Патенты с меткой «атомов»

Номер патента: 1405623

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Долин, Суворов, Трушин

МПК: H01J 37/285

Метки: атомов, межузельных, металлах, параметров, энергетических

...же для облучения образцов собственных ионов . металла обеспечивает необходимое со 234хранение состава, т.е, не вносит новых примесей,После облучения образца его начинают нагревать. Характер подъема температуры обусловлен тем фактом, что начиная приблизительно с 100 К теряется атомарное разрешение автоионного микроскопа. Поэтому нагрев с постоянной скоростью 1 необходимо периодически прерывать с тем, чтобы сфотографировать автоионное изображение при температуре Тп оптимальной для получения атомарного разрешения. Скорость спада и подъема (воэвраще-( ния):температурыдолжна быть .существенно вьппе (более чем на порядок) р. Нагрев образцов осуществляют путем пропускания через дужку с острием электрического тока, характер его изменения...

Номер патента: 1589227

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Алпатов, Бизина, Давыдов, Карташов, Садовский

МПК: G01T 1/29

Метки: атомов, вещество, глубины, диффузионного, проникновения, радиоактивных

...точки В. Вклад гамма-излучения, испытывающего релеевское рассеяние,.составляет:1(ярСф )хе-0Л ,фф где 0 - коэффициент диффузиифф - продолжительность диффузии;эффЯ - общее количество продиффундировавшего вещества,Задавая различные значения параметра з уе С , характеризуиеего среднюю глубину диффузии, можно вычислить набор распределений внедряемых атомов но глубине.и использовать каждое из вычисленных распределений для расчета интенсивностей гамма- лучей и обоих видов рентгеновских излучений, Путем сравнения расчетных отношений интенсивностей гаммаквантов.и характеристических рентгеновских фотонов с экспериментально измеренными отношениями интенсивностей можно определить впд глубинного распределения радиоактивных атомов, реализовавшийся...

Номер патента: 1606449

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Лившиц, Ноткин, Самарцев

МПК: C01B 3/50

Метки: атомов, водорода, выделения, ионов

...обладающие споегации на поверхность и рмическое выделение воа ю щ и й с я тем, что, с ия эффективности выдеия процесса выделения, рану из ниобия, содержа- количестве 0,2-2,0 ат. и поверхность наносят слой ой 10 з - 102 мкм. ется увеличе я и ускорени эультате срав емого спосо нияионов водо ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ Изобретение относится ехнике и служит для выде ыстрых атомов водорода и ей. Целью изобретения явл ие эффективности выделен роцесса выделения,Данные, полученные в р ения известного и предла ов, приведены в таблице,формула и зоб ре Способ выделения атоморода из газовых пропускание чере ну, содержащую п собностью к сегр затрудняющие те дорода, о т л и ч целью увеличен ления...

Номер патента: 1464416

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Дорошин, Лившиц, Ноткин, Самарцев

МПК: C01B 3/00

Метки: атомов, водорода, выделения, ионов

...(примерно 500-500 С),и с помощью датчика давления регист"рируют количество поглощенногокислорода. По достижении требуемогоколичества поглощенной примеси операцию прекращают. В случае использования палладия напускают углеродсодержащий газ (пары бенэола, ацетилен) при давлении 10 "-О мм рт.ст.и температуре 150-600 С. В результатеразложения углеродсодержащего газа наповерхности палладия образуется углерод, который затем растворяется вметалле,1464416 3Формула изобретения 1, Способ выделения атомов и ионов -водорода иэ газовых сйесей путем их нропусманйя через металличаскую мембрану, о т н и ч а 3 о щ й й е я тем, что, с целью увеличения времени сохранения стабильных характеристик вц" деления, используют мембрану иэ водородопроницаемого...

Номер патента: 1679320

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Алиев, Ахраров

МПК: G01N 23/227

Метки: атомов, кристалла, локализации, примесных

...эффективно какалируются в симметричных направлениях, что приводит к наиболее эффективному возбуждению примесных атомов, находящихся в этих направлениях. При этом эмиссия Оже-электронов примескых атомов резко возрастает, так как вторичные упруго и неупруго отраженные (рассеянкые) электроны способны в 3-4 раза больШе воз 167932010 15 20 25 30 35 40 45 50 55 буждать Оже-электроны, чем первичные заряженные частицы,Локализация внедренных (или примесных) атомов в элементарной ячейке (решетке) кристалла и их химическое состояние играет важную роль в изменении тех или иных свойств материалов, В зависимости от локализации примесных атомов в решетке они могут находиться в нейтральном или заряженном состояниях, создавать дефекты различных...

Номер патента: 1691804

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Борисов, Слюсарь

МПК: G01R 33/26

Метки: атомов, квантовый, магнитометр, оптической, ориентацией

...малую утечку тока, чтобы не вносить погрешности в измеренияМВГНИТНОГО ПОЛЯ, БВРХНЯ 11 ГРанис 1 НЭЯ ЧВСТ 1)та фотодиода 8 должна быть значительнсЭЫ 1 ле рабОчеЙ частоты магнитометра 1.Магнитометр работает следующим образом,Свет спектральной лампы б, возбуждаемой ГенеРс 1 тОРОм 5, чеРВВ светоеод 3, линзУ11 и циркулярный поляризатор "О поступает в камеру 12- поглощен 11 я с парами рабочего Вещ 8 ства. При маГнитном резОнансе 10свег модулируется с резонансной частотОЙ и через линзу 11 и световод 4 попадав)на фотог 1 риемник 14, где преобразуетсяв электрический сигна,) усилиВ эем ыйширокополосным усилителем 15 с задан 15н Ой фа 30 ВОЙ характерист 11 КОЙ, Б ь 1 ходн 1: енапряжение усилителя упоавляег К 1 ощСТЬ 1 О СВЕТОВОГО ПОТОКс 1 УГ 1...

Номер патента: 1693477

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Васютинский, Куприянов, Соколов

МПК: G01N 21/19

Метки: атомов, ориентации, спинов

...р - интенсив, ссь излучен 1 я, поглощенного Г 1 зром., находящимся В ориентированном состоянйи, Вт;цн"енсивност( и-луч 81(ия погл(3 1 Н 81 НОГС ПЗРОМ, г 1 ЗХОЛЯ.1".4 М,СЯ В НЗОРИЗНТ(1- 3 ОВЗННОМ С(1 СТОЯНИ 3, (:,4 - 1 лфйициен Бегло(цения 11 Ф йзлу" Чен. ЗТОМНЫМ Г 1 ЗРЖ 1;- Длина области, соде 3 жащеи атомный П ;,гР, . )1+о гЭд р 1, 1 оЫ 1;где ;: и- алек(трон 1 гыа угловье моменты ос 1,3 Г 1 ного и возбужден(. ого состояния исс- ЛС,ММУХ З Г(МОВП р и м 8 р. Ориент(1 рованные атомь Водорода получают при (оотодиссоцизции Р.%акул;-1 ВГ Циг 1 кулярно Г 1 оляойзованным излучением эксимеонсгс Р, лазера с длиной волнь 1 19," нм в реэкц(1 и1.Г 1 1,ь, 1 1. ВРез.;Цию 12 осущесгвляк 1 т в к оветз с О 11.181 Ч 1 И ИЗ, ДЛЯ 1. ОЕДг:(ВЫ (ЦЕ(11 г(...

Номер патента: 1744612

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Вилкова, Ксенофонтов, Манянин, Рубан, Сухаревский

МПК: G01N 24/00

Метки: атомов, зависимости, смещений, среднеквадратичных, угловой

...угла поворота Оп 1с(0 п 1)/соз Оп 1.В этом случае расчетные формулы для площади под спектром резонансного поглощения монокристального (текстурированного) поглотителя Я(0 ) и поглотителяэталона Яэ( 6) приобретают вид(й=А(О) и (й(йо. , (6 = А (6) пэ (б , (б о где и, (О, и пэ(0 )-плотности резонансных ядер в исследуемом и эталонном поглотителях соответственно;А(0) - аппаратурный фактор;съ, - сечение резонансного поглощения, Так как исследуемый образец и поглотитель-эталон находятся в тождественных геометрических условиях, то п(О)= =сопзт пэ (6 и угловая зависимость среднеквадратичных смещений может быть определена с точностью дс постоянной г 2, (Я=(Л/2 ф п (Ь(6 /Я,(ф+ сопзт,Для установления вида и особенностей угловой зависимости...

Номер патента: 1783405

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Гранкин, Семкина, Стыров, Тюрин

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, гетерогенной, коэффициента, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, твердых, тел

...наносить материал исследуемого образца на стенки измерительной ячейки;исследуемый образец (небольших размеров) выдвигается изтефлоновой трубки, Это заметно расширяет класс исследуемых материалов, т,к, становится возможным исследовать различные по структуре материалы, а именно; порошки, монокристаллы, тонкие пленки, поликристаллы. В заявляемом изобретении каждый образец может быть нанесен тонким слоем на индивидуальный нагреватель, что позволяет работать в более широком интервале температур образцов (77 10 К) и давлений (10 10 Па) атомизированных газов и свободных радикалов. При этом может варьироваться соотношение температур между газом и твердым телом,Одновременное использование моно- кристаллических образцов и их порошкообразных...

Номер патента: 1789912

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Андреев, Кабанский, Поташник

МПК: G01N 21/62

Метки: атомов, гетерогенной, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, скорости, твердых, тел

...качестве которого можно использовать порошкообразные люминофоры типа 2 пЯ-А 9, 2 п 2504-Мп играющие роль хемилюминесцентного датчика атомов; узла модуляции потока газа 4 (фиг.4), приводимого в действие электромагнитом и предназначенного для регулирования потока атомов в сосуд и, в частности, для его перекрывания, генератора атомов (радикалов) 5, использующего высокочастотный безэлектродный разряд, приводящий к диссоциации молекул газа, поступающего из баллона б; системы откачки 7, необходимой для подготовки вакуумной части устройства к измерениям и проведение измерений; и, наконец, электронной схемы устройства.Электронная с хема устройства включает фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) 8, обращенный входным окном к ХЛ-датчику; блок питания к...

Номер патента: 1807381

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гранкин, Семкина, Стыров, Тюрин

МПК: G01N 27/62

Метки: атомов, гетерогенной, коэффициента, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, твердых, тел

...(жестко закрепленную в подводящем канале сильфона и проходящую через измерительную камеру); установленную внутри цилиндрической трубки подвижную тефлоновую подложку 12 с гнездами 13, в которых на нагревателе 14 размещаются образцы 15, и с "пустыми" гнездами 16, (т. е, на подложке между гнездами, в которых размещаются образцы, имеются пассивные тефлоновые промежутки - "пустые" гнезда). В цилиндрической трубке 10 с окном 11 высверлены отверстия 17 малого диаметра так, что их общая площадь над исследуемым образцом много меньше площади образца, (с целью создания условий предварительного заполнения поверхности образцов свободными атомами). Тонкие малоинерциональные нагреватели 14 соединены с токоподводящими элементами 18, каждое гнездо...

Номер патента: 2004081

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Волосов

МПК: H05H 3/00

Метки: атомов, быстрых, источник, тяжелых

...образовавшиеся вблизи анода, ускоряются радиальным электрическим полем и движутся по циклоидальным траекториям, достигая максимальной энергии вблизи катода. Падающие нэ катод ионы образуют за счет процесс самораспыления поток нейтральных атомов, поддерживающих баланс частиц в разряде. Перезарядив-. шиеся вблизи катода ионы уходят в виде нейтральных атомов в радиальном направлении (веерный поток). Плазма в атом разряде имеет вид плоского диска шириной 2-5 см, радиальный размер плазмы совпадает с размером наружного лайнера, поэтому уходящие атомы движутся перпендикулярно оси ловушки с очень небольшой угловой расходимостью. Полный ток этих атомов(эквивалентный ток) порядка 100 А в импульсах длительностью 2 - 5 10 с. Энергия этих...

Номер патента: 1218633

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Буток, Воронков, Завизион, Придачин, Пятнова

МПК: C07C 11/22

Метки: атомов, н-алкинов-1, углеродных, числом

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Н-АЛКИНОВ-1 С ЧИСЛОМ УГЛЕРОДНЫХ АТОМОВ ОТ 5 ДО 12 путем взаимодействия ацетилена с металлическим натрием в среде жидкого аммиака с получением ацетиленида натрия с последующим отделением аммиака и добавлением органического растворителя, алкилированием суспензии ацетиленида натрия галоидным алкилом с последующим разложением полученной реакционной массы алкилирования и выделением целевого н-алкина-I из продуктов разложения с использованием перегонки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии процесса в качестве органического растворителя используют N-метилпирролидон-2 при молярном соотношении натрий : N-метилпирролидон-2, равном 1 : 2,6 - 4,7, и алкилирование ведут при 10 - 30oС, разложение реакционной...

Номер патента: 1672865

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Богдевич, Дмитриев, Клокотов, Кузнецов, Никонов, Советов

МПК: G21K 1/06, H01L 21/20

Метки: атомов, нейтральных, пучка, формирования

1. Способ формирования пучка нейтральных атомов, основанный на резонансном взаимодействии их в вакууме с полем стоячей световой волны когерентного излучения частотой 1 и полем бегущей световой волны охлаждающего излучения 2, частоты которых смещены в длинноволновую область относительно частоты линии разрешенного перехода в спектре поглощения атомов пучка, отличающийся тем, что, с целью получения гомоцентрического монохроматического пучка, допускающего стигматический перенос изображения, атомы разгоняют до постоянной скорости V, воздействуя на них дополнительно световой волной частотой...

Номер патента: 247410

Опубликовано: 27.09.1996

Автор: Крюков

МПК: H01S 4/00

Метки: атомов, генератор, излучения, квантовомеханический, пучке

Квантовомеханический генератор излучения на пучке атомов, содержащий резонатор, селектор состояний и источник излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности и точности установки частоты, в нем между резонатором с последовательно расположенными селектором состояний и источником установлено устройство для замедления скорости атомов и направления пучка атомов вертикально вверх.

Номер патента: 686167

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Соколова, Худяков

МПК: C22F 3/00

Метки: атомов, гелием, металлов, плотной, растворов, твердых, упаковкой

1. Способ получения твердых растворов металлов с плотной упаковкой атомов с гелием, включающий воздействие ионизирующим излучением на металл, отличающийся тем, что с целью понижения температуры плавления металлов, повышения их химической активности и скорости диффузии собственных и примесных атомов в металле, понижения работы выхода электронов и ионов, металл предварительно расплавляют и выдерживают в атмосфере гелия под давлением, затем охлаждают расплав со скоростью 102 - 106 град/с до комнатной температуры, а ионизацию проводят электронами с энергией 1 - 100 МэВ до получения смешанных атомов 1021- - 1023 см-3.2. Способ по п.1,...