Ячейка памяти

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 801285533 А 1 9 4 С 11 С 11 НИЯ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ф 3итут электронной.Гафаров 8) Шагурин И.И, Радио и свя БйаСе СгсцТз.р. 414-417. 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБ(57) Изобретение относится к цифровойвычислительной технике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах. Целью изобретенияявляется повьппение помехозащищенности ячейки памяти при действии напряжения на адресном входе. Для достижения этой цели в ячейку памяти введены два накопительных конденсатора,которые включены между адресным входомячейки памяти и узловыми точками триггера ячейки памяти, Благодаря конденсаторам при действии сигнала на адресном входе повьппается потенциал затвора открытого МДП-транзистора триггера, что приводит к уменьшению эффективного сопротивления транзистора иснижению вероятности. ложного переключения триггера, 1 ил.12855 Изобретение относится к цифровой вычислительной технике и может быть использовано в оперативных запоминающих устройствах,Цель изобретения - повышение по 5мехозащищенности ячейки памяти придействии напряжения на адресном входе,На чертеже приведена схема ячейки памяти. 1 ОЯчейка памяти содержит триггер,состоящий из ключевых МДП-транзисторов 1 и 2 и нагрузочных резисторов3 и 4, коммутирующие элементы, выполненные на МДП-транзисторах 5 и б, 15и зарядные элементы, выполненные наконденсаторах 7 и 8, На схеме показаны также шина 9 питания, шина 10нулевого потенциала, адресный вход11, первый 12 и второй 13 разрядные 20входы,Ячейка памяти работает следующимобразом.В режиме хранения на адресной шине11 устанавливается потенциал, меньший 25порогового напряжения транзисторов5 и 6,Для записи информации в ячейку памяти необходимо установить потенциалына разрядных входах 12 и 13 вводимой 30информации: на одном - низкий (приблизительно нулевой) а на другом - высокий (приблизительно потенциал источника питания +П ). При увеличеиении потенциала на адресном входе 11 35до высокого уровня открываются транзисторы 5 и б и в узле триггера,подключенном к разрядному входу снизким потенциалом, устанавливаетсянизкий потенциал, а в другом узле - 40высокий потенциал.При этом триггер переключается всоответствующее состояние,При считывании информации потенциал на адресном входе изменяется так 45же, как и при записи, Разрядные входы в начале считывания обычно имеютвысокий потенциал, Рассмотрим слу 33 2 чай, когда потенциал стока транзистора 1 низкий, а потенциал ст ха транзистора 2 - высокий. В этом случае на разрядном входе 12 появляется сигнал считывания в результате протекания тока по цепи последовательно включенных открытых транзисторов 5 и и 1,При этом увеличивается потенциал стока транзистора 1, что может привести к ложному переключению триггера. Благодаря введенному конденсатору 8 повышается потенциал стока транзистора 2 и затвора транзистора 1, что приводит к уменьшению эффективного" сопротивления транзистора 1 по сравнению с известным устройством и к снижению вероятности ложного переключения триггера. Наличие конденсатора 7 не приводит к росту потенциала стока транзистора 1 из-за очень малой постоянной времени разряда конденсатора 7 через открытый транзистор 1, в то же время потенциал стока транзистора 2 уменьшается медленно, так как разряд конденсатора 8 происходит через резистор 4, имеющий большое сопротивление.Формула изобретенияЯчейка памяти, содержащая триггер и первый и второй коммутирующие элементы, каждый из которых выполнен на МДП-транзисторе, истоки МДП-транзисторов соединены с соответствующими входами-выходами триггера, стоки являются соответствующими разрядными входами, а затворы - адресным входом ячейки памяти, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения помехозащищенности, в нее введены первый и второй зарядные элементы, каждый из которых выполнен на конденса;горе, выводы которого соединены сзатвором и истоком МДП-транзистора соответствующего коммутирующего элемента.Проектная, 4 оизводственно-полиграфическое предприятие,гор 32/54 Тираж 5 ИИПИ Государственнопо делам изобретен 3035, Москва, Ж,9Подписноо комитета СССРЙ и открытийРаушская наб., д. 4/5