Слоистый термоэмиссионный генератор

(51) 4 3 45/ ОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ СССРО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБ НИЯ РСНОМУ СВИДЕТЕПЬСТ-2 нного из их слоев юл. Е из по и П.П.Шербинин8) роводника или д беспечивается з альной величины е омического ко ект ка. Этоыбора опти счет ваботы др. Термоэле М,: Атомизыхода в э талличесБ.С тик акта 31696, 19 еталлическо в него меллического слоя кого количества(54) СЛОИСТЬРАТОР эле алась одити отв(57) Изоб носится к энергеспользовано для стем одвода теплГенерируе ия через вн на нагрузку тся отводом 5 кая энерг мыкается е и мож быть бразовя электр чес 3 залы,рямого иивэ ия тепловои эИзобретение р нюю рическу з.п. ышает КПН слоистого термоэмиссио ил. иг.(56) Поздняковрическая энергдат, 1974,Патент СШАкл. 310-4.09. ТЕРМОЭМИССИОННЫЙ ГЕНЕного генератора, выполи чередующихся металличес и неметаллических слоев кого и неметаллического слоев и уве личения проводимости не го слоя за счет инжекци нов, чтобы заметно не увеличтеплопроводность неметалли -ческих слоев, ТеплоИзобретение относится к энерге.синеи может быть использовано для прямого преобразования тепловой энергиив электрическую.Цель изобретения - повышение КП слоистого термоэмиссионного генератора (ТЭГ), выполненного из чередующихся металли 1 еских слоев (МС) и неметаллических слоев (НС) полупро 10водника или диэлектрика, за счетвыбора Оптимальной величины работывыхода в зоне Омического кочтакта МСи НС и увеличения проводимости НСза счет впрыска в него из МС такогоколичества электронов, чтобы заметноне увеличивалась теплопроводность НС,На Фиг. 1-3 схематически изображенТЭГ.ТЭГ состоит из чередующихся МС 1 20и НС 2 с Одинаковой или различнойплощадью поперечного сечения, внешней цепи 3, слете:1 -с и 5 подвода иОГВОДа тЕПЛа СОо"ВГСГВЕННО.Ус 1 выпо 1 ен из Одинаковых или 25из двух разных масериалов А и В(фиг. 2) с тем, ч;обы к НС прилега:1 илибо одинаковые материалы (фиг. 2),либо разны(фиг. 3). С целью уменьшения п.ре:111 ца гемператур 11 на МСапряжения МС выполняют из как можноболее э;1 ектро; теп: опроводногоматериала, ка.; можно меньшей то:1 щины,НО НЕ МСИОЕ тОЛщИНЫ СПГ ОШЧО .тИ,Тепло 1 одводитея к системе , подвода и отво 11 т. системой 5, Ге 11 г.ри 35руем 1 я . 1 ек; О 11 ергия чрез внешнююцепь 3 замыас гся на нагрузку.Ф О р м фч л а 1 з О б р е Г е11 я401, Сл 011 с Гсы 11 термез 1 исс 1 ионны 11 ге 11 еРатОР, С ДЕРжс 1 Щ 1 й тЕРМОЭМИССИОН 1 ГЫЕ преобразоваг и., выполне 11 ьсе из чередующих. я мта 1 пических слоев и сло 45 ЕВ ПОЛуПрОЬецНИКа И 11 И диз:1 ЕК ГрИКа, образуюших между собой омический контакт, причем для каждого из термоэмиссионных преобразователей работа выхода эмиттеров больше работы выхода коллектора, о т л и ч а ю щ и й " я тем, что, с целью повьппения ЕПД, в качестве металлических слоев и слоев из полупроводника или диэлектрика используют материалы, обеспечивающие в зоне омического контакта работу выхода У , выбранную из выражения13КТ; 1 п(10 1 еТ о,/к. ) сР)(21 пТ9,2)КТ Дж,где К - постоянная Больцмана, равная1,38 10 Дж/К,дифференциальная термоЭДСслоя полупроводника или диэлектрика 1-го термоэмиссионного преобразователя, В/К,Т, - температура 1.-го термоэмиссионного преобразователя, К;1 - длина свободного пробегаэлектрона в материале полупроводника или диэлектрика,м;К; - теплопроводность полупроводника или диэлектрика 1.-готермоэмиссионного преобразователя, Вт/см,а толщину слоя из полупроводника илидиэлектрика с 1 выбирают из выражения2 10 ехр(, )- )У (62 ЕТ;1 Т,8) 10, м,где с, - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника или диэлектрика го термоэмиссионного преобразователя.2. Генератор по п. 1, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что слои из полупроводника или диэлектрика выполнены из сегнетоэлектрика или антисегнетоэлектрика.1397995 Д В г,2 иг Составитель А, Техред П.Сердю тоновва Корректор М.Шарош едактор В.Пет Тираж 746 ВНИИПИ Государственного по делам изобретений и 3035, Москва, Ж, Раушсаз 2604 5 Подгисноеитета СССР открытии я нао д роизводственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная,