Патенты с меткой «диэлектрик—кремний»

Номер патента: 428484

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Кольцова, Коробов, Петручук

МПК: H01L 21/314

Метки: диэлектрик—кремний, структуры

...следующим образом.На пизкоомную подложку пз кремния электронной проводимости наносится эпитаксиальный слой 51 толщиной 2 якл с удельным сопротивлением 5 ом. слк Затем в реактор при температуре образца 800 в 12 С в течение 1 - 10 сек подавалась парогазовая смесь, содержащая ЫС 14, СОз, ХНз, Нз, с соотношением компонент смеси, обеспечивающим получение оксинитрида кремния. После обработки чистой поверхности Я в парогазовой смеси наносился методом реакций в парогазовой фазе диэлектрик ЯО 2 - 51 з 1 М 4 с толщиной слоев по 1000 А, Для сравнения были также приготовлены образцы Я с эпитаксиальным слоем ЯО, - .1 зХ 4, с аналогичным428484 Предмет изобретения Составитель П. Сорокина Текрсд Т. КурилкоКорректор В. Гутман Редактор Л. Цветкова...