными краями,отличающееся тем, что,.с целью повышениятехнологичности устройства, непрерывные направляющие элементЫ выполнены в виде тонко.39 го поверхностного слоя магнитоодноосной фер-рит-гранатовой пленки, в котором часть ионовжелеза замещена октаэдрическими ионами,Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, К. Яое а 1 а. А 1 Р Соп 1. Ргос.10,фф 1973, р. 339,2. Смоленский Г. Л, и др. Микроэлектрони.ка, т. 1, вып. 2, 972, с,06,