Фокусирующий кристалл-ионохроматор

Номер патента: 1172946

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления

...- 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С,...

Номер патента: 728183

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Бродская, Вдовин, Мильвидский, Моргулис, Освенский, Шифрин

МПК: H01L 21/263

Метки: кристалла, маркирования, микродефекту, объемному, поверхности, полупроводникового, соответствующего, участка

...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...

Номер патента: 1492384

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Воробьев, Каплин, Мун

МПК: G21K 1/06

Метки: излучение, кристалла, рентгеновское, фокусирующего

...пластины. Длину пластиныкоторую целесообразно использовать в данном способе, можно оценитг по формуле, учитывающей многократное рассеяниеЕ1 макс(Ь1,. зги о) ф (2)Выбор Ьмакс производят из условия, чтобы из-за многократного рассеяния не происходило выбываниепучка электронов при прохождении через пластину толщиной Ь, Здесь Ь - радиационная длина, Е - энергия электронов, Е - 2 11 эВ. Например, для пластины 81 и Е =ГэВ величина макс - 1-5 см,Излучаемые рентгеновские фотоныс частотами в диапазоне Мо - (д,+ бйЗ)испытывают поглощение в материалепластины, которое определяется линейным коэффициентом поглощения( ( 6 Э ), С учетом этого эффектатолщину пластины целесообразно ограничить как Ь - 1Кроме того, толщина пластиныдолжна...

Номер патента: 1701759

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Крылюк, Куликовская, Раренко

МПК: C09G 1/02, C30B 29/10, C30B 33/08

Метки: композиция, кристаллов, поверхности, полировки, полупроводниковых, химико-механической

...1. В качестве твердой фазы использовали ультрадисперсные порошки немодифицированного кремнезема размером 20-38 ОА с поверхностью, содержащей группы 9 ОН, Химически активный компонент - моноэтилендиамин.Гидрофильный характер аминоэтоксиазросила (АЭА) позволяет очень легко вводить его в водные среды и получать стабильные водные дисперсии Е = Я - О - СНг - СНг - ИНг.Продукты, образующиеся при полировке, удаляются с поверхности за счет хорошей абсорбцион ной способности, обусловленной сильноразвитой поверхностью АЭА, а также благодаря комплексообразованию за счет наличия аминогрупп, что позволяет избежать "замазывания" дефек.тов поверхности и обеспечить высокую эфФективность на протяжении всео процесса,При приготовлении полировальных...

Номер патента: 1052956

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Агеев, Гоганов, Казанский, Комяк

МПК: G01N 23/20

Метки: варианты, его, заданного, кристалла, кристаллографических, ориентации, отклонения, относительно, плоскостей, поверхности, среза, угла

...разности измеренных углов 2.5 Наиболее близким кпредлагаемомуявляется способ определения отклонения угла ориентации кристаллографических плоскостей от заданного угла относительно поверхности среза кристалла, включающий облучение поверхности среза исследуемого кристалла пучком рентгеновских лучей и регистрацию отраженных от него лучей с помощью детектора 13Недостаток способа состоит в том,что необходимо поворачивать исследуемый кристалл для лоиска отражения и нахождения углового положения его максимальной интенсивности, что существенно снижает экспрессность анализа. Кроме того, точность определения угла отклонения таким способом зависит от точности изготовления узлов, обеспечивающих поворот и определение углового поло.ения кристалла,...