Полупроводниковый керамический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Союз Советских Социалистических Рвснублнк1) Дополнительное к авт 2) Заявлено 20,11,74 (21)с присоединением зая 51) М. 4 В 35/20 01 С 7/00 77923 и Совета Министров ССС ло делам изобретений(53) УДК 666.638(088,8) публиковано 15.07.76, Бю теньи открыти ата опубликования описания 04.08.76(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИ олее 8,5 а изобретения сударственный комитет Р 3) Приорит 2) Авторы изобретения Х. С. Валеев, В, В Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых керамических материалов для высокотемпературных резисторов объемного типа, в частности для резисторов дуговых ртутных ламп.Известны резистивные материалы с малым температурным коэффициентом сопротивления на основе окиси магния и двуокиси титана 11. Производство этих материалов вызывает затруднение из-за необходимости создания специальной газовой среды высокой чистоты и разброса параметров полученных материалов, вызываемого даже небольшими отклонениями от технологических режимов,Известен полупроводниковый материал, включающий в качестве диэлектрического неорганического наполнителя ультрафарфор и, кроме того, сажу и окись марганца 21, Однако такой материал имеет сравнительно высокий температурный коэффициент сопротивления и применяется при недостаточно высоких рабочих температурах.Целью настоящего изобретения является повышение рабочей температуры, снижение темгературного коэффициента сопротивления при сохранении высекой воспроизводимости параметров.Цель достигается за счет того, что полупроводниковый керамический материал, включающий сажу и диэлектрический неорганический ин, Е. С. Пиханова и Н. И. Барчуков наполнитель, дополнительно содержит гексаборид лантана, а в качестве диэлектрического неорганического наполнителя - стеатит при следующем соотношении компонентов, вес. %: 5 Стеатит 88,5 - 94,98Сажа 0,02 - 1,5 Гексаборид лантана 5 - 10Для получения данного материала мокрымспособом смешивают, например, 90% стеати та, 1% сажи и 9% гексаборида лантана, смесьобезвоживают и формуют. Обжиг осуществляют в пламенных печах в засыпке графита при 1240 в 12 С.Резисторы из предлагаемого материала 15 имеют следующие свойства:Температурный коэффициентсопротивления в интервалетемператур 20 в 4 С,10 - 2%/С не б20 Номинальное сопротивлениепри температуре20+.5 С, ком 9 - 25Максимальная рабочая температура, С 400 Полупроводниковыи керамическии материал для изготовления резисторов объемного типа30 включающий сажу и диэлектрический неоргаРедактор Э, Шибаева Корректор Л. Орлова Заказ 1630/3 Изд.1508 Тираж 752 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография пр. Сапунова, 2 б3нический йайолнитель, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения рабочей температуры, снижения температурного коэффициента сопротивления при сохранении высокой воспроизводимости параметров, он дополнительно содержит гексаборид лантана, а в качестве диэлектрического неорганического наполнителя - стеатит при следующем соотношении компонентов, вес. %: Сажа 0,02 - 1,5Гексаборид лантана 5 - 10Стеатит 88,5 - 94,98Источники информации, принятые во вни 5 мание при экспертизе:1. Патент ФРГ1029456, кл. 21 с, 54/05,1964.2, Авторское свидетельство СССР446199,кл. С 04 Ь 35/00, 1973.
СмотретьЗаявка
2077923, 20.11.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3944
ВАЛЕЕВ ХАДЫ САБИРОВИЧ, КОЛЧИН ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ, ПИХАНОВА ЕВГЕНИЯ СЕРГЕЕВНА, БАРЧУКОВА НИНА ИВАНОВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/20
Метки: керамический, материал, полупроводниковый
Опубликовано: 15.07.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-521242-poluprovodnikovyjj-keramicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый керамический материал</a>
Устройство для управления сопротивлением полупроводникового резистора
Номер патента: 1355060
Опубликовано: 15.03.1990
МПК: H01L 27/10
Метки: полупроводникового, резистора, сопротивлением
...из полупроводниковой пластины 1, часть которой помещена между обкладками конденсатора 2 и изолирована от нйх диэлектрическими пленками 3. Конденсатор подключается к регулируемому источнику питания 4, а выводы - метал" лические точечные зонды 5 располагаются на полупроводниковой. пластине н плоскости, перпендикулярной обкладкам конденсатора, симметрично оси, проходящей через центр вдоль полупроводниковой пластины, и подключаются дляконтроля к измерителю сопротивления 6. Приспособление 7 служит для измерения расстояния между зондами и от зондов до обкладок конденсатора.П р и м е р реализации устройства. В качеСтве полупроводниковой пластины взят ЩБ с;удельным сопротивлением 0,1 Ом м и размерами 20 х 1 О х х 0,4 мм, который помещается...
Способ измерения удельного электрического сопротивления полупроводниковых материалов
Номер патента: 765909
Опубликовано: 23.09.1980
МПК: H01L 21/66
Метки: полупроводниковых, сопротивления, удельного, электрического
...амплитуда сигнала термо-ЭДСбудет зависеть от направления тока;Ч+ =+йПЭй + . ГЭ й й (тепло(тепло Пельтье выделяется на контакте)Ч =-,(ПЭй .д.ГЗ й Я(тепло Пельтье поглощается на контак"те),Исключая из этих уравнений теплоДжоуля, имеемьЧ =ч + -ч:Ы пэй =Ыт Эйтак как П = сТДальнейшие элементарные преобразо"вания с целью исключения параметраа(,приводят к следующему выражениюдля термического сопротивления Кгде Ч = Ч+ ЧВ выражении для й. величины Ч , ТЯ( ФДЧ( и йз изменяются непосредственно, а безразмерный коэффициент Й,зависящий от соотношения сопротивлений материала зонда и полупроводника,является подгоночным параметрам, изменяясь в пределах 0,5-:1,0.С учетом того, что контактированиезонда с полупроводником происходитпо вершинам...
Способ определения сопротивления контактных переходов неокрашенных резисторов
Номер патента: 1347049
Опубликовано: 23.10.1987
МПК: G01R 31/18
Метки: контактных, неокрашенных, переходов, резисторов, сопротивления
...резисторов. 10На фиг.1 представлена схема для измерения сопротивления резистора без шунта; на фиг.2 - то же, с шунтом.Сущность способа заключается в следующем.Для измерения сопротивления резистора без шунта (фиг.1) резистор 1 подключают контактными узлами 2 и 3 к измерительному прибору 4 и регистрируют величину В , . Значение сопротивления Б,связано со значением сопро. тивления контактных переходов Б и сопротивлением активной зоны резистора Б, соотношением 251 о, = Н, + о. (1)Затем шунтируют шунтом 5 (фиг.2) часть 1 активной зоны резистора 1, которая задается в зависимости от длины 1 резистора. Чем большая часть 1 активной зоны шунтируется, тем выше точность определения активной зоны и контактных переходов. Регистрируют величину...
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводникового материала
Номер патента: 369502
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: G01R 17/06, G01R 27/02
Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного
...чертеже представлена функциональнаясхема описываемого устройства, состоящегоиз четырехзондовой головки 1, стабилизатора 2 б2 постоянного тока, цифрового вольтметра 3,блока управления 4, механизма б перемещения зондовой головки, реостатного датчика б,функционального преобразователя 7, корректирующего звена 8 стабилизатора тока. 30 Через токовые зонды 9 и 10 измерительной головки 1, прижатой к исследуемому образцу П, пропускается постоянный ток от стабилизируемого источника 2. Напряжение, снимае мое с потенциальных зондов 12 и 1 З, подается на вход измерительного прибора (например цифрового вольтметра) т. Блок управления 4 с помощью механизма б отводит и прижимает зондовую головку к образцу и перемещает ее вдоль торца. Перемещение...
Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводникового материала
Номер патента: 476525
Опубликовано: 05.07.1975
Автор: Модорский
МПК: G01R 31/26
Метки: полупроводникового, сопротивления, удельного
...фазовращающего сопротивления первого зонда, исследуемого полупроводникового материала и второго зонда, а выход фазометра соединен с измерителем напряже 5 ния.Схема предложенного устройства показанана чертеже.Фстройство для измерения удельного сопротиьления полупроводников содержит гене ратор переменного тока 1, регулятор тока 2,476525 Предмет изобретения Составитель В. Немцев Техред А. Камышникова Редактор Т. Орловская Корректор В. Брыксииа Заказ 298/3 Изд. М 942 Тпрагк 902 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раупгская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 съемное эталонное фазовращающее сопротивление 3, двухзондовый манипулятор с зондами 4, 5, фазометр 6, имеющий...
Предыдущий патент: Огнеупорная набивная масса для футеровки ферросплавных электропечей
Следующий патент: Способ получения калийного удобрения
Случайный патент: Способ производства солода