Кабанский

Номер патента: 1789912

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Андреев, Кабанский, Поташник

МПК: G01N 21/62

Метки: атомов, гетерогенной, поверхности, радикалов, рекомбинации, свободных, скорости, твердых, тел

...качестве которого можно использовать порошкообразные люминофоры типа 2 пЯ-А 9, 2 п 2504-Мп играющие роль хемилюминесцентного датчика атомов; узла модуляции потока газа 4 (фиг.4), приводимого в действие электромагнитом и предназначенного для регулирования потока атомов в сосуд и, в частности, для его перекрывания, генератора атомов (радикалов) 5, использующего высокочастотный безэлектродный разряд, приводящий к диссоциации молекул газа, поступающего из баллона б; системы откачки 7, необходимой для подготовки вакуумной части устройства к измерениям и проведение измерений; и, наконец, электронной схемы устройства.Электронная с хема устройства включает фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) 8, обращенный входным окном к ХЛ-датчику; блок питания к...

Номер патента: 1357728

Опубликовано: 07.12.1987

Автор: Кабанский

МПК: G01J 1/48

Метки: газофазных, полупроводниках, реакций, химических

...для рабочей поверхности образца можно представить в виде суммы двух слагаемых,Первое из них, Б есть скорость,измеренная сразу после ограждения по" тока атомов от датчика и обусловленная центрами поверхностНой рекомбинации носителей заряда, связанными сдолгоживущими поверхностными состояниями или с дефектами поверхности образующимися в ходе гетерогеннойреакции.Второе слагаемое Б = Б - Б появляется сразу после начала химическойреакции и быстро исчезает ( - 10 с)после прекращения реакции. Б обусловлена быстродесорбирующимися продуктами реакции (в частности молекулами Н,И в других гетерогенных реакциях,протекающих на полупроводниковом датчике, возникает аналогичная добавкак Б, связанная с образующимися наповерхности датчика продуктами...

Номер патента: 57730

Опубликовано: 01.01.1940

Автор: Кабанский

МПК: H02M 7/06

Метки: выпрямитель, кенотронный

...создаваемое ,катушкой 1 (Н=1 сЕ), меньше критического значения магнитного поля Н, (как это видно на фиг. 3), В тот моменг, когда напряжение в сети достигнет величины Ек, Н = Нк, Если снимать. характеристику короткого замыкания, то Е = Ра и при условии равенства Н=Нк, справедливо соотношение: Начиная со значения Ек магнитное поле Н всегда будет больше критического Нк а вольтамперная характеристика кенотрона начнет резко падать и получится искусственный загиб характеристики.Напряжение Екхарактеризует то минимальное значение напряжения в сети, от которого начинается стабилизация выпрямленного напряжения.С момента достижения значения Е,р при соответствующем подборе сопротивления катушки подмагничивания, можно добиться того, что приращение...